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[发明专利]基于不平衡电路的单元内开路缺陷测试电路及其测试方法-CN202310887089.7在审
发明人： 梁华国;胡杰文;王斯禹;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于不平衡电路的单元内开路缺陷测缺陷测试电路及其测试方法，该电路包括：RO环，其与待测电路的输入端相连接，用于提供测试信号；对待测电路进行分析并进行配置；不平衡电路由并联的两条电路支路组成，其中一条电路支路包括高阈值电平反相器，另一电路支路包括低阈值电平反相器；脉冲检测电路，由普通反相器和施密特触发器反相器并联组成，都连接到异或门的另一个输入端，分别与高阈值电平反相器和低阈值电平反相器的输出端相连接，分别产生不同的响应；脉冲下降沿检测电路，对脉冲下降沿进行检测并计数，确定单元内是否存在开路缺陷。本发明能够有效地识别难以检测出的弱阻性开路缺陷，从而能提高测试精度和效率。
基于不平衡电路单元开路缺陷测试及其方法

[发明专利]一种低测试逃逸的晶圆适应性测试方法-CN202310774242.5在审
发明人： 梁华国;曲金星;潘宇琦;汤宇新;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种低测试逃逸的晶圆适应性测试方法，包括：1、数据预处理；2、利用历史晶圆测试数据得到有效测试集；3、使用有效测试集对待测晶圆进行测试；4、对历史晶圆和待测晶圆分别进行局部参数波动分析；5、对于有局部参数波动的历史晶粒采用局部参数转换并训练空间波动质量预测模型；6、对于无局部参数历史晶粒使用原参数值训练特征参数质量预测模型；7、将待测晶圆中有无局部参数波动的晶粒分别使用模型进行质量预测。本发明能降低晶圆测试成本，同时保持较低的测试逃逸率。
一种测试逃逸适应性方法

[发明专利]碎石进料一体装置-CN201910995153.7有效
发明人： 梁华国;胡太国 -专利权人：重庆贝亨源节能建材有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B02C4/02 文献下载
摘要：本发明公开了碎石进料一体装置，包括:支撑架，所述支撑架上安装有粉碎结构、筛选结构、搬运结构以及废料循环结构；所述粉碎结构主要包括：粉碎箱、一对结构相同的粉碎轴、两对结构相同的粉碎轴承以及一对结构相同的粉碎驱动机。本发明的有益效果是通过粉碎结构将石料进行粉碎，通过筛选结构对粉碎后的石料进行筛选，过大的石料通过筛选结构传送到废料循环结构内，合格的石料通过筛选结构传送到搬运结构内，废料循环结构内的石料重新导入粉碎结构内，重新粉碎，避免了石料过大的现象出现，结构简单，实用性强。
碎石进料一体装置

[发明专利]基于PCIe总线的可动态重配置的高速桌面共享系统-CN202310570457.5在审
发明人： 梁华国;刘新颖;谢锦浩;鲁迎春;黄正峰;易茂祥 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F9/451 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PCIe总线的可动态重配置的高速桌面共享系统，包括：PCIe上位机测试子系统、PCIe下位机FPGA子系统；PCIe上位机测试子系统包括测试配置模块、单次获取模块、连续获取模块；PCIe下位机FPGA子系统包括PCIe图像模块、图像处理同步FIFO、存储器控制初始化模块、写存储异步FIFO、读存储异步FIFO1、读存储异步FIFO2、存储器控制用户端模块、图像显示异步FIFO、显示驱动模块、动态时钟输出模块。本发明通过PCIe总线以及动态重配置的方法，使得桌面共享系统变得更高速实时稳定。
基于 pcie 总线动态配置高速桌面共享系统

[发明专利]基于双预测器协同决策的晶圆级适应性测试方法-CN202310564186.2在审
发明人： 梁华国;潘宇琦;李俊明;汤宇新;曲金星;易茂祥;黄正峰;鲁迎春 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双预测器协同决策的晶圆级适应性测试方法，包括：1、数据预处理；2、利用RFECV算法对测试项进行筛选；3、利用随机森林算法建立基于测试项的质量预测器；4、根据BNR将晶粒划分为不同等级，建立基于空间信息的质量预测器；5、根据两种预测结果利用DBSCAN聚类算法对晶粒进行聚类，将不同类别的晶粒划分质量等级，根据晶粒不同等级类别的分布结果，逐次确定各个类别晶粒的质量。本发明能在降低晶圆的测试成本的同时，将测试逃逸和产量损失控制在极低的水平，保证较好的测试质量。
基于预测协同决策晶圆级适应性测试方法

