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- [发明专利]分栅快闪存储器的形成方法-CN202310945998.1在审
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汤志林
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-28
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2023-09-22
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H10B41/35
- 本发明提供了一种分栅快闪存储器的形成方法，包括：在衬底上形成栅介质层、浮栅层和浮栅掩膜层；依次刻蚀浮栅掩膜层、部分厚度的浮栅层形成第一开口；在第一开口内形成第一侧墙，第一侧墙形成第二开口；依次刻蚀第二开口内的浮栅层和栅介质层；通过第二开口以一定的角度向衬底内注入硼离子，以在第二开口两侧的衬底内均形成硼离子区；在第二开口内形成第二侧墙，第二侧墙形成第三开口；通过第三开口向衬底内注入离子，以在第三开口对应的衬底内形成源区，源区与硼离子区均接触，且硼离子区位于源区的外围；在第三开口内形成源线；刻蚀第一侧墙外围的浮栅掩膜层、浮栅层和栅介质层露出衬底的表面；向衬底内注入离子以形成漏端。
- 分栅快闪存形成方法
- [发明专利]分栅式闪存器件的制备方法-CN202310323956.4在审
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汤志林
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-03-29
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2023-06-02
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H01L21/28
- 本发明提供了一种分栅式闪存器件的制备方法，包括提供衬底，衬底上形成有浮栅材料层，浮栅材料层覆盖衬底，浮栅材料层内形成有凹槽，凹槽的侧壁呈圆弧状；刻蚀凹槽底部的浮栅材料层以形成开口，开口暴露出衬底；采用RTO工艺氧化凹槽外侧的浮栅材料层的部分厚度，以形成牺牲层，牺牲层覆盖浮栅材料层；除去牺牲层及牺牲层下方的浮栅材料层，剩余的浮栅材料层构成浮栅层，且浮栅层远离开口的一侧具有浮栅尖端；在浮栅层远离开口的一侧形成字线，字线覆盖浮栅层的侧壁及部分浮栅尖端。通过RTO工艺将沟槽外部分厚度的浮栅材料层氧化为牺牲层，进而在保证浮栅尖端尖锐度不变的前提下降低浮栅尖端的高度，降低编程失效的风险。
- 分栅式闪存器件制备方法
- [发明专利]分栅快闪存储器的形成方法-CN202310324864.8在审
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汤志林
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-03-29
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2023-06-02
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H10B41/30
- 本发明提供一种分栅快闪存储器的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅材料层，所述浮栅材料层内形成有沟槽，所述沟槽贯穿所述浮栅材料层并暴露出所述半导体衬底；形成源线材料层，所述源线材料层填充所述沟槽并覆盖浮栅材料层，在形成所述源线材料层时，在所述源线材料层与所述半导体衬底之间产生热应力；执行退火工艺，以释放所述源线材料层与所述半导体衬底之间的热应力。通过形成源线材料层之后，对源线材料层执行退火工艺，以释放所述源线材料层与所述半导体衬底之间的热应力，避免源线材料层与半导体衬底之间产生位错导致漏电，进而导致分栅快闪存储器的编程失效，提高了产品良率，同时避免了炉管产能浪费。
- 分栅快闪存形成方法
- [发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法-CN202310139151.4在审
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汤志林;付永琴;王卉;曹子贵
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-02-21
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2023-05-02
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H10B41/30
- 本发明提供了一种分栅快闪存储器及其制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过离子注入工艺在位于源线、浮栅下方的有源区内形成用于调整分栅快闪存储器的开启电压或阈值电压的离子注入工艺的角度进行修改，即，从现有技术中的垂直注入调整为倾斜30°角度的注入，进而使在浮栅与字线之间的区域P型注入离子的浓度增加，实现了在提高势垒的同时，改变浮栅下方和字线下方之间形成的离子注入区域存在的空隙现象，最终实现了解决现有的分栅快闪存储器中由于其字线下方沟道关断能力比较弱，而导致的分栅快闪存储器在尺寸缩小的时候，其存储位的字线在无电压或者小电压的情况下发生的漏电，所造成的分栅快闪存储器发生编程串扰失效的技术问题的目的。
- 分栅快闪存及其制备方法
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