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[发明专利]母合金的制作方法、坩埚组件和单晶炉-CN202310639496.6在审
发明人：杨文武;金珍根;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种母合金的制作方法，采用单晶炉制作，所述制作方法包括以下步骤：对加入掺杂剂的硅料进行加热；在硅料完全熔化为硅熔液后，冷却到预设温度使得所述硅熔液凝固为预制品；取出所述预制品，并将所述预制品放入容纳有常温液体的容纳槽中，使得所述预制品炸裂，以获得小块状的母合金。本发明还涉及一种坩埚组件和单晶炉。获得掺杂元素均匀的母合金，后期只需要测量小块试样标定后可根据重量进行掺杂，无需每次掺杂计算，简化了流程，而且掺杂精度更高，适合大批量生产使用，提高了生产效率。
合金制作方法坩埚组件单晶炉

[发明专利]坩埚传动轴、坩埚传动组件和坩埚传动组件的应用方法-CN202211522667.9在审
发明人：杨文武;金珍根;车贤湖;王一妃 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种坩埚传动轴，用于与坩埚连接以带动所述坩埚转动，包括传动轴本体，所述传动轴本体的外周面上环绕设置有凸缘，在所述传动轴本体的径向方向上，所述凸缘具有远离所述传动轴本体的外侧面，所述外侧面在所述传动轴本体的轴向方向上的正投影呈费马曲线形状。本发明还涉及一种坩埚传动组件、坩埚传动组件的应用方法。利用费马曲线的特殊形状，以及费马曲线方程，可以获得预设时间段内的角速度，从而获取预设时间段内的坩埚的转速，相比在坩埚旋转一周后再获取的转速，有益于参数的精密控制，有益于提升晶棒品质。
坩埚传动轴传动组件应用方法

[发明专利]测量装置和测量方法-CN202210546950.9在审
发明人：杨文武;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量装置，包括：炉体；坩埚，坩埚内容纳有硅熔液；磁场产生结构，设置于炉体的外围，用于向坩埚处输出磁场，磁场产生结构包括远离硅熔液的第一端面；籽晶提拉结构，用于控制籽晶升降运动；第一感应结构，设置于炉体上，用于在籽晶下降经过第一位置时，发出第一信号；第二感应结构，设置于炉体上，用于在籽晶下降至第二位置时，发出第二信号，第二位置为与硅熔液液面齐平的位置；处理结构，用于根据第一信号和第二信号获取第一位置和第二位置的第二距离b，并根据第二距离b获取第一距离MP，其中MP＝a+d‑b，a为第一端面和第一位置之间的距离，d为在第一端面和磁场最强高斯面之间的距离。本发明还涉及一种测量方法。
测量装置测量方法

[实用新型]一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉-CN202120221631.1有效
发明人：杨文武;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提供一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，所述测量熔硅液面位置的定位销包括：第一杆，所述第一杆包括相对弯折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均为杆体结构，所述第二部分包括相对的第一端和第二端，所述第一部分连接在所述第二部分的所述第一端；第二杆，所述第二杆为杆体结构，所述第二杆包括相对的第三端和第四端，所述第三端连接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二杆与所述第二部分同轴设置；其中所述第二部分和所述第二杆中的至少一个在杆体内部设有不透光物。本公开提供的测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，可提高Melt Gap测量的准确性。
一种测量液面位置定位熔炉

[实用新型]一种单晶炉套筒装置和单晶炉-CN202120166296.X有效
发明人：杨文武;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉套筒装置和单晶炉，单晶炉套筒装置包括：套筒和桶形导流板，桶形导流板的底部开设有拉晶口，套筒设置于桶形导流板的内部，套筒包括导流筒和直壁筒，导流筒的上内壁面呈倒锥形，导流筒的下内壁面呈与直壁筒的外侧面相适配的圆柱形，直壁筒穿设于导流筒内与导流筒的下内壁面连接，直壁筒与拉晶口贯通。根据本实用新型实施例的单晶炉套筒装置，可以有效阻挡硅熔液飞溅到套筒和晶棒上，而沉积在石英材质的桶形导流板上的硅料可通过酸洗或者高温火焰喷烧进行去除，不影响下次拉晶，另外，也可以避免套筒上的杂质掉落到硅熔液中，还可以使惰性气体充分掠过硅熔液表面，及时带走一氧化硅气体，从而提高制得的单晶硅棒的品质。
一种单晶炉套筒装置

