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[发明专利]光电子器件和发光机构-CN201910167255.X有效
发明人：布丽塔·格厄茨;弗兰克·辛格 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子器件和一种发光机构。在一个实施方式中，光电子器件(100)包括：载体(1)，所述载体具有上侧(11)和与上侧相对置的下侧(12)；设置在载体的上侧上的光电子半导体芯片(2)；在半导体芯片上的具有无机发光材料的第一转换层(3)；和实心体(4)，在所述实心体中分布有有机发光材料。半导体芯片在运行中经由一个侧或多个侧(20)发射初级辐射。第一转换层覆盖半导体芯片的所有发射辐射的侧，所述侧不朝向载体。实心体设置和固定在载体上并且与载体至少间接接触。此外，实心体与半导体芯片的发射辐射的侧至少通过第一转换层和/或载体间隔开。
光电子器件发光机构

[发明专利]光电子传感器模块和制造光电子传感器模块的方法-CN201880031040.9有效
发明人：卢卡·海贝尔格 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：在一个实施方式中，光电子传感器模块(1)包括：用于发射第一波长的辐射的第一半导体发送器芯片(21)和用于发射第二波长的辐射的第二半导体发送器芯片(22)。半导体检测器芯片(3)设为用于检测辐射。芯片(21，22，3)处于共同的平面中并且通过对于辐射不可透过的灌封体(4)彼此机械连接，其中灌封体(4)直接在芯片(21，22，3)的侧面上延伸。芯片(21，22，3)之间的间距小于或等于芯片(21，22，3)的平均对角线长度的两倍。传感器模块(1)设计为，贴靠在待检查的身体部位(7)上。
光电子传感器模块制造方法

[发明专利]半导体激光二极管-CN202310680100.2在审
发明人：斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
半导体激光二极管

[发明专利]发射辐射的设备-CN201910057767.0有效
发明人：彼得·布里克;斯特凡·格勒奇;斯特凡·帕夫利克;迈克尔·维特曼;乌利·希勒 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提出一种发射辐射的设备(1)，所述发射辐射的设备包括：‑像素化的光电子半导体芯片(2)，所述光电子半导体芯片设置用于发射具有第一峰值波长(λ1)的第一辐射(S1)并且具有多个彼此并排设置的半导体区域(20)，‑转换元件(3)或色彩控制机构，所述转换元件或色彩控制机构设置用于将第一辐射(S1)的至少一部分转换成具有第二峰值波长(λ2)的第二辐射(S2)，和‑色彩控制元件(4)，所述色彩控制元件设置用于适应性地调节色温。
发射辐射设备

[发明专利]半导体光源-CN202010258853.0有效
发明人：贝恩哈德·施托耶茨;艾尔弗雷德·莱尔;克里斯托夫·艾克勒;安德烈亚斯·莱夫勒 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。
半导体光源

[发明专利]用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条-CN201811183129.5有效
发明人：斯文·格哈德;安德烈亚斯·莱夫勒 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：描述一种制造激光二极管条的方法，包括如下步骤：制造多个彼此并排设置的发射体，其中发射体分别具有半导体层序列，半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层、p型接触部和n型接触部；检查发射体的至少一个光学和/或电学特性，将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联，并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联；将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上；通过将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上来电接触第一发射体的p型接触部，其中通过电绝缘层将第二发射体的p型接触部与p型联接层电绝缘。此外，提出可借助该方法制造的激光二极管条。
用于制造激光二极管方法

[发明专利]加热设备、在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和系统-CN201780062987.1有效
发明人：汉斯·林德贝格 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：加热平面(E1)，所述加热平面在制造半导体芯片时能够平行于晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置。加热设备(100)还具有第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上径向地在加热平面(E1)中延伸，其中第一加热单元(110)具有至少一个感应加热元件(111，112，113，114，115)用于加热晶片复合件(201)的载体(203)。此外，加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点(x)延伸并且设置在加热平面(E1)中，其中第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)。此外，提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的对应的方法和系统(300)。
加热设备晶片复合制造半导体芯片方法系统

[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法-CN201880015607.3有效
发明人：马库斯·平德尔;西蒙·耶雷比奇 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件(4)的厚度在背离芯片侧面(34)的方向上单调地或严格单调地减小，C)和芯片侧面(34)相对地产生反射元件(5)，使得反射元件(5)和透明灌封件(4)在透明灌封件(4)的与芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将半导体芯片(3)从中间载体(2)剥离并且将半导体芯片(3)分别施加到器件载体(6)上，使得半导体芯片(3)的相应的光出射主侧(30)分别背离器件载体(6)，其中步骤C)在步骤D)之后执行。
用于制造光电子半导体器件方法

[发明专利]用于制造光电子组件的方法和光电子组件-CN201780030970.8有效
发明人：马蒂亚斯·克内尔 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子组件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供载体板(10)，所述载体板包括玻璃；‑将转换层(2)施加到载体板(10)上，所述转换层包括发光转换材料；‑将至少两个光电子半导体芯片(3)在转换层的背离载体板(10)的一侧处施加到转换层上；和‑将包覆材料(40)引入到光电子半导体芯片(3)之间，所述包覆材料没有发光转换材料。此外，提出一种光电子组件。
用于制造光电子组件方法

