“江阴润玛电子材料股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果84个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法-CN202310200616.2在审
发明人：何珂;戈烨铭 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法。属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚10‑15份、丙二醇单硬脂酸酯7‑12份、1,4‑丁内酯3‑5份、丙酮20‑25份、甲基丙烯酸甲酯2‑4份、多元醇7‑12份。本发明各组分组合的稀释剂对大部分的光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，少量光刻胶也能有效形成感光膜。
一种半导体集成电路用光稀释剂及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用去胶液及其制备方法-CN202310200614.3在审
发明人：袁晓雷;戈烨铭 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路用去胶液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料制备而成：苯类溶剂20‑25份、丙烯酸酯类溶剂12‑15份、多元醇7‑12份、醚类溶剂5‑10份和氯仿12‑15份。本发明集成电路用去胶液对各种类型的光刻胶具有优异的溶解效果，且毒性低，具有适当的挥发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，原料来源广，制备方法简单，对光刻胶的去除效果好，且毒性低，多元醇具有较高的沸点，使得去胶液的挥发性减小，对环境的影响较低。
一种集成电路用去胶液及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用钛钨腐蚀液及其制备方法-CN202310173364.9在审
发明人：戈烨铭;何珂 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路用钛钨腐蚀液及其制备方法，属于集成电路技术领域，由以下原料按重量份制备而成：硝酸5‑10份、硫酸3‑7份、磷酸15‑20份、聚多巴胺‑壳聚糖络合稳定剂3‑5份、表面活性剂1‑2份、水40‑50份。本发明中集成电路用钛钨腐蚀液能够有效的对钛钨合金进行刻蚀，有效分解钛钨表面的金属层，提高刻蚀效率，对金属层腐蚀均匀彻底、性能稳定、使用寿命长，腐蚀后残余液易冲洗无残留。
一种集成电路用钛钨腐蚀及其制备方法

[发明专利]一种显示器用低张力铝腐蚀液及其制备方法-CN202310173368.7在审
发明人：戈烨铭;何珂;郑武 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种显示器用低张力铝腐蚀液及其制备方法，属于腐蚀液技术领域，包括以下原料：磷酸、硝酸、硫酸、乙酸、稳定剂、表面活性剂、水；所述稳定剂的制备方法如下：S1.将海藻酸钠溶于水后，滴加氯化钙溶液，乳化，得到纳米球；S2.将纳米球加入乙醇溶液中，加入硅烷偶联剂，加热搅拌反应，得到双键改性纳米球；S3.将双键改性纳米球、甲基丙烯酸二甲胺基乙酯和引发剂混合，加热搅拌反应，离心，过滤，洗涤，得到改性纳米球；S4.将改性纳米球加入有机溶剂中，加入碱和烷基氯代烃，加热搅拌反应，离心，过滤，洗涤，干燥，得到稳定剂。与现有铝腐蚀液相比，对金属铝蚀刻速率高，反应稳定，无残留，基本无侧蚀现象，具有广阔的应用前景。
一种显示器用张力腐蚀及其制备方法

[发明专利]一种电子级氢氧化钾的制备工艺-CN202110708886.5有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01D3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子级氢氧化钾的制备工艺，包括依次且连续进行的如下步骤：将氯化钾水溶液以恒定流速依次通过第一螯合树脂、第二螯合树脂进行吸附得到氯化钾高纯溶液，后浓缩得氯化钾晶体，将氯化钾晶体中加入纯水溶解，溶解后经双极膜电渗析系统处理后得到低浓度氢氧化钾溶液，最后加热浓缩得到电子级氢氧化钾。本发明的电子级氢氧化钾的制备工艺可使金属阳离子Fe2+,Ca2+,Mg2+,Ni2+,Zn2+≤100ppb,Na+≤50ppm，且该制备工艺简单易操作，可连续大规模生产高浓度高纯度电子级氢氧化钾。
一种电子氢氧化钾制备工艺

[发明专利]一种集成电路用氧化硅减薄液及其制备方法-CN202310173381.2在审
发明人：何珂;戈烨铭;白雪 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路用氧化硅减薄液及其制备方法，属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：聚乙烯醇季铵盐稳定剂5‑10份、氢氟酸10‑20份、硫酸5‑10份、硝酸5‑10份、表面活性剂3‑5份和水50‑90份。本发明集成电路用氧化硅减薄液的利用率的提高，废液产生量显著减少，处理简单，且制备方法简单，安全环保，工作效率高，具有广阔的应用前景。
一种集成电路氧化硅减薄液及其制备方法

[发明专利]一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺-CN202110646419.4有效
发明人：汤晓春;何珂;戈烨铭 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺，属于清洗剂技术领域。其本发明提供的柔性面板用光刻胶清洗剂包括以下重量百分比的组分：1.5‑9.5％季铵氢氧化物、0.5‑16.5％水、4.5‑21.5％异丙二醇单苄基醚、0.5‑5.5％缓蚀剂，余量为有机溶剂。且本发明利用了4‑羟基丁酸、二乙烯三胺、苄氯、肉桂醛和γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷逐步反应生成缓蚀剂，并在季铵氢氧化物光刻胶清洗剂中引入了该缓蚀剂，因该缓蚀剂中的硅氧烷链和曼妮希碱、苯环、咪唑啉的结构特性，使得其极易在铜箔或铝箔表面形成致密的保护膜，避免了季铵氢氧化物对铜箔或铝箔的腐蚀，且对光刻胶高效清洗。
一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺

