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[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201711160518.1有效
发明人： 森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的半导体器件具有：半导体衬底，其具有第一面；绝缘隔离构造，其配置在第一面侧、且具有第一深度；以及栅极电极。半导体衬底具有与第一面相接而配置的源极区域以及漏极区域、与第一面相接而配置且具有第二深度的相反导电型区域、以包围源极区域的方式与第一面相接而配置的体区域、以及以包围漏极区域及相反导电型区域并且在与源极区域之间夹持体区域的方式与所述第一面相接而配置的漂移区域。源极区域、漂移区域及漏极区域是第一导电型，体区域及相反导电型区域是与第一导电型相反的导电型即第二导电型，绝缘隔离构造配置在漏极区域与相反导电型区域之间。第一深度比第二深度深。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711381037.3有效
发明人：藤井宏基;森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在填埋p+源极区域(SC)与p+漏极区域(DC)之间的隔离槽(TNC)的内部的隔离绝缘膜(SIS)的上表面形成有凹部(HL)。p‑漂移区(DFT)位于隔离槽(TNC)的下侧且与p+漏极区域(DC)连接。门电极(GE)填埋凹部(HL)的内部。n型杂质区域(NH)位于p‑漂移区(DFT)的下侧且凹部(HL)的正下方。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202211386851.5在审
发明人： 森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件，在LDMOSFET 100中，被设置在漏区中的“STI结构11”具有在x方向上延伸的狭缝区11A，该漏区包括高浓度漏区10和包含高浓度漏区10的漂移区12，并且在平面图中，“STI结构11”介于狭缝区11A与高浓度漏区10之间。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201711458966.X有效
发明人： 森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，一个实施方式的半导体装置包括具有第一面的半导体基板、配置于第一面的绝缘分离膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区域、漏极区域、漂移区域以及体区域。绝缘分离膜具有在俯视时配置于漂移区域的内侧的第一部分、在从第一部分朝向源极区域的方向上突出的第二部分以及在从第一部分朝向源极区域的方向上突出且在与第二部分之间夹入漂移区域的第三部分。栅极电极与夹入源极区域和漂移区域之间的体区域的部分绝缘且相对。栅极电极配置成延伸到第二部分以及第三部分的上方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201810927289.X有效
发明人：藤井宏基;酒井敦;森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。本发明提供一种可以确保高击穿电压且可以应用简化的制造过程的半导体装置以及制造所述半导体装置的方法。n+掩埋区具有浮置电位。n型体区被定位在所述n+掩埋区的第一表面侧。p+源区被定位在所述第一表面中且与所述n型体区形成p‑n结。p+漏区与所述p+源区间隔开地被定位在所述第一表面中。p型杂质区PIR被定位在所述n+掩埋区与所述n型体区之间，且使所述n+掩埋区和所述n型体区彼此隔离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201710002942.7有效
发明人： 森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，提高具有LDMOS的半导体装置的特性。在包围漏极区域(DR)的n型漂移区域(HNDF)与n型埋入区域(NBL)之间设置p型半导体区域(PISO)，在该p型半导体区域(PISO)与包围源极区域(SR)的p型阱区域(PWL)之间，以与p型半导体区域(PISO)和p型阱区域(PWL)重叠的方式设置p型半导体区域(H1PW)。在n型埋入区域(NBL)之上，设置p型半导体区域(PISO)，从而能够确保负输入耐压。进而，能够增大源极区域(SR)与p型半导体区域(PISO)之间的电位差，能够迅速地进行空穴的抽取。另外，通过设置p型半导体区域(H1PW)，能够确保经由p型半导体区域(H1PW)流过的空穴电流的路径。由此，能够提高导通耐压。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]真空泵及磁轴承一体型马达-CN201980096218.2在审
发明人： 森隆弘;井上统宏;太田知男;竹本真绍;付裕 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： F04D19/04 文献下载
摘要：所述真空泵(100)包括：转子(22b)、旋转翼(13)以及包括线圈的磁轴承一体型定子(22a)。转子包括：一对间隔构件(29)、支撑构件(27)、永磁石(26)以及保护环(28)，支撑构件在旋转轴(11)的轴向上的机械强度大于保护环在轴向上的机械强度。
真空泵磁轴体型马达

