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[发明专利]一种低位错密度的碳化硅衬底及其制备方法-CN202110947945.4有效
发明人：张九阳;李霞;王永方;高宇晗;张红岩;高超;梁庆瑞;李祥皓;苏丽娜 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种低位错密度的碳化硅衬底及其制备方法，属于半导体材料领域。该碳化硅衬底为尺寸不小于100mm的4H多型碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；所述第一主表面具有中心区域和围绕所述中心区域的环形区域，所述环形区域为自衬底边缘向内延伸的宽度不小于5mm，所述环形区域为相对于{0004}面不大于0.06°的偏离角倾斜的面；所述环形区域内无小角晶界，所述环形区域的结晶质量的半高宽不大于20arcsec。该碳化硅衬底不仅边缘的环形区域的位错密度低，且中心区域的位错密度低；并且边缘的环形区域无小角晶界的产生，结晶质量高，从而使制得的下游器件的质量高。
一种低位密度碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅基异质复合衬底材料-CN202311009640.4在审
发明人：王含冠;梁庆瑞;王瑞;国洪晨;张超;徐汇祥;宋生;赵树春;杨晓俐;宁秀秀;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/00 文献下载
摘要：一种碳化硅基异质复合衬底材料，包括基底层，中间层，表面层，所述基底层为碳化硅，所述中间层为多晶硅和二氧化硅，所述表面层为铌酸锂或钽酸锂；所述碳化硅基异质复合衬底材料的面型数据为：Warp＜50μm，BOW＜40μm；键合强度高达2J/m2以上。本申请选用碳化硅作为基底层制备复合衬底材料，能利用其杰出的机械性能、高化学稳定性、高载流子迁移速率、高热导率、高声速、耐高温、耐腐蚀等特性，从而使复合衬底在高声速、大带宽、高功率方面有质的提升；本申请制备得到的复合衬底具有低应力和高键合强度。
一种碳化硅基异质复合衬底材料

[发明专利]一种基于人工智能的分拣流水线机器人-CN202311010150.6在审
发明人：胡蓉;林明方;洪振鑫;梁庆瑞 -专利权人：广东工程职业技术学院
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B07C5/36 文献下载
摘要：本发明涉及分拣机器人技术领域，针对现有技术中机器人分拣过程中多次长距离移动物料造成分拣效率低下的技术问题，具体是涉及一种基于人工智能的分拣流水线机器人，包括机器人本体和检测相机；以及还包括有物料夹爪，物料夹爪设置于机器人本体的活动端，机器人活动端上设置有工位切换机构；机器人本体上活动端上还设置有收纳装置和承载装置，承载装置包括有外筒，外筒的内部可转动设置有内筒，内筒上设置有至少两个容纳孔，收纳装置设置于容纳孔处，外筒上设置有用于驱动收纳装置伸出的第一直线驱动器；本发明实现了机器人分拣工序的连续性，解决了机器人分拣过程中多次长距离移动物料造成分拣效率低下的问题。
一种基于人工智能分拣流水线机器人

[发明专利]一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片-CN202211737883.5在审
发明人： 梁庆瑞;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度。本发明提供的一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，能够大幅度提升厚度均匀性，提高减薄片的平整度，降低了SFQR指标，提高碳化硅减薄片的品质。
一种激光剥离碳化硅片工艺以及碳化硅薄片

[发明专利]一种激光致裂制备碳化硅剥离片的装置-CN202211724331.0在审
发明人： 梁庆瑞;宋建;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;宋生;杨晓俐;宁秀秀;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光致裂制备碳化硅剥离片的装置，属于激光加工技术领域。所述装置包括：包括：晶面检测单元、夹角判定单元、角度调节单元、激光扫描单元、外力施加单元、以及用于固定和支撑碳化硅晶锭的固定单元，其中，所述激光扫描单元包括能够产生所述第一激光束的第一激光头，并被设置为能够接收所述第一信号并启动所述第一激光头对碳化硅晶锭进行扫描，以形成含有多个裂纹且沿所述第一平面延展的待剥离面；所述外力施加单元被设置为能够对所述待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。本发明提供的激光致裂制备碳化硅剥离片的装置，能够降低碳化硅晶片加工应力，减少外延后面型变化量，可实现自动化加工，提高加工效率。
一种激光制备碳化硅剥离装置