[发明专利]一种高精度时间-数字转换器及其转换方法-CN202210825723.X有效
发明人： 梁华国;肖远;胡杰文;汪玉传;鲁迎春;黄正峰;易茂祥 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G04F10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度时间‑数字转换器及其转换方法，该转换器包括：采样保持电路、精细测量电路和校准电路，其中，采样保持电路对待测门信号TEST_SIGNAL的状态进行采集，并在环形结构RO1中循环保持其转态；精细测量电路对待测门信号利用数据选择器MUXCY(q)_j的真实器件延时时间进行量化，并得到数据选择器MUXCY(q)_j的个数NUM；校准电路主要对精细测量电路中的量化值NUM进行校准，得到待测门信号校准后的最终测量值DATA_RAM0[NUM‑1]。本发明能保证降低时间‑数值转换器资源开销的同时进一步提高测量精度，从而能便于同时构建大规模、多通道并行检测的时间‑数字转换器。
一种高精度时间数字转换器及其转换方法

[发明专利]一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法-CN202310381472.5在审
发明人： 梁华国;汪月;鲁迎春;肖远;章宏;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，是用于表征纳米器件的自热效应，其步骤包括：1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真，输出I‑V特性曲线，并计算不同温度T下I‑V特性曲线所对应的FinFET器件参数gm；2、根据步骤1的结果建立温度T与输出跨导gm相对于环境温度27℃下的跨导变化量△gm、栅极电压VGS的关系模型；3、根据关系模型中的温度T得到FinFET纳米器件的自热效应温升值。本发明采用FinFET纳米器件自身特性参数输出跨导gm与温度T间关系进行自热效应的温升计算，能对FinFET器件的自热效应进行表征，从而解决先进工艺下纳米器件自热效应表征难问题。
一种 finfet 纳米器件热效应计算方法

[发明专利]一种基于自定时环的高精度低开销的两级差分TDC电路-CN202310415402.7在审
发明人： 梁华国;汪玉传;鲍善鑫;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自定时环的高精度低开销的两级差分TDC电路，整体结构分为粗测量部分和细测量部分；其中，所述粗测量部分由快速自定时环、慢速自定时环、快环计数器、慢环计数器、一个D触发器D1、边沿重合检测单元、锁存单元组成；所述细测量部分由两条结构相同、位置对称但延迟单元的延迟不同的延迟链组成。本发明能降低测量误差，从而能减少硬件资源开销，降低功耗，并且在保证高分辨率的前提下，能提高测量精度。
一种基于定时高精度开销级差 tdc 电路

[发明专利]一种地拉罗司药物组合物及其制备方法-CN202211082222.3有效
发明人： 梁华国;王硕;冯涛 -专利权人：上海奥科达医药科技股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A61K9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种地拉罗司药物组合物的制备方法，药物组合物包含地拉罗司纳米载体，纳米载体包括纳米多孔二氧化硅。纳米多孔二氧化硅载体包含地拉罗司、纳米多孔二氧化硅、乳糖、交联聚维酮，通过喷雾干燥得到地拉罗司混合物粉末，添加辅料制备地拉罗司药物组合物颗粒。本发明地拉罗司药物组合物能控制地拉罗司缓慢释放，延长药物作用时间，通过缓慢释放控制药物浓度能降低地拉罗司的毒副作用。本发明药物组合物省略了表面活性剂泊洛沙姆、助流剂二氧化硅、润滑剂硬脂酸镁，仍能达到市售的地拉罗司药物组合物相近的溶解程度，且粒径小、分散性好，达到条包装袋的工艺要求，便于加工。制备方法简单，能耗少，效率高，成本低。
种地司药组合及其制备方法

[发明专利]一种基于片上网络的深度神经网络加速器的传输方法-CN202310346394.5在审
发明人：欧阳一鸣;王佳新;孙成龙;王奇;梁华国 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F15/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于片上网络的深度神经网络加速器的传输方法，是应用于M×N个路由器、M×(N‑1)个处理单元PE、M个片内存储单元组成的规模为M×N的二维网格网络中；该路由器包括输入、输出端口、输入缓冲区、路由计算单元、数据包处理单元、数据旁路、可重构交叉开关、链路重配置单元、若干多路复用器和解复用器。本发明能有效的复制组播数据包，在不影响单播数据包传输的情况下，为组播数据包提供单周期的每跳传输，从而极大的减少了片上网络中传输的数据包数量，降低了数据包的传输时延，减少了神经网络的分类延时，大大的提高网络的性能。
一种基于网络深度神经网络加速器传输方法

