“毛勤虎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]单晶转运系统-CN202223129501.9有效
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶转运系统，属于半导体制造技术领域。单晶转运系统包括：用于转运单晶硅棒的晶体搬运装置，单晶硅棒通过炉体牵引绳提拉头装载到晶体搬运装置上；设置在晶体搬运装置底部的重量检测装置，用于检测晶体搬运装置承载的单晶硅棒的重量；计算存储装置，与重量检测装置连接，用于接收并存储重量检测装置的检测数据，并对重量检测装置的检测数据进行处理，得到处理后的检测数据，并基于检测数据发出启动指令；细颈切断装置，与计算存储装置连接，用于接收启动指令后，移动至单晶硅棒的细径处，切断单晶硅棒与炉体牵引绳提拉头之间的连接。本实用新型能够实现单晶硅棒的取出以及细颈切断过程的自动化，可以有效节约人力成本。
转运系统

[发明专利]单晶转运测量方法及系统-CN202211522682.3在审
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶转运测量方法及系统，属于半导体制造技术领域。单晶转运测量系统包括：用于转运单晶硅棒的晶棒搬运车；设置在所述晶棒搬运车上的检测装置，用于在将所述单晶硅棒装载到所述晶棒搬运车上的过程中，对所述单晶硅棒进行直径检测、长度检测、氧含量检测和外观三维扫描中的至少一项，得到检测数据；分析处理装置，与所述检测装置连接，用于接收并存储所述检测装置的检测数据。本发明的技术方案能够缩短单晶硅棒从炉室中取出到检测物理数据的时间，提高单晶硅棒的生产效率。
转运测量方法系统

[实用新型]石墨坩埚-CN202221457151.6有效
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： F27B14/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种石墨坩埚，包括坩埚主体，所述坩埚主体的侧壁包括竖直部和弯曲部，所述弯曲部上设置有由所述弯曲部的内侧面向所述弯曲部的外侧面延伸的凹槽。通过所述凹槽的设置，通过所述凹槽的深度变化来获得石墨坩埚的厚度变化，以评价石墨坩埚的使用寿命。
石墨坩埚

[实用新型]籽晶夹持装置和单晶炉-CN202221681013.6有效
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种籽晶夹持装置和单晶炉。籽晶夹持装置包括外夹持组件和内夹持组件，所述外夹持组件上开设有容纳腔，所述内夹持组件的外部轮廓与所述容纳腔的内部轮廓相匹配，所述内夹持组件可拆卸的设置于所述容纳腔内，所述内夹持组件包括用于固定籽晶的固定部，所述固定部由所述容纳腔内部延伸至所述外夹持组件的外表面。在本实用新型实施例，通过设置外夹持组件和内夹持组件，实施时，可以针对不同的籽晶使用不同的内夹持组件固定籽晶，然后将夹持有籽晶的内夹持组件固定在外夹持组件上，以实现将籽晶固定在籽晶夹具上，这样，本实施例能提高对于籽晶固定的便利性。
籽晶夹持装置单晶炉

[实用新型]一种用于拉晶炉的隔离阀及拉晶炉-CN202221161349.X有效
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种用于拉晶炉的隔离阀及拉晶炉，所述隔离阀设置在所述拉晶炉的主炉室和副炉室之间，所述隔离阀包括：阀座，所述阀座形成有用于将所述主炉室和所述副炉室连通的通道；阀盖，所述阀盖用于封闭所述通道；供气装置，所述供气装置用于将保护性气体供应至所述阀盖的在所述阀盖将所述通道封闭时面向所述主炉室的内表面。
一种用于拉晶炉隔离

[发明专利]单晶硅拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉-CN202210749785.7在审
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉，属于半导体技术领域。单晶硅拉晶控制装置包括：电源模块，电源模块的一端与坩埚轴连接，另一端与籽晶提拉结构连接，用于提供电信号以在籽晶提拉结构固定的晶体与石英坩埚内的硅溶液接触时，在坩埚轴、石英坩埚、石墨坩埚、硅溶液、晶体和籽晶提拉结构之间形成电流回路；测量模块，用于实时测量电流回路中的实际电流值；控制模块，用于根据晶体尾部的目标直径确定目标电流值，将实际电流值与目标电流值比较，根据比较结果控制籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或加热器的功率。本发明能够对单晶硅尾部的直径进行控制。
单晶硅控制方法装置拉晶炉

[发明专利]单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉-CN202210751316.9在审
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉，属于半导体技术领域。单晶体直径控制装置包括：直径检测模块，用于对所述多晶熔液和晶体的交界处进行图像采样，获得原始图像，对所述原始图像进行二值化处理，得到黑白图像，计算所述黑白图像中白色区域与黑色区域的面积比例，根据所述面积比例得到所述晶体的直径数据值；控制模块，用于将所述直径数据值与预设直径数据值进行比较，并根据比较结果控制所述籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或所述加热器的功率。本发明能够监控晶体生成过程中晶体的直径，保证晶体品质的稳定可控性。
单晶体直径控制方法装置单晶硅拉晶炉

[发明专利]坩埚和单晶炉-CN202210705510.3在审
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种坩埚和单晶炉，坩埚应用于单晶炉内，包括坩埚主体，所述坩埚主体的外部围设有加热结构，且所述加热结构通过绝缘导热层与所述坩埚主体连接，所述加热结构的外部罩设有隔热保护罩，且所述隔热保护罩和所述坩埚主体合围形成容纳所述加热结构的密封空间。所述加热结构通过绝缘导热层与所述坩埚主体连接，通过固定间热传导的方式进行加热，提高加热效率。
坩埚单晶炉