[发明专利]一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置-CN202211724329.3在审
发明人： 梁庆瑞;宋建;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;王宗玉;宁秀秀;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片串联抛光装置，所述串联抛光装置包括：工作台以及通过所述工作台依次串联连接的第i抛光机构，所述第i抛光机构包括第i抛光组件、第i供液组件、第i导向组件，其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。本发明串联抛光装置采用全单片单面抛光，大幅度提升衬底的厚度均匀性，实现对单片晶片的精确控制。
一种激光剥离碳化硅薄片串联抛光装置

[发明专利]一种8英寸以上碳化硅衬底-CN202211724336.3在审
发明人： 梁庆瑞;李霞;宋生;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;宋建;周敏;薛传艺;张长银;赵建国;滕永懂 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种8英寸以上碳化硅衬底，涉及晶体材料领域。所述碳化硅衬底具有不高于50的相对应力。本发明8英寸以上碳化硅衬底解决现有碳化硅衬底的加工应力大、翘曲度和弯曲度超标、表面金属离子浓度过高以及亲水效果差等问题。
一种英寸以上碳化硅衬底

[发明专利]一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法-CN202211724333.X在审
发明人： 梁庆瑞;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;赵树春;李霞;周敏;宋建;高立志;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法，属于碳化硅切割技术领域。所述加工方法包括S01、检测碳化硅晶锭的(0001)晶面，得到晶面位置信息；S02、计算所述晶面位置信息与第一平面之间的夹角值，判断所述夹角值是否满足预设夹角值的要求；S03a、如满足，则启动第一激光束扫描碳化硅晶锭，以形成含有多个裂纹且沿所述第一平面延展的待剥离面；S03b、如不满足，则调节碳化硅晶锭的角度和/或第一方向的角度，并返回S02步骤，直至夹角值满足预设夹角值的要求；S04、对所述待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。本发明提供的基于激光致裂的碳化硅剥离片的加工方法，能够降低碳化硅剥离片的应力和材料损耗，提高碳化硅剥离片的品质。
一种基于激光碳化硅剥离加工方法

[发明专利]激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺-CN202211724363.0在审
发明人： 梁庆瑞;刘家朋;王含冠;王瑞;马立兴;宋生;宁秀秀;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，所述串联抛光工艺包括以下步骤：将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光液的pH比第i+1次小；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到。解决抛光片表面粗糙度高且均匀性差、划痕残留、加工效率低等问题。
激光剥离碳化硅薄片串联抛光工艺

[发明专利]一种激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统-CN202211724362.6在审
发明人： 梁庆瑞;宋生;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;高宇晗;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统，所述系统包括：激光剥离装置，具有激光扫描单元和外力施加单元；减薄装置，具有能够对所述剥离片的至少一部分进行减薄从而得到减薄片的磨制机构；抛光装置，具有能够对所述减薄片进行抛光从而得到抛光片的抛光构件；清洗装置，具有能够对所述抛光片进行清洗从而得到大尺寸碳化硅衬底的清洗机构，其中，所述大尺寸碳化硅衬底为不小于8英寸的碳化硅衬底。本发明的激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统可以解决衬底应力大，SFQR值大，外延前后面型变化大，表面金属沾污问题。
一种激光剥离制备英寸以上碳化硅衬底系统

