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[发明专利]一种半导体激光器芯片测试系统及方法-CN202310790541.8在审
发明人：李万军;王远红;李鸿建 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片测试系统及方法，包括上料区、下料区以及依次设置的测试站一至测试站N，N≥1；还包括用于将上料区的待测芯片搬运至测试站一的上料装置以及用于将测试站N的已测芯片搬运至下料区的下料装置；所述上料装置和所述下料装置均包括吸嘴以及用于对所述吸嘴进行X、Y、Z、θ四个方向位置调节的吸嘴调节机构。本发明通过吸嘴调节机构调节芯片在X、Y、Z、θ四个方向的位置，实现对斜腔芯片的测试角度和测试位置的校正，不需要额外增加一组或多组收光组件甚至增加机台类型即可实现精准测试斜腔产品，亦可兼容直腔产品的测试，提升了测试系统的产品兼容性，降低了生产成本。
一种半导体激光器芯片测试系统方法

[发明专利]半导体激光器芯片的检测系统及其方法-CN202310951008.5在审
发明人：王远红;李万军;裴良诚 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器芯片的检测系统，包括外观检测装置和性能测试装置，外观检测装置，用于检测待测芯片的外形是否合格；性能测试装置，用于对外观检测装置检测为合格的芯片进行性能测试。提供一种半导体激光器芯片的检测方法，包括如下步骤：先在外形检测工序对待测芯片的外形进行检测，判断待测芯片的外形是否合格；若不合格，则不再将该芯片送往性能测试工序；若合格，则将该芯片送至性能测试工序；在性能测试工序对芯片的性能进行测试，若不合格，则将该芯片下料，若合格，则将该芯片送至下一工序。本发明先一步的外形检测工序，减小无效的芯片搬运和光电性能测试量，减少搬运、测试等的使用次数及更换频次，降低了芯片生产制作成本。
半导体激光器芯片检测系统及其方法

[发明专利]电吸收调制激光器芯片及其制作方法-CN202310780751.9在审
发明人：李鸿建;陈云飞 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种电吸收调制激光器芯片，包括集成的DFB激光器、EAM电吸收调制器以及SOA光放大器，所述DFB激光器的电极和所述SOA光放大器的电极通过可调阻值的电极连接件连接。还提供一种电吸收调制激光器芯片的制作方法。本发明使用电极连接件将SOA与DFB器件连接，实现单源表测试DFB激光器及SOA光放大器性能，同样在封装工作时可减少驱动数量，使DFB激光器和SOA光放大器在单电流源的情况下进行出光选模及光放大，提高出光功率并减小啁啾，增加传输距离，由于金属电极的金属良好的散热性能，也增加了DFB激光器和SOA光放大器的散热面积，此外，由于采用可调阻值的电极连接件，使DFB激光器和SOA光放大器在单电流驱动下更合理的分配电流，实现均衡的光功率输出。
吸收调制激光器芯片及其制作方法

[发明专利]一种堆叠夹具-CN201910942482.5有效
发明人：向欣 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠夹具，包括夹具本体，所述夹具本体内设有叠放半导体激光器bar条和陪条的凹槽，所述凹槽包括支撑半导体激光器bar条和陪条的支撑面，所述支撑面沿凹槽的长度方向倾斜，堆叠夹具还包括在竖直方向上压紧堆叠后的半导体激光器bar条和陪条的压紧组件。本发明提供的堆叠夹具采用夹具内倾斜放置及固定bar条的方式，能使bar条平稳堆叠在一起，保证bar条两端在夹具内露出的发光腔面距离一致，极大的减小bar条在自由落体状态下出现翻转的可能性，且通过固定bar条落下的位置，使bar条堆叠稳定，减小了bar条因位置差异造成的散条现象，利用本发明提供的堆叠夹具极大增加了夹条镀膜工序的良率，减小该工序的生产成本。
一种堆叠夹具

