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[发明专利]一种通过光刻技术制备硒化铟光电探测器的方法-CN202110387852.0在审
发明人：宋爱民;梁广大;王一鸣 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过光刻技术制备硒化铟光电探测器的方法，由上至下依次包括硅衬底、氧化铝、硒化铟、氧化铝、源电极和漏电极。本发明可以比较简单的制备高性能、高稳定的硒化铟光电探测器，硒化铟场效应迁移率高达875cm2/Vs，其响应度高达2.4×107A/W，比探测率为7.5×1012Jones。由于氧化铝的保护，器件在大气环境中可以稳定工作超过50天。通过适当的ICP刻蚀，可以有效降低接触电阻，从而提高器件的迁移率。氧化铝作为一种常见的封装材料，可以将本方法应用于其他的半导体材料中。
一种通过光刻技术制备硒化铟光电探测器方法

[发明专利]一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法-CN201910903472.0有效
发明人：王一鸣;宋爱民;梁广大;辛倩 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法，半导体薄膜场效应管由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铪薄膜、氧化铝薄膜、源极及漏极。本发明在不稳定的二维材料沉积氧化铪薄膜，在氧化铪薄膜上沉积氧化铝薄膜，氧化铝薄膜在后期的微纳加工工艺中将起到包覆半导体材料，隔绝空气与工艺溶剂的作用。并且在器件制备完毕后，器件沟道上的氧化铝薄膜作为缓冲层将进一步保护材料的性质，从而使得器件性能可以长时间稳定。氧化铝薄膜质量高，禁带宽度大，光透过谱范围较大，适合光电器件的制作。
一种不稳定二维材料半导体薄膜场效应制备方法

[发明专利]一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管及其制备方法-CN201910903609.2有效
发明人：王一鸣;宋爱民;梁广大;辛倩 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管及其制备方法，由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铝薄膜、源极及漏极。本发明可以用较为简便的方法获得空气及溶剂中不稳定的二维材料，可以用微纳加工技术获得小尺寸的电子器件。同时，场效应迁移率可达到硬掩膜版法工艺的水平，且产量更高。对于InSe薄膜，最高场效应迁移率超过550cm2/Vs。器件沟道同时得到封装缓冲层的保护，在长达60天的空气环境中性能不下降。氧化铝封装缓冲层稳定且透明，可运用于进一步的光电微纳器件的制作。电滞后现象小(＜1V)。
一种不稳定二维材料半导体薄膜场效应及其制备方法

[发明专利]一种高频半导体薄膜场效应管及其制备方法-CN201810713580.7在审
发明人：王一鸣;梁广大;宋爱民;辛倩 -专利权人：山东大学苏州研究院;山东大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的高频半导体薄膜场效应管，包括衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极和栅极，栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层。本发明的薄膜场效应管的制备方法包括：a).制备半导体层；b).制备栅介质层；c).沉积阻隔层；d).制备铝薄膜；e).定义器件范围；f).旋涂光刻胶；g).刻蚀沟道；h).刻蚀氧化铝薄膜；i).制备源、漏电极；j).剥离处理。本发明的高频半导体薄膜场效应管及制备方法，使用线宽极限为2～3微米的紫外光刻方法，可获得亚微米尺寸长度的沟道，极大降低了制作成本，源、漏极与栅极之间的间隔极窄，没有寄生电容，有效提高了半导体薄膜场效应管的高频截止频率。
制备薄膜场效应栅介质层高频半导体半导体层阻隔层漏极高频截止频率半导体薄膜氧化铝薄膜剥离处理场效应管定义器件寄生电容刻蚀沟道紫外光刻光刻胶刻蚀液漏电极铝薄膜沉积衬底沟道刻蚀线宽旋涂源极腐蚀制作

[实用新型]一种高频半导体薄膜场效应管-CN201821042302.5有效
发明人：王一鸣;梁广大;宋爱民;辛倩 -专利权人：山东大学苏州研究院;山东大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型的高频半导体薄膜场效应管，包括衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极和栅极，栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层。本实用新型的高频半导体薄膜场效应管，由衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极、栅极和组隔层组成，通过在Al₂O₃栅介质层与栅极之间设置氧化铪HfO₂组隔层，氧化铪薄膜可以在铝薄膜刻蚀完后有效阻隔刻蚀液对氧化铝的侵蚀，使得下一步气体干刻氧化铝的速度控制更准确，避免了干刻过程中对半导体层的过刻，保证了所获取的高频半导体薄膜场效应管的性能。
薄膜场效应高频半导体半导体层栅介质层本实用新型刻蚀液氧化铝衬底隔层漏极源极氧化铪薄膜速度控制铝薄膜氧化铪阻隔层刻蚀阻隔腐蚀侵蚀保证

