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[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180027424.1无效
发明人：石坂忠大;佐久间隆;波多野达夫;横山敦;五味淳;安室千晃;福岛利彦;户岛宏至;川又诚也;水泽宁;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
方法装置

[发明专利]Cu配线的形成方法-CN201080018603.4无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;横山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。
cu 形成方法

[发明专利]CVD-Ru膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN201080011219.1无效
发明人：加藤多佳良;水泽宁;波多野达夫;五味淳;安室千晃;横山敦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。
cvd ru 形成方法半导体装置制造

[发明专利]金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置-CN201010244028.1无效
发明人：池田太郎;水泽宁;波多野达夫;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
金属膜薄膜沉积方法装置

[发明专利]成膜方法和处理系统-CN200880022486.1有效
发明人：池田太郎;若林哲;成嶋健索;波多野达夫;水泽宁;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
方法处理系统

[发明专利]气体供给方法和气体供给装置-CN200880009952.2无效
发明人：原正道;五味淳;横山敦;田中利昌;前川伸次;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。
气体供给方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880000148.8有效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;横山敦;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
方法装置

[发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200780014788.X无效
发明人：佐久间隆;横山敦;池田太郎;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。
方法装置存储介质

[发明专利]成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质-CN200780012765.5无效
发明人：佐久间隆;池田太郎;横山敦;松田司;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。
方法等离子体装置存储介质

[发明专利]种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质-CN200780004018.7无效
发明人：佐久间隆;池田太郎;横山敦;松田司;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。
方法等离子体装置存储介质

[发明专利]金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置-CN200680023575.9在审
发明人：池田太郎;水泽宁;波多野达夫;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
金属膜薄膜沉积方法装置

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