[发明专利]半导体激光器结构及其制备方法-CN202211057956.6有效
发明人：郭娟;李鸿建 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器结构的制备方法，包括S1，生长一次外延结构；S2，在一次外延结构上二次外延制作光栅；S3，接着在光栅层上生长第一掩膜层，并制作脊波导，脊波导的中间脊宽大于两端脊宽；S4，再利用光刻保护脊波导的两端，腐蚀中间区域至一次外延结构的衬底，形成两个膨大腔室；S5，去掉第一掩膜层，并重新生长第二掩膜层，第二掩膜层覆盖剩下的脊波导和两个膨大腔室的表面；S6，涂BCB或者聚酰亚胺，进行曝光和显影，使BCB仅填充于两个膨大腔室中；S7，重新生长第三掩膜层，使其包裹BCB和脊波导；S8，得到半导体激光器。提供一种半导体激光器结构。本发明可实现低阈值和高效率注入，同时降低器件电容；可有效提高解理良率，改善腔面脏污。
半导体激光器结构及其制备方法

[发明专利]混合波导结构EML激光器及其制作方法-CN202310982688.7在审
发明人：李鸿建;郭娟;孔德谋 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及光通信激光器技术领域，提供了一种混合波导结构EML激光器的制作方法，包括如下步骤：S1，生长外延结构；S2，在所述外延结构的上表面划定LD激光器区和EA电吸收调制器区；S3，在所述LD激光器区制作掩埋异质结结构，在所述EA电吸收调制器区制作脊波导结构，所述掩埋异质结结构和所述脊波导结构一体成型制得。还提供一种混合波导结构EML激光器，包括掩埋异质结结构和脊波导结构，所述掩埋异质结结构和所述脊波导结构一体成型。本发明采用两种波导一体成型，避免两种波导的套刻偏差造成出光效率差问题，不需要高精度光刻对准设备，节约了昂贵设备投入成本。
混合波导结构 eml 激光器及其制作方法

[发明专利]静电放电测试系统及方法-CN202310629301.X在审
发明人：李爽;张友刚 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及静电测试技术领域，公开了一种静电放电测试系统及方法。该系统包括承载设备用于承载并固定待测COC产品；图像采集设备用于获取COC产品上至少部分位置的图像并进行放大；探针夹具组件包括：至少一个探针和至少一个夹具部，夹具部夹持固定对应的探针，探针配置为与COC产品上的测试端子相接触；静电放电测试设备与探针电连接，静电放电测试设备配置为通过探针来对COC产品进行静电放电测试。本发明通过图像采集设备采集并放大前段工艺半成品即COC产品的测试端子，以便结合探针夹具组件和静电放电测试设备对COC产品进行静电放电测试，能够在制成成品前确认器件抗静电放电水平，实现质量前移且极大降低静电测试成本。
静电放电测试系统方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202211064379.3有效
发明人：王远红;刘建;孔德谋 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及激光器制备技术领域，提供了一种半导体激光器的制备方法，包括S1至S6等几个步骤。还提供一种半导体激光器，包括外延结构以及于所述外延结构上制作的微纳米结构，所述微纳米结构中集成有HR膜和AR膜，所述HR膜和所述AR膜均有多层，层数为奇数层。本发明制备工艺中直接集成了HR膜和AR膜的，将后工艺的三个核心工序解条，夹条和镀膜三个工序简化成只有解条一个工序了，省去了夹条和腔面镀膜这两道工序，而这两道工序的设备都是及其昂贵的，所以本发明极大的降低了生产成本；省去了夹条和镀膜工序，也杜绝了这些工序造成的断条，散条和镀膜不均等异常，提高了良率。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]边发射激光器芯片级老化测试系统以及方法-CN202210095601.X有效
发明人：向欣;龙浩 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及芯片老化技术领域，提供了一种边发射激光器芯片级老化测试系统，包括用于安置芯片的老化板以及供老化板安装的老化夹具，老化板有多个，各老化板叠层安装在老化夹具上；系统还包括用于驱使任一老化板靠近或远离其下方的老化板以完成定位的驱动机构。还提供一种边发射激光器芯片级老化测试方法。本发明可以直接在非封装状态下的边发射激光器芯片上进行加电进行老化测试，避免封装成本的增加；不依靠MPD，可以直接检测在激光器芯片老化过程中箱体内不同时间下的激光器芯片的前、后实时的出光功率，排除MPD芯片是否不良的因素的干扰，从而能够得到真实、有效的激光器芯片的可靠数据，为分析不良品可靠性问题提供了极大的真实性和便利性。
发射激光器芯片级老化测试系统以及方法