[发明专利]基于FinFET器件的共源极放大器自热效应温升计算方法-CN202310381460.2在审
发明人： 梁华国;汪月;鲁迎春;肖远;章宏;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET器件的共源极放大器自热效应温升计算方法，其步骤包括：1、计算共源极放大器中FinFET器件输出跨导，并计算不同输入电压下有、无自热效应的跨导变化量；2、建立FinFET器件自热效应引起的温升与跨导变化量、输入电压的关系模型；3、计算有、无自热效应所对应的共源极放大器的输出电压与输入电压的比值变化量；4、建立比值变化量和输出跨导变化量、输入电压间的关系模型：5、根据两个关系模型，得到自热效应引起的温升和比值变化量的关系模型，并计算由自热效应引起的温升，从而对模拟电路共源极放大器的自热效应进行表征，以解决先进工艺下放大器电路自热效应表征难问题。
基于 finfet 器件共源极放大器热效应计算方法

[发明专利]基于邻域信息的晶圆细粒度适应性测试方法-CN202310285364.8在审
发明人： 梁华国;汤宇新;曲金星;潘宇琦;李俊明;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于邻域信息的晶圆细粒度适应性测试方法，包括：1、数据预处理；2、利用最大相关最小冗余算法得到测试项子集；3、利用梯度提升决策树算法建立基于空间相关性质量预测模型；4、建立测试项相关性的质量预测模型；5、通过空间相关性质量预测模型对晶圆进行空间验证；6、将晶圆分为有聚集性故障和无聚集性故障；7、计算分布有聚集性的待测故障晶粒的邻域率；8、对于分布有聚集性的待测故障晶圆，根据邻域率BNRn，将待测故障晶圆划分为不同的类型。本发明能在降低测试逃逸和测试成本之间取得良好的折衷方案，从而能在保证测试质量的同时，降低晶圆的测试成本。
基于邻域信息细粒度适应性测试方法

[发明专利]一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件-CN201710175415.6有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲制备方法半导体器件

[发明专利]上皮性卵巢癌紫杉醇耐药分子标志物及其应用-CN202211475289.3在审
发明人：张咏莉;杨蕊惠;魏鹏;梁华国;陈泽鑫 -专利权人：广东药科大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G16B20/30 文献下载
摘要：本发明公开了上皮性卵巢癌紫杉醇耐药分子标志物及其应用。先筛选到了488个在A2780细胞和A2780‑Taxol细胞中差异表达的基因，然后发现其中26个差异基因与卵巢癌的紫杉醇用药患者的总生存期密切相关。经由KEGG和GO富集分析，筛选得到了3个紫杉醇耐药相关基因。3个紫杉醇耐药相关基因在A2780细胞和A2780‑Taxol细胞呈现出了显著的差异表达情况。特别是UNC5C基因，在A2780细胞和A2780‑Taxol细胞中具有显著性表达下降。这意味着UNC5C有望为临床卵巢癌的紫杉醇耐药诊断和治疗提供有意义的生物学指标，成为卵巢癌紫杉醇耐药患者的下调性分子治疗靶点，患者生存预后的标志物。
上皮卵巢癌紫杉醇耐药分子标志及其应用

[发明专利]一种基于随机森林模型的集成电路X值灵敏度预测方法-CN201910809767.1有效
发明人： 梁华国;应健锋;陈鑫;蒋翠云;李丹青;左小寒;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于随机森林模型的集成电路X值灵敏度预测方法，其步骤包括：1对电路原始网表进行综合生成电路门级网表；2通过电路门级网表计算每个逻辑门的等级和深度；3根据每个输入端口为X值时的不同拓扑结构对电路进行区域划分；4根据不同区域的重要性提取电路在不同输入端口为X值时的结构特征；5通过ATPG工具计算不同输入端口为X值时的测试覆盖率损失，并结合提取的结构特征形成样本数据集合；6通过随机森林模型对样本数据集合进行训练和预测。本发明能快速准确地预测电路中不同输入端口为X值时造成的测试覆盖率损失从而达到降低电路设计防护X值模块时的硬件开销，提升电路测试质量的目的。
一种基于随机森林模型集成电路灵敏度预测方法

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