[发明专利]一种8英寸以上碳化硅衬底低应力加工方法-CN202211724348.6在审
发明人： 梁庆瑞;王含冠;王瑞;马立兴;刘家朋;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种8英寸以上碳化硅衬底低应力加工方法，所述加工方法包括以下步骤：检测碳化硅晶锭的(0001)晶面，得到晶面位置信息；然后计算所述晶面位置信息与第一平面之间的夹角值，判断所述夹角值是否满足预设夹角值的要求，其中，所述第一平面与第一激光束所在的第一方向始终保持垂直；对待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。再对剥离片依次进行减薄、抛光、清洗，得到8英寸以上碳化硅衬底，其中，所述8英寸以上碳化硅衬底为不小于8英寸的碳化硅衬底。本发明的加工方法可以解决衬底加工应力大，外延前后面型(bow和Sori)变化大，表面金属沾污问题。
一种英寸以上碳化硅衬底应力加工方法

[发明专利]一种高质量碳化硅衬底及其制备方法-CN202110546515.1有效
发明人：张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量碳化硅衬底及其制备方法，该碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm。本申请的碳化硅衬底，平整度指标warp和bow均控制在20μm以内，所述碳化硅衬底的电阻率分布均匀，所述高质量碳化硅衬底具有较好的面型参数和电阻率分布均匀性；该制备方法在退火处理中，通过碳化硅晶体的上下表面覆盖第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板散热，降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的温度，从而降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力，从而减少了碳化硅晶体籽晶面和生长面表面与中心区域应力的差值，改善了碳化硅晶体的面型质量。
一种质量碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶体、籽晶及衬底-CN202211366501.2在审
发明人：李加林;舒天宇;宋生;梁庆瑞;宗艳民;刘耀华;姜岩鹏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体，属于半导体材料领域。该碳化硅晶体具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，第一主表面和/或第二主表面具有形核形貌，形核形貌具有形核中心点，碳化硅晶体的中轴线贯穿第一主表面和第二主表面，中轴线与第一主表面和/或第二主表面的交点为晶体中心点；形核中心点至晶体中心点的距离小于碳化硅晶体直径的1/4。该碳化硅晶体的形核中心点与晶体中心点的距离小于碳化硅晶体直径的1/4，两个中心点的距离较小，形核质量高，缺陷密度低。
一种碳化硅晶体籽晶衬底

[发明专利]一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用-CN202011003137.4有效
发明人：张九阳;梁庆瑞;李硕;李霞;杨晓俐;王永方;高超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用。该方法包括将待测碳化硅晶片进行抛光处理，得到第一碳化硅晶片，其表面粗糙度Rq≤0.8nm，使用热碱液腐蚀所述第一碳化硅晶片的表面，得到表面显现出位错腐蚀坑的第二碳化硅晶片，对所述第二碳化硅晶片进行光学显微观测，识别所述位错。现有技术通常在热碱腐蚀前进行研磨、机械抛光、化学机械抛光等工艺，本申请发现只需使表面粗糙度降低至一定阈值，即可去除光学显微观测位错时存在的水滴状干扰，不需要将表面粗糙度降得过低，如在机械抛光阶段进行工艺优化，可以省去最终化学机械抛光加工工艺。本申请方法具有操作简便，不需要复杂的试剂、效率高、成本低等优点。
一种碳化硅晶片识别方法应用

[实用新型]一种晶体抛光装置-CN202121081301.3有效
发明人：张九阳;王瑞;薛港生;王含冠;李硕;李霞;宁秀秀;高超;梁庆瑞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体抛光装置，该装置包括转动盘、第一抛光盘和第二抛光盘，所述第一抛光盘位于所述转动盘的下方，所述第一抛光盘设置有用于放置第一晶体的第一放置孔，所述转动盘能够接触所述第一晶体的表面，且转动盘与第一抛光盘能够相对转动；所述第二抛光盘位于所述第一抛光盘的下方，所述第二抛光盘设置有用于放置第二晶体的第二放置孔，所述第一抛光盘能够接触所述第二晶体的表面，且第一抛光盘与第二抛光盘能够相对转动。该抛光装置通过设置转动盘、第一抛光盘和第二抛光盘，且通过第一抛光盘的抛光液可进入第二抛光盘，提高了单位时间内处理晶体的数量，且使得抛光液可重复利用，从而提高了晶体抛光处理的效率。
一种晶体抛光装置

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