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[发明专利]考虑DIBL的GaAs pHEMT电流模型计算方法-CN202310703447.4在审
发明人：黄磊;朱世泉;毛书漫;武庆智;徐跃杭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了考虑DIBL的GaAspHEMT电流模型计算方法，应用于微波半导体器件建模技术领域，包括：根据每个栅源电压下的饱和电流进行最小二乘法拟合，得到饱和电流的数值表达式，并代入非线性电流表达式中，根据每个偏置点下的漏源电流，获取每个偏置点对应的临界电场；根据GaAs pHEMT的等效热阻，获取不同偏置下的沟道温度，并结合临界电场进行最小二乘法拟合，得到临界电场的数值表达式；将饱和电流以及临界电场代入非线性电流表达式中，并以考虑DIBL的等效栅压替换栅源电压，得到考虑DIBL的GaAspHEMT电流模型。本发明弥补了现有GaAspHEMT电流模型二阶效应考虑不全导致的精度不足的问题。
考虑 dibl gaas phemt 电流模型计算方法

[发明专利]一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统-CN202010211261.3有效
发明人：徐跃杭;毛书漫;吴韵秋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统。该方法包括：设置成品率阈值、源阻抗值和负载阻抗对应的Smith圆图扫描范围；确定Smith圆图扫描范围内的负载阻抗点；根据源阻抗值和各负载阻抗点对应的阻抗信息，调用ADS中的谐波平衡仿真器，确定多个样本器件在特定源阻抗条件下，各负载阻抗点的输出特性；以样本器件的输出特性满足成品率阈值为原则，确定各负载阻抗点对应的器件成品率；计算样本器件在各负载阻抗点处的各输出特性的均值；结合各负载阻抗点对应的器件成品率以及各负载阻抗点对应的各输出特性的均值，确定最佳负载阻抗；根据最佳负载阻抗进行芯片设计。本发明能够减小电路设计调谐优化中的随机性，降低芯片的设计制造成本。
一种基于成品率负载牵引系统芯片设计方法

[发明专利]一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法-CN202010154839.6有效
发明人：徐跃杭;毛书漫;吴韵秋;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法，涉及电子信息‑信息技术领域。针对现有技术存在的问题，本发明提供一种微波氮化镓高电子迁移率晶体管准物理基大信号模型的器件统计模型高效参数提取的实现方法。本发明通过获取包含多个尺寸相同的不同GaN器件管芯对应的大信号模型参数数据集，并在参数数据集中，对多个物理参数及其子模型参数进行统计分析，结合因子分析的统计学理论，精确表征各参数之间的关联特性，最终实现对器件输出特性统计分布的预测。
一种微波晶体管物理统计模型参数提取方法

[发明专利]一种基于负载牵引的甜点搜索方法、电子装置及存储介质-CN202211398028.6在审
发明人： 毛书漫;徐跃杭 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于负载牵引的甜点搜索方法、电子装置及存储介质。通过针对需要进行牵引的晶体管，预设牵引仿真条件及功率回退范围；基于预设的牵引仿真条件，确定最大输出功率对应的源阻抗点；将最大输出功率对应的源阻抗点设定为晶体管的源阻抗，计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置；根据每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个甜点位置对应输入功率下的晶体管输出特性信息；确定最佳负载阻抗点。相比于现有技术，实现了回退范围内线性度的同步监测及甜点搜寻，且在预设回退范围内寻找各负载阻抗点下的甜点，并以阻抗圆图的形式展示不同阻抗下的甜点位置及其深度的功能。
一种基于负载牵引甜点搜索方法电子装置存储介质

[发明专利]一种晶体管物理基陷阱效应模型参数提取方法-CN202211399445.2在审
发明人： 毛书漫;徐跃杭 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管物理基陷阱效应模型参数提取方法。针对需要提取参数的晶体管，采用脉冲IV测试模式执行常温状态下脉冲电流特性曲线测试；针对待提取参数的晶体管，执行不同温度下的瞬态电流特性曲线测试；执行晶体管电流模型的参数提取；根据不同温度下的瞬态电流提取发射时间常数，绘制Arrhenius曲线，并提取陷阱激活能和陷阱俘获截面；建立陷阱模型等效电路，根据提取的陷阱激活能和陷阱俘获截面，以及晶体管电流模型，基于静态偏置点下的脉冲IV实测数据，提取陷阱控制电势模型参数和稳态时的陷阱背景电势。相比于现有技术，提升了晶体管陷阱效应模型的建模效率，且能针对不同晶体管提取其对应的物理参数。
一种晶体管物理陷阱效应模型参数提取方法