[发明专利]一种TFT行业用硫酸系ITO刻蚀液-CN202110646435.3有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一TFT行业用硫酸系I TO刻蚀液，属于液晶显示器薄膜晶体管行业电子化学品技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸14‑17％、硫酸4‑6％、醋酸9‑11％、表面活性剂0.01‑0.05％、助剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该刻蚀液的制备方法，步骤如下：将表面活性剂和助剂进行搅拌混合，得到复配混合物；先加入2/3的纯水至配料罐，再加入硫酸、硝酸和醋酸，混合20mi n得到混合液；然后加入复配混合物，搅拌30mi n，加入剩余的纯水，搅拌1‑2h，通入过滤器中过滤，滤液即为TFT行业用硫酸系I TO蚀刻液；本发明还制备了一种助剂，能够增加刻蚀液的光稳定性、润湿性以及渗透性。
一种 tft 行业硫酸 ito 刻蚀

[发明专利]一种集成电路用铜钛腐蚀液及其生产工艺-CN202110646431.5有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用铜钛腐蚀液，属于微电子化学试剂技术领域，包括以下质量百分比的原料：硫酸10‑19％、硝酸5‑8％、乙酸28‑33％、过硫酸钾2‑5％、双氧水2‑4％、吸附剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该腐蚀液的生产工艺；本发明的腐蚀液对铜钛复合金属层腐蚀均匀、性能稳定，由于吸附剂的加入，可以净化腐蚀液，减少腐蚀废液的产生，增加腐蚀液的使用寿命，且该腐蚀液不含氟，不会腐蚀硅材基材、氮化硅与非结晶硅，同时兼顾产品良率、安全与环保，并降低重工后发生缺陷的风险，可在制备集成电路行业、平面显示器、彩色滤光片、触控式面板、有机发光二极管等领域中广泛应用。
一种集成电路用铜钛腐蚀及其生产工艺

[发明专利]一种超净高纯丙酮的生产工艺-CN202110664816.4有效
发明人：戈士勇;何珂;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C07C45/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净高纯丙酮的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业丙酮、肼水溶液混合，调节温度至100‑105℃，保温搅拌反应2‑3小时，得到反应液，在常压下将反应液与水组成低沸点共沸物，进行一次精馏分离，得到反应生成丙酮连氮；(2)在常压下，对丙酮连氮进行水解，得到丙酮和水合肼，进行二次精馏分离，得到初步丙酮；(3)对初步丙酮进行吸附脱水处理，即得高纯丙酮；本发明方法生产得到的高纯丙酮的丙酮含量相较于工业丙酮中的丙酮含量大幅度提高，得到的高纯丙酮的纯度明显增加。
一种净高丙酮生产工艺

[发明专利]一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液及其制备方法-CN202211653629.7在审
发明人：戈烨铭;何珂;郑武 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性氧化硅蚀刻液，其包含氟化氢、氟化氢铵、有机硼烷化合物、阴离子表面活性剂、pH调节剂和水，其中所述蚀刻液的pH为3‑4。
一种集成电路张力选择性氧化蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法-CN202211621245.7在审
发明人：何珂;戈烨铭;白雪 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液，其包含硝酸、亚硝酸盐、氟化氢铵、含脲基和吡啶鎓母环的四氟硼酸盐或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸盐、硅化合物、表面活性剂，余量为去离子水。还提供了制备所述集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液的方法。
一种集成电路张力选择性蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种面板行业用IGZO/铝兼容蚀刻液及其制备方法-CN202211563844.8在审
发明人：袁晓雷;戈烨铭;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种面板行业用IGZO/铝兼容蚀刻液，其包含按重量计40‑60％磷酸；5‑9％硝酸；3‑6％有机酸；0.5‑0.8％部分水解聚丙烯酰胺；0.1‑1％氯化盐；0.1‑0.8％碱性化合物；和使蚀刻液总重量成为100％的水。还提供了其制备方法。
一种面板行业 igzo 兼容蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种面板行业用金属碱性蚀刻液及其制备方法-CN202211523822.9在审
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种面板行业用的用于蚀刻铜的碱性蚀刻液，其包含氯化铜、氯化铵、氨水、护岸剂、湿润剂和水。优选地，所述护岸剂是8‑巯基喹啉，所述湿润剂是2‑苯氧基乙醇。
一种面板行业金属碱性蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种超净高纯过氧化氢的生产工艺-CN202110664604.6有效
发明人：戈士勇;何珂;汤晓春 -专利权人： 江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B15/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净高纯过氧化氢的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业过氧化氢进行氧化处理，得到氧化处理过氧化氢，氧化处理依次分为惰性气体的排出和氧化剂的氧化；(2)将上述得到的氧化处理过氧化氢采用交换树脂进行过滤处理，得到树脂过滤过氧化氢；(3)再将树脂过滤过氧化氢采用过滤膜进行微过滤处理，过滤得到的滤液即为高纯过氧化氢；通过本发明工艺对工业过氧化氢进行处理，能够大幅度的提高工业过氧化氢的纯度，从而使得其能够更好的应用于半导体晶体片的清洗剂、腐蚀剂和光刻胶的去除剂，电子工业制取高级绝缘层、去除电镀液中无机杂质，效果显著，提高产品的质量。
一种净高过氧化氢生产工艺

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 84 条