[发明专利]加热器组件和单晶炉-CN202210705520.7在审
发明人： 毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种加热器组件和单晶炉，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚的底部通过支撑结构支撑，所述支撑结构包括支撑轴，所述坩埚能够在所述支撑轴的带动下旋转，所述加热器组件包括：包覆在所述坩埚的外表面上的加热部，所述加热部能够与所述坩埚同步旋转，所述加热部包括多个连接电极；设置于所述支撑轴上的导电部，所述导电部包括与所述连接电极一一对应连接的多个环形导电件，以及与多个环形导电件一一对应连接的外接电极，所述连接电极可沿着所述环形导电件旋转，所述外接电极与外部电源连接。
加热器组件单晶炉

[发明专利]一种单晶炉热场结构、单晶炉及晶棒-CN202010505348.1在审
发明人： 毛勤虎;沈福哲;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉热场结构、单晶炉及晶棒，其特征在于，包括：炉体，所述炉体的内部中央设有坩埚；侧部加热器，所述侧部加热器设置于所述坩埚外围；导流组件，所述导流组件设置于所述侧部加热器和所述坩埚之间，用于与所述坩埚的外壁形成气体流动通道以将气体排出所述炉体外。根据本发明实施例的单晶炉热场结构，可以通过形成的气体流动通道对通入单晶炉内的气体进行引导排出炉外，以对炉内的加热器进行隔离保护，避免气体中裹挟的一氧化硅对加热器造成损坏，从而提高炉内加热器的使用寿命、确保加热器的正常工作。
一种单晶炉热场结构单晶炉

[发明专利]一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒-CN202010386357.3在审
发明人：杨文武;沈福哲;宋振亮;毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒，所述组合套筒设于导流筒内，包括：内筒，所述内筒的最小内径大于晶棒的直径；套设于所述内筒外的外筒，所述外筒的一端形成有外凸缘，所述外凸缘用于与导流筒的底部搭接；设置于所述内筒和所述外筒之间的隔热层。根据本发明实施例的组合套筒，具备更优的调节晶棒轴向温度差的能力，调节范围广，有利于晶棒的无缺陷生长，从而提高晶棒的整体品质。
一种组合套筒单晶炉单晶硅

[实用新型]一种拉晶炉-CN202023046389.3有效
发明人： 毛勤虎;沈福哲;金珍根;车贤湖 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种拉晶炉，包括：炉体，炉体内限定有腔室，炉体的顶部设有与腔室连通的拉晶口，炉体的底壁设有与腔室连通的出口；基座，基座设在腔室内；坩埚，坩埚设在基座上；排气结构，排气结构包括排气管与活动件，排气管设在出口中；活动件设在排气管中，且活动件止抵排气管的内侧壁，活动件的至少部分沿排气管的内侧壁可活动。在本实用新型的实施例中，通过活动件的至少部分沿排气管的内侧壁的活动可以清理排气管的内侧壁上的沉积物，解决了排气管内壁沉积物不易清理的问题，使得尾气正常排出，避免影响拉晶炉内的气压，有利于晶体的稳定生长。
一种拉晶炉

[发明专利]晶体等径生长控制方法及晶体等径生长控制装置-CN202110019609.3在审
发明人： 毛勤虎;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体等径生长控制方法，包括：S1：设置等径过程中晶体生长的参数，其中，晶体生长的参数包括晶体直径；S2：获取预设时间段内的晶棒的平均生长拉速，所述预设时间段包括当前时间点之前的第一子预设时间段和当前时间点之后的第二子预设时间段；S3：将步骤S2中获得的所述平均生长拉速与当前时间点的预设目标拉速进行对比，并输出对比结果；S4：根据所述对比结果控制晶棒生长温度。本发明还涉及一种晶体等径生长控制装置。
晶体生长控制方法装置

[发明专利]铜箔电极的改性及其电催化还原CO2-CN201810703467.0有效
发明人：宁汇;吴明铂;郑诗瑞;毛勤虎;王文行;杨中学;赵青山;吴文婷;李忠涛 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C22/63 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供铜箔电极的改性及其电催化还原CO2反应，使用KHCO3水溶液，改性后的铜箔具有更优越的电催化性能，水热改性后的铜箔电催化二氧化碳产生乙烯的效率和选择性均有所提升。铜箔的水热改性是在140℃，改性时间4h，质量分数0.5％KHCO3水溶液条件下进行。改性后的铜箔在催化二氧化碳电还原过程中更有利于多产高附加值的乙烯。
铜箔电极改性及其电催化还原 co base sub

[发明专利]一种铜片表面水热处理增强其电解水制氢性能的方法-CN201710963657.1有效
发明人：宁汇;吴明铂;崔珑耀;毛勤虎;王文行;杨中学;赵青山;吴文婷;李忠涛 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明属于能源化工领域，具体涉及一种铜片表面水热处理增强其电解水制氢性能的方法。首先将铜片分别在丙酮、去离子水和无水乙醇中超声清洗以清除铜片表面的油污，然后将铜片在质量分数为2％的KHCO₃水溶液中160℃水热处理10小时以改变铜片表面的结构和形貌，用作电解水制氢的电极时，水热处理后的铜片表现出起始电位低、析氢效率高的特点。本发明的主要特征是：用一种简单方便，环保无毒的方法实现了对铜片的表面改性，大幅提升了其作为电极用于电解水制氢时的性能，有望实现大规模廉价电解水制氢。
电解水制氢水热处理铜片表面铜片电极形貌表面改性超声清洗能源化工起始电位去离子水无水乙醇质量分数油污丙酮析氢无毒环保表现

1
共 15 条