[发明专利]一种微波氮化镓器件非线性电流模型参数提取方法及系统-CN201810096978.0有效
发明人：徐跃杭;毛书漫;赵晓冬;乔世阳;陈勇波;汪昌思;高能武;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学;成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开一种微波氮化镓器件非线性电流模型参数提取方法及系统，所述方法包括：根据待提取参数器件静态I‑V测试数据，得到器件最大漏极‑源极电流模型；根据待提取参数器件的常温静态I‑V曲线和高温脉冲I‑V测试数据，提取得到临界电场模型；根据不同静态偏置点下常温脉冲I‑V测试数据得到陷阱模型；根据漏极‑源极最大电流模型、临界电场模型以及陷阱模型的参数构建完整的非线性电流模型。采用本方法或系统保证整个模型参数的物理意义及参数取值的合理性，降低人为因素的影响，保证模型参数的唯一性，能够从根本上克服传统优化算法参数多值效应的缺点，大大提高了模型的精度，同时极大缩短了器件建模的周期。
一种微波氮化器件非线性电流模型参数提取方法系统

[发明专利]一种微波氮化镓器件物理基大信号模型建立方法及系统-CN201810227481.8有效
发明人：徐跃杭;乔世阳;毛书漫;陈勇波;汪昌思;高能武;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学;成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开一种微波氮化镓器件物理基大信号模型建立方法及系统。该方法包括：获取对同一条工艺线上的各个氮化镓器件在不同输入功率下的测试结果数据；计算在每个输入功率下的测试结果数据的均值；基于该均值建立物理基大信号模型，并设置物理参数为标称值，进而得到拟合参数初值；筛选上边缘曲线和下边缘曲线对应的器件；建立上边缘器件和下边缘器件的物理基大信号模型；将拟合参数代入两个边缘器件的物理基大信号模型，对拟合参数以及物理参数进行调整，保证两个模型共用同一组拟合参数而物理参数不同，从而确定物理基大信号模型的拟合参数和物理参数。本发明的方案能够提高拟合参数提取的可信度和物理参数的准确度，从而提高模型的精度。
一种微波氮化器件物理信号模型建立方法系统

[发明专利]一种热阻提取方法及系统-CN201810096948.X有效
发明人：徐跃杭;毛书漫;赵晓冬;乔世阳;陈勇波;汪昌思;高能武;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学;成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开一种热阻提取方法及系统。所述方法及系统通过获取所述静态功耗下所述器件的红外热成像实测沟道温度分布，对所述器件的热仿真模型进行校准，然后根据所述校准后的热仿真模型进行器件热阻的计算。所述方法及系统结合了红外热成像法结果直观和ANSYS仿真法简易、成本低的优势，同时解决了红外热成像法空间分辨率低和ANSYS仿真中模型与实际器件存在差异这两大缺陷带来的误差，极大提高了热阻提取的准确度。
一种提取方法系统

[发明专利]一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法-CN201710120429.8在审
发明人：徐跃杭;贾永昊;毛书漫;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法，该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式，包括18个寄生参数和10个本征参数；寄生参数包括外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1等，寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1等，寄生电阻Rg、Rd、Rs；本征参数包括本征电容Cgd、Cgs、Cds，本征电阻Rgs、Rgd、Rds，本征电流源Ids＝ViGme‑jωta中的参量Gm及ta。该模型可以准确描述高频器件特性，从而使得模型具有更宽的应用频带，最高能够适用于W频段；该参数提取方法可以实现模型参数在0.2‑110GHz的频率范围内具有良好稳定性。
一种宽带氮化器件信号模型及其参数提取方法

[发明专利]一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法-CN201610786722.3无效
发明人：徐跃杭;贾永昊;毛书漫;徐锐敏;延波 -专利权人：徐跃杭;电子科技大学
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法，该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式，包括18个寄生参数和10个本征参数；寄生参数包括外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1等，寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1等，寄生电阻Rg、Rd、Rs；本征参数包括本征电容Cgd、Cgs、Cds，本征电阻Rgs、Rgd、Rds，本征电流源Ids＝ViGme‑jωta中的参量Gm及ta。该模型可以准确描述高频器件特性，从而使得模型具有更宽的应用频带，最高能够适用于W频段；该参数提取方法可以实现模型参数在0.2‑110GHz的频率范围内具有良好稳定性。
一种宽带氮化器件信号模型及其参数提取方法

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