[发明专利]发光材料和用于制造发光材料的方法-CN202310221710.6在审
发明人：马库斯·西巴尔德;多米尼克·鲍曼;蒂姆·菲德勒;斯特凡·朗格;胡贝特·胡佩茨;丹尼尔·杜茨勒;托尔斯滕·施罗德;丹尼尔·比希勒;古德龙·普伦德里希;西蒙·佩施克;格雷戈尔·赫德尔;吉娜·阿赫赖纳;克劳斯·维斯特 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：提出一种发光材料。发光材料具有化学通式：(MA)a(MB)b(MC)c(MD)d(TA)e(TB)f(TC)g(TD)h(TE)i(TF)j(XA)k(XB)l(XC)m(XD)n:E。在此，MA选自一价金属，MB选自二价金属，MC选自三价金属，MD选自四价金属，TA选自一价金属，TB选自二价金属，TC选自三价金属，TD选自四价金属，TE选自五价元素，TF选自六价元素，XA选自包括卤素的元素，XB选自如下元素：O、S和由其构成的组合，‑E＝Eu、Ce、Yb和/或Mn，XC＝N并且XD＝C。还适用：a+b+c+d＝t；e+f+g+h+i+j＝u；k+l+m+n＝v；a+2b+3c+4d+e+2f+3g+4h+5i+6j‑k‑2l‑3m‑4n＝w；0.8≤t≤1；3.5≤u≤4；3.5≤v≤4；(‑0.2)≤w≤0.2并且0≤m＜0.875v和/或v≥l＞0.125v。
发光材料用于制造方法

[发明专利]照明设备-CN202310329132.8在审
发明人：马库斯·西巴尔德;多米尼克·鲍曼;蒂姆·菲德勒;斯特凡·朗格;胡贝特·胡佩茨;丹尼尔·杜茨勒;托尔斯滕·施罗德;丹尼尔·比希勒;古德龙·普伦德里希;西蒙·佩施克;格雷戈尔·赫德尔;吉娜·阿赫赖纳;克劳斯·维斯特 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：提出一种照明设备。照明设备包括发光材料，所述发光材料具有化学通式(MA)a(MB)b(MC)c(MD)d(TA)e(TB)f(TC)g(TD)h(TE)i(TF)j(XA)k(XB)l(XC)m(XD)n:E。在此，MA选自一价金属，MB选自二价金属，MC选自三价金属，MD选自四价金属，TA选自一价金属，TB选自二价金属，TC选自三价金属，TD选自四价金属，TE选自五价元素，TF选自六价元素，XA选自包括卤素的元素，XB选自如下元素，所述元素包括O、S和由其构成的组合，XC＝N并且XD＝C并且E＝Eu、Ce、Yb和/或Mn。还适用：a+b+c+d＝t；e+f+g+h+i+j＝u；k+l+m+n＝v；a+2b+3c+4d+e+2f+3g+4h+5i+6j‑k‑2l‑3m‑4n＝w；0.8≤t≤1；‑3.5≤u≤4；3.5≤v≤4；(‑0.2)≤w≤0.2并且0≤m＜0.875v和/或v≥l＞0.125v。
照明设备

[发明专利]发光材料，用于制造发光材料的方法和发射辐射的器件-CN202080057996.3有效
发明人：丹尼尔·比希勒;西蒙·达尔迈尔;古德龙·普伦德里希;马克·沃斯托夫;西蒙·佩施克;朱塔·托马;克里斯蒂安·科赫;约翰娜·施特鲁贝-克尼林 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：提出一种发光材料(1)，具有通式EA2A4D3OxN8‑x:RE，其中‑EA选自二价元素的组；‑A选自一价、二价或三价元素的组；‑D选自三价或四价元素的组；‑RE是活化剂元素，‑0≤x≤8，并且‑ε(4+4y+3z)＝3(8‑x)+2x，其中元素A的电荷数为y，元素D的电荷数为z和ε＝0.9‑1.1。此外，提出一种用于制造发光材料(1)的方法和一种光电子器件(10)。
发光材料用于制造方法发射辐射器件

[发明专利]发光模块和具有发光模块的显示设备-CN201780022414.6有效
发明人：于尔根·莫斯布格尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;弗兰克·辛格 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光模块(1)，其具有：多个发射区域，所述发射区域构成为用于：在运行中发射光，所述发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)，所述第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少一个第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)，所述第二类型的第一发射区域和第二发射区域发射第二色坐标的光；和用于对发射区域通电的操控设备(2)，其中：多个发射区域设置在共同的半导体芯片上，第一色坐标与第二色坐标不同，第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)彼此相邻，第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)彼此相邻，操控设备(2)构成为用于：将全部发射区域彼此分开地运行，操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第一类型的发射区域(101，102)，和操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第二类型的发射区域(201，202)。
发光模块具有显示设备

[发明专利]半导体激光二极管-CN201810915857.4有效
发明人：斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
半导体激光二极管

[发明专利]用于制造照明装置的方法和照明装置-CN201880024890.6有效
发明人：克劳斯·穆勒;霍尔格·克拉森 -专利权人： 欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种用于制造照明装置(100)的方法，所述方法包括：‑提供多个光电子半导体器件(101)，所述光电子半导体器件分别具有用于产生辐射的半导体层序列(102)，其中半导体器件(101)在一侧(104)上分别具有至少一个接触面(103)和由共同的载体(105)保持，‑利用焊料(106)电镀地覆层半导体器件(101)的相应的接触面(103)，‑将半导体器件(101)借助焊料(106)施加到衬底(107)上，‑熔化焊料(106)，以及‑将接触面(103)焊接到衬底(107)上。
用于制造照明装置方法

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