[发明专利]高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法及装置-CN202211291716.2有效
发明人：向欣 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速率探测器芯片的TO‑CAN封装方法，包括S1，将TIA芯片倒装贴装在陶瓷基板上，并使TIA芯片的所有接地管脚均与陶瓷基板的GND金属圈电连接，同时使TIA芯片上除接地管脚外的部分管脚与陶瓷基板上的部分金属区一一对应电连接；TIA芯片仅IN管脚采用金线与探测器芯片连接，其他管脚均直接与陶瓷基板接触式电连接；S2，在贴装和电连接完毕后，再将陶瓷基板共晶焊接在TO底座上；S3，接着将探测器芯片贴装在TIA芯片上，并使探测器芯片的正极与TIA芯片上对应IN管脚电连接，同时使探测器芯片的负极与陶瓷基板上对应的金属区电连接。还提供一种用于高速率探测器芯片的TO‑CAN封装装置。本发明通过TIA芯片倒装，避免封装过程中由于打线引入了太多的寄生参数。
速率探测器芯片 to can 封装方法装置

[实用新型]一种探测器芯片的TO-CAN封装装置-CN202222755795.X有效
发明人：向欣 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种探测器芯片的TO‑CAN封装装置，包括陶瓷基板、TIA芯片、TO底座以及探测器芯片，陶瓷基板共晶焊接在TO底座上，TIA芯片倒装在陶瓷基板上；探测器芯片贴装在TIA芯片上，且探测器芯片的负极与陶瓷基板上对应的金属区电连接；TIA芯片仅IN管脚通过金线与探测器芯片的正极连接，且TIA芯片的其他管脚均与陶瓷基板接触式电连接。本实用新型避免了在高速率探测器芯片封装过程中由于打线引入了太多的寄生参数，从而导致光模块接受信号的灵敏度和带宽的下降；同时，由于把TIA芯片和探测器芯片都放置在陶瓷基板上，陶瓷基板也与TO底座各管脚同时相连，也通过金属延长区的设置对整个器件起到了一个增大接触面积散热的作用。
一种探测器芯片 to can 封装装置

[发明专利]边发射半导体激光器精准测试方法以及系统-CN202211279006.8在审
发明人：李万军;向欣;王远红 -专利权人： 武汉云岭光电股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种边发射半导体激光器精准测试方法，包括如下步骤：S1，将待测激光器芯片放置在测试载台上，并在测试载台旁设好收光组件；S2，在测试载台和收光组件之间设聚光透镜；S3，采用导正系统从多个角度推动待测激光器芯片，以调整待测激光器芯片在测试载台上的位置，直至待测激光器芯片的发光区精准地对准聚光透镜；S4，对待测激光器芯片加电，待测激光器芯片发出的光经过聚光透镜后被聚集，使得光束的发散脚减小；S5，收光组件接收到被聚集的光束后进行光学性能测试。还提供一种边发射半导体激光器精准测试系统。本发明可解决传统测试系统收光不全的问题，提升收光组件的收光精度，显著提升边发射半导体激光器芯片的光学性能测试的准确性。
发射半导体激光器精准测试方法以及系统

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