[实用新型]一种拉晶炉-CN202023046389.3有效
发明人：毛勤虎;沈福哲;金珍根;车贤湖 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种拉晶炉，包括：炉体，炉体内限定有腔室，炉体的顶部设有与腔室连通的拉晶口，炉体的底壁设有与腔室连通的出口；基座，基座设在腔室内；坩埚，坩埚设在基座上；排气结构，排气结构包括排气管与活动件，排气管设在出口中；活动件设在排气管中，且活动件止抵排气管的内侧壁，活动件的至少部分沿排气管的内侧壁可活动。在本实用新型的实施例中，通过活动件的至少部分沿排气管的内侧壁的活动可以清理排气管的内侧壁上的沉积物，解决了排气管内壁沉积物不易清理的问题，使得尾气正常排出，避免影响拉晶炉内的气压，有利于晶体的稳定生长。
一种拉晶炉

[发明专利]晶体等径生长控制方法及晶体等径生长控制装置-CN202110019609.3在审
发明人：毛勤虎;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体等径生长控制方法，包括：S1：设置等径过程中晶体生长的参数，其中，晶体生长的参数包括晶体直径；S2：获取预设时间段内的晶棒的平均生长拉速，所述预设时间段包括当前时间点之前的第一子预设时间段和当前时间点之后的第二子预设时间段；S3：将步骤S2中获得的所述平均生长拉速与当前时间点的预设目标拉速进行对比，并输出对比结果；S4：根据所述对比结果控制晶棒生长温度。本发明还涉及一种晶体等径生长控制装置。
晶体生长控制方法装置

[发明专利]电风扇的前后网罩的离合结构-CN201610339100.6有效
发明人： 金珍根;李承泽;郑相镇 -专利权人：信一产业株式会社
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： F04D29/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种电风扇的前后网罩的离合结构。本发明通过电风扇的前网罩的旋转动作简单地让前后网罩结合或分离。本发明包括：前网罩外圈，一体地固定在前网罩，形成有离合机构以便凭借旋转动作和后网罩外圈结合或分离；及后网罩外圈，一体地固定在后网罩，形成有离合机构以便凭借上述前网罩外圈的旋转动作和前网罩外圈结合或分离。
电风扇前后网罩离合结构

[实用新型]一种摄像头模组固定治具-CN201820408273.3有效
发明人： 金珍根 -专利权人：东莞高伟光学电子有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种摄像头模组固定治具，包括盖板、中框、底板、定位柱、复位弹簧和锁扣，盖板设有用于压住模组的凸出压块，底板设有用于放置模组的凹腔，盖板、中框的一侧通过转轴实现铰接连接，底板上方安装定位柱，定位柱向上穿过中框，盖板设有与定位柱位置相对应的定位孔，定位柱外周侧套装复位弹簧，复位弹簧上端与中框相接触；下端与底板相接触，底板前方安装锁扣，模组预先放置在底板的凹腔中，驱动盖板旋转盖合中框，使盖板与底板相互平行接触，之后垂直按压盖板、中框使复位弹簧压缩，锁扣卡入锁槽中锁紧，盖板、中框、底板连接一体，盖板的凸出压块与模组接触时为平面接触，防止模组损伤，保证模组的固定、不倾斜，使测试更精准。
盖板底板模组定位柱复位弹簧锁扣摄像头模组固定治具凸出压块凹腔套装复位弹簧安装定位柱本实用新型垂直按压底板连接铰接连接平面接触平行接触定位孔放置模旋转盖上端卡入锁槽锁紧外周下端压住转轴损伤穿过测试驱动压缩保证

[发明专利]结晶生长晶体的质量评价方法-CN200610087066.4无效
发明人： 金珍根;赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供结晶生长晶体的质量评价方法，包括确定切断位置和取样位置的步骤和试样评价步骤，前一步骤包括：a)确定试样位置，输入按照不同装备、不同制品确定切断位置、取样位置和最初位置的基本信息；b)按基本信息预先确定切断位置、最初位置和取样位置；c)监控晶体生长过程，分析和保存与晶体的生长相关的X因素；d)反映基本信息和X因素，确定切断位置和取样位置。这样，在选择分辨监控的影响晶体质量的主要因素(X因素)后，以进行统一对比和分析为基础，制定确定切断位置和取样位置、取样数的规则，使剩余检验和不使用的最初的量最小化，把数据制作成数据库，用自动化系统构建切断和取样业务，可以使操作人员和现场的业务量减少。
结晶生长晶体质量评价方法

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