[发明专利]真空泵-CN201980093718.0在审
发明人： 森隆弘;井上统宏;太田知男 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： F04D19/04 文献下载
摘要：本发明的真空泵(100)的旋转机构(20)包含：磁轴承单元(21)，具有第一外径(91)，能够作为第一径向磁轴承(40)而运行；以及马达单元(22)，设于较磁轴承单元更靠旋转轴(11)的第二端(11b)侧的位置，具有大于第一外径的第二外径(92)，能够作为马达(30)与第二径向磁轴承(50)的两者而运行。
真空泵

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202010080726.6在审
发明人： 森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括半导体衬底，该半导体衬底包括具有第一表面和第二表面的第一外延层、第二外延层、形成为穿过第一外延层和第二外延层的掩埋区域以及栅极电极。第二外延层包括漏极区域、源极区域、体区域、漂移区域、第一区域和第二区域。第一区域至少形成在漏极区域下方。第二区域在沟道长度方向上具有第一端和第二端。第一端在沟道长度方向上位于体区域和漏极区域之间。第二区域从第一端朝向第二端延伸，使得第二端至少延伸到源极区域下方。第二区域的杂质浓度大于第一区域的杂质浓度。
半导体器件制造方法

[发明专利]超临界流体装置-CN201580077745.0有效
发明人：后藤洋臣;梶山理沙;森隆弘 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：一种具备背压调整器的超临界流体装置，该背压调整器设为将分析流路的分离提取部中的流动相保持为超临界流体状态的加压状态。配管的一端连接于背压调整器的出口侧，配管的另一端向大气开放。在所述配管设置有加热部，加热部具备多个加热器，所述多个加热器沿着配管配置在互不相同的部分，所述多个加热器在电性上相互独立。通电控制部连接于加热器，通电控制部构成为对多个加热器中的被选择的一个或多个加热器提供加热用的电源，不对其它加热器提供加热用的电源。
临界流体装置

[发明专利]反馈控制装置-CN201480078024.7有效
发明人：后藤洋臣;井上统宏;森隆弘 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G05B11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种反馈控制装置控制，包括：检测器，其检测基于对象的输出值；P控制电路，其由将所述检测器的检测值和目标值作为差动放大电路的各自的输入、并将P控制成分V_P输出至所述差动放大电路的输出的模拟电路构成；I控制部，其通过用数字处理对所述检测值与所述目标值的偏差进行积分来输出I控制成分V_I；以及驱动元件，其基于来自所述P控制电路的P控制成分V_P和来自所述I控制部的I控制成分V_I而被驱动从而控制所述控制对象。
反馈控制装置

[发明专利]超临界流体处理装置-CN201280077241.5有效
发明人：后藤洋臣;井上统宏;森隆弘;阿部浩久 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：超临界流体色谱仪具有超临界流路、供给包含液体的二氧化碳的流动相的流动相供给部、试样导入部、试样分离部、检测器以及压力控制阀。在压力控制阀的流体出口连接有阀后段流路，阀后段流路内通过压力保持单元被保持为来自压力控制阀的流体出口的流动相不发生汽化的压力。
临界流体处理装置

[发明专利]气液分离器和超临界流体装置-CN201480081676.6有效
发明人：后藤洋臣;梶山理沙;森隆弘 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式的气液分离器将包含气体和液体的流动相分离为气体和液体。本发明的实施方式的气液分离器具备用于导入流动相的导入流路和与所述导入流路连接的多个排出流路。从所述排出流路的排出口排出气体和液体。
分离器临界流体装置

[发明专利]显示装置-CN201580018394.6有效
发明人： 森隆弘 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-04-06 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的一个方式的显示装置具备多个扫描线(10a)和多个信号线(11a)、多个像素TFT、扫描共用配线(10b)以及多个保护二极管(6)(保护元件)。将扫描共用配线和多个保护二极管电连接的多个连接配线中的至少一部分包括与信号线同层的连接配线(11e)。多个像素TFT的半导体层和扫描线的重叠部分的面积与多个半导体层和扫描共用配线的重叠部分的面积大致相等。
显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810491562.9在审
发明人：藤井宏基;森隆弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。在平面图中，n型阱区的第一梳状部分和p^‑漂移区的第二梳状部分彼此啮合。因此，n型阱区和p^‑漂移区的pn结在平面图中具有之字形形状。由n型阱区和p^‑漂移区形成的pn结从主表面朝向隔离沟槽的底表面、沿着隔离沟槽的源极侧壁表面延伸。
漂移区半导体器件隔离沟槽梳状啮合侧壁表面之字形主表面源极制造延伸

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