本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高,而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有:保持在真空气氛中的腔室(1);在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2),(18);和在第一和第二电极(2),(18)之间形成高频电场,生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10),在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中,第一电极(2)支撑晶片(W),并作为施加高频电力的阴极起作用,第二电极(18)作为接地的阳极起作用,第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。