[实用新型]一种自动嵌紧器-CN200720111894.7有效
发明人： 梁广大 -专利权人：宁波欧特洁卫生洁具有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： F16B39/28 文献下载
摘要：一种自动嵌紧器，包括有：一具有轴向通孔的圆柱状旋杆，在该旋杆上制有外螺纹；一旋帽，螺纹连接在旋杆上；至少两弹性片，各弹性片的一端固定于旋帽外端面上，各弹性片的另一自由端则分别向旋帽中心侧倾斜地延伸，且外露于旋杆端部之外，以相互汇聚形成一口径，并在各弹性片自然状态下，该口径小于旋杆的通孔内径。采用上述结构后，在定位紧固件时，无需螺母，也无须手动旋转操作，只要直接将紧固件插入到旋杆的轴向通孔中，利用各弹性片的自由端紧抵在紧固件的螺纹槽中即可；而拆装时，只需抠下开口卡环，转动旋帽，旋杆端部将弹性片的自由端撑开，使各弹性片的自由端形成的口径变大，就自动解除夹紧状态；因而安装拆装都非常方便、快捷、轻松。
一种自动嵌紧器

[实用新型]型材连接件-CN200720111716.4有效
发明人： 梁广大 -专利权人：宁波欧特洁卫生洁具有限公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： E04B1/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种型材连接件，其位于侧面带有限位槽的第一型材和具有内腔的第二型材端面之间，其特征在于：该连接件包括有本体，在该本体的一端面上设有嵌入上述第一型材限位槽内的凸条，而在该本体的另一端面上则具有伸入上述第二型材内腔中的凸块。与现有技术相比，由于本实用新型可利用两端面上的凸条和凸块，分别插入到对应的型材限位槽、内腔中，从而方便、快速地实现装配，并提高了作业效率。同时借助于本体另一端面外侧边沿上延伸出可覆盖住第二型材对应端面边沿的凸缘，可消除第二型材因加工、装配误差所带来的表面质量缺陷，使装配后的型材之间更加符合框架的外形要求。
连接

[实用新型]可快速安装的型材连接件-CN200720111895.1有效
发明人： 梁广大 -专利权人：宁波欧特洁卫生洁具有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： F16S3/04 文献下载
摘要：一种可快速安装的型材连接件，位于第一型材和第二型材之间，该连接件包括有第一本体和第二本体，第一本体和第二本体分别固定在上述第一型材、第二型材上，且第一本体、第二本体的对应面之间插配连接成一体。采用上述结构后，可事先将第一、第二本体分别固定在各自的型材上，而在现场组装时，只要通过简单的插配动作，使两型材组成所需的结构，从而大大地加快了装配速度，使得作业效率高，连普通消费者都能方便实施，因而更受人们的喜爱。同时在两本体之间增设的销轴，使两本体之间的插配连接更加可靠、牢固；再者，借助于第二本体上的内、外凸缘，可消除第二型材因加工、装配误差所带来的表面质量缺陷，使装配后的型材之间更加符合框架的外形要求。
快速安装连接

[实用新型]一组可相对转动的立柱-CN200720105774.6无效
发明人： 梁广大 -专利权人：宁波欧特洁卫生洁具有限公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： E04B1/58 文献下载
摘要：一组可相对转动的立柱，其由型材结构的固定立柱和转动立柱组成，在固定立柱的一侧面上延伸出同心分布的固定轴和位于固定轴外围的定位弧面，且固定轴与定位弧面之间通过连接部互连成一体，转动立柱的对应侧面上设有一凹部而形成与定位弧面相匹配的第一导向弧面，同时在该转动立柱的侧面上还外伸出贴合在固定轴之外的第二导向弧面，该第二导向弧面与第一导向弧面之间形成一通道口。采用上述结构后，两者的接触面积大，接触刚性好，可使旋转运动更加平稳、可靠。同时利用通道口的宽度大于固定轴的直径，使得装配时，只要径向移动第二导向弧面，使其贴合在固定轴上，即可方便、快速地完成组装作业。
一组相对转动立柱

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