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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件及包括其的系统-CN201710718091.6有效
发明人：金钟三;梁钟烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：存储器件可以包括命令控制器，被配置为基于刷新使能信号和修复使能信号来缓冲地址。存储器件可以包括熔丝电路，被配置为根据刷新使能信号和修复使能信号来控制与地址相对应的刷新单元阵列和修复单元阵列的断裂操作，并且在启动操作期间输出刷新控制信号和修复控制信号。存储器件可以包括刷新控制器，被配置为根据刷新控制信号来控制存储体的刷新操作。存储器件可以包括修复控制器，被配置为根据冗余信号来控制存储体的修复操作。
存储器件包括系统

[发明专利]存储器件及包括存储器件的存储系统-CN201510169430.0有效
发明人：朴嘉蓝;梁钟烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：存储器件包括：非易失性存储器电路，适用于储存硬修复数据；数据总线，适用于在启动操作期间传送硬修复数据，且在软修复模式期间传送软修复数据；多个寄存器，适用于储存通过数据总线传送的修复数据，且当被传送的修复数据被储存时激活；控制电路，适用于在寄存器当中选择寄存器以储存被传送的修复数据，并在软修复模式期间将储存与被传送的修复数据相同的数据的寄存器去激活；以及存储体，适用于基于储存于寄存器当中被激活的寄存器中的数据而执行修复操作。
存储器件包括存储系统

[发明专利]存储器件和包括存储器件的存储系统-CN201510121525.5有效
发明人： 梁钟烈;刘正宅;朴嘉蓝 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种存储器件可以包括：地址锁存器电路，其锁存从存储器件的外部接收到的地址；修复信号发生电路，其产生软修复信号；选择信息发生电路，其利用由地址锁存器电路锁存的锁存地址中的第一比特来产生第一选择信息；第一寄存器电路至第N寄存器电路，其在软修复信号被激活时通过被第一选择信息选中来储存锁存地址中的第二比特作为修复数据；以及第一存储区块至第N存储区块，其使用储存在相应第一寄存器电路至第N寄存器电路中的修复数据来执行修复操作。
存储器件包括存储系统

[发明专利]存储器件、存储系统及其操作方法-CN201410203005.4有效
发明人： 梁钟烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器件，其包括：单元阵列，其具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新该多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，其适合于：在该多个字线当中选择对应于该计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比该第一周期长的第二周期内和在该第二操作模式开始之后的高频区段中在比该第二周期短的第三周期内刷新选中的字线。
存储器件存储系统及其操作方法

[发明专利]半导体器件-CN201410160296.3有效
发明人： 梁钟烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：存储器单元阵列，其包括正常存储器单元阵列和冗余存储器单元阵列；正常刷新计数器适用于在刷新模式期间产生用于以第一周期对正常存储器单元阵列执行刷新操作的正常地址；以及冗余刷新计数器，适用于产生用于以比第一周期短的第二周期对冗余存储器单元执行刷新操作的冗余地址。
半导体器件

[发明专利]自刷新脉冲产生电路-CN201210032524.X有效
发明人： 梁钟烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种自刷新脉冲产生电路包括控制信号产生器，配置来产生在自刷新模式的初始周期中确定的控制信号；和自刷新脉冲产生器，配置来产生在自刷新模式中具有响应于控制信号控制的周期的自刷新脉冲。
刷新脉冲产生电路

[发明专利]八氟环己二烯的制备方法-CN200910127903.5无效
发明人：张香子;梁钟烈;金哲虎;赵荣救;李定殷 -专利权人：株式会社厚成
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C07C23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种以C6F6作为起始物质制备C6F8的方法、以及适用于上述氟化工序的氟化剂；所述制备方法的转化率和选择率高，副产物生产量低，因此适用于商业化方法。在以六氟苯为原料来制备八氟环己二烯的方法中，使由1～10wt％二氟化钴与90～99wt％选自二氟化钙、二氟化镁、三氟化铝、氟化钠和氟化钾中的金属氟化物混合而成的混合物与氟气在200～400℃下接触进行反应，使由此活化了的氟化剂与六氟苯在含惰性气体的气氛中、在60～200℃下进行反应，从而制备八氟环己二烯。
八氟环己二烯制备方法

[发明专利]十氟环己烯的制备方法-CN200910127902.0无效
发明人：张香子;梁钟烈;金哲虎;赵荣救;李定殷 -专利权人：株式会社厚成
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C07C23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种以C6F6作为起始物质，通过将其氟化，以高收率制备高纯度的十氟环己烯的方法、以及适用于上述氟化工序的氟化剂。在以六氟苯为原料制备十氟环己烯的方法中，使由1～50wt％的二氟化钴与50～99wt％选自二氟化钙、二氟化镁、三氟化铝、氟化钠和氟化钾中的金属氟化物混合而成的混合物与氟气在200～400℃下进行反应，使由此活化了的氟化剂与六氟苯在含惰性气体的气氛中、在60～200℃下进行反应，从而制备十氟环己烯。
十氟环己烯制备方法

[发明专利]使用流化床反应器制备六氟化钨的方法及其装置-CN200910127901.6无效
发明人：张香子;梁钟烈;金哲虎;赵荣救;李定殷;饭久保祐一 -专利权人：株式会社厚成
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C01G41/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备六氟化钨的反应系统，该系统通过使比重为19.25g/cm3的钨在反应器的整个内部均匀分布，并使其与反应气体的接触面积极大化，可以显著减少反应器的体积，此外还可以使反应热的控制变得更容易，使反应效率得到显著改善。本发明还提供一种使用流化床反应器来制备六氟化钨的方法，通过使钨与氟化剂接触进行反应来制备六氟化钨(WF6)，该方法包括，向密闭的反应器内投入钨粉末，通过向其中喷射加压的惰性气体来使钨粉末流化，然后向其中连续地供给加压了的气态氟化剂和钨粉末，使其在流化状态下接触进行反应。
使用流化床反应器制备氟化方法及其装置

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