专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种可智能学习的情绪智能分析管理系统及方法-CN202310766845.0在审
  • 崔丰麒;董腾腾;孙晓;鲁迎春 - 合肥工业大学
  • 2023-06-27 - 2023-10-24 - G06F3/01
  • 本发明公开了计算机软件技术领域的一种可智能学习的情绪智能分析管理系统及方法,包括有智能穿戴设备、移动终端和后台服务器,所述智能穿戴设备与所述移动终端数据交互,其中存储模块可以预先存储佩戴者处在稳定情绪时的体温、心率和血压数据,体温监测传感器、心率监测传感器和血压监测传感器测得的佩戴者的体温、心率和血压数据,若当前数据与存储模块中预存的数据不对应时该情绪异常状态结果通过结果发布模块发送至控制器,控制器控制加热单元开始加热释放气体,控制器将情绪异常状态结果发送至移动终端,方便移动终端的人了解佩戴者的情绪变化,若当前数据与存储模块中预存的数据对应,则可以获得佩戴者当前处于稳定情绪状态。
  • 一种智能学习情绪分析管理系统方法
  • [发明专利]一种高能效DNN加速器设计方法-CN202310824831.X在审
  • 鲁迎春;崔丰麒;王琦;刘洋;查文峰 - 合肥工业大学
  • 2023-07-06 - 2023-10-13 - G06N3/063
  • 高能效DNN加速器架构内部包含PE阵列集群(PECluster),其内部包含可重构PE阵列,有限状态控制器(Finite‑stateControllers),全局缓存器集群(GlobalBufferCluster),路径集群(RoutingCluster),输出缓存模块(Output Buffer),后处理模块(PostProcess)。全局状态缓存器集群通过AXI4总线与片外DDR进行数据传输。输入激活矩阵和权重矩阵通过DMA总线以burst模式传入片上缓存中,有限状态控制器模块包括加速器的主控制器以及网络层控制器,控制卷积层/全连接层/池化层等的分类及计算,由主控制器将控制信息分发给网络层控制器。网络层控制器通过解析配置信息(ConfigurableInformation),对全局缓存器模块进行控制,全局缓存器模块由分发器模块,片上缓存模块,预处理模块组成,主要负责激活矩阵和输入激活矩阵的处理,处理完成后的权重信息为权重的权值,WSP值,PID值,而输入激活值信息为非零的输入激活值权值,非零激活值的PID值,CID值,路径集群由FIFO‑A阵列和FIFO‑B阵列组成,主要负责将处理完成以后的权值矩阵和输入激活值矩阵传递至对应的PE集群中的PE中,PE处理完成以后,通过后处理模块进行DNN模型中的非线性运算工作(如池化层计算),并将运算结果存储到输出缓存器阵列中,输入缓存器中的数据分批输出到片外存储器中。
  • 一种能效dnn加速器设计方法
  • [发明专利]基于不平衡电路的单元内开路缺陷测试电路及其测试方法-CN202310887089.7在审
  • 梁华国;胡杰文;王斯禹;鲁迎春;易茂祥;黄正峰 - 合肥工业大学
  • 2023-07-19 - 2023-10-13 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种基于不平衡电路的单元内开路缺陷测缺陷测试电路及其测试方法,该电路包括:RO环,其与待测电路的输入端相连接,用于提供测试信号;对待测电路进行分析并进行配置;不平衡电路由并联的两条电路支路组成,其中一条电路支路包括高阈值电平反相器,另一电路支路包括低阈值电平反相器;脉冲检测电路,由普通反相器和施密特触发器反相器并联组成,都连接到异或门的另一个输入端,分别与高阈值电平反相器和低阈值电平反相器的输出端相连接,分别产生不同的响应;脉冲下降沿检测电路,对脉冲下降沿进行检测并计数,确定单元内是否存在开路缺陷。本发明能够有效地识别难以检测出的弱阻性开路缺陷,从而能提高测试精度和效率。
  • 基于不平衡电路单元开路缺陷测试及其方法
  • [发明专利]一种面向强PUF的抗机器学习CRP混淆方法-CN202310356927.8在审
  • 鲁迎春;查文峰;杨世豪;谢锦浩;范苏敏;黄正峰;王北辰 - 合肥工业大学
  • 2023-04-06 - 2023-08-01 - G06F21/14
  • 本发明涉及CRP混淆技术领域,公开了一种面向强PUF的抗机器学习CRP混淆方法,包括一种面向强PUF的抗机器学习CRP混淆的系统,包括ROPUF电路、与ROPUF电路连接的ArbiterPUF电路和激励混淆模块,激励混淆模块连接有与ArbiterPUF电路连接的响应混淆模块;还包括一种面向强PUF的抗机器学习CRP混淆方法,包括以下步骤:S1:配置系统,将原始激励信号C输入到ROPUF电路,产生输出响应R1,对输出响应R1进行循环移位N次,得到N组不同的输出响应R1’。本发明能够能够有效抵御机器学习攻击,并且通过ArbiterPUF和混淆逻辑单元能够一定程度上降低激励、响应之间的相关性,使得机器学习攻击无法获得原始的激励响应对,最终攻击预测率大大降低,同时具有低硬件开销的特性。
  • 一种面向puf机器学习crp混淆方法
  • [发明专利]一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法-CN202310381472.5在审
  • 梁华国;汪月;鲁迎春;肖远;章宏;易茂祥;黄正峰 - 合肥工业大学
  • 2023-04-11 - 2023-07-14 - G06F30/30
  • 本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法,是用于表征纳米器件的自热效应,其步骤包括:1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真,输出I‑V特性曲线,并计算不同温度T下I‑V特性曲线所对应的FinFET器件参数gm;2、根据步骤1的结果建立温度T与输出跨导gm相对于环境温度27℃下的跨导变化量△gm、栅极电压VGS的关系模型;3、根据关系模型中的温度T得到FinFET纳米器件的自热效应温升值。本发明采用FinFET纳米器件自身特性参数输出跨导gm与温度T间关系进行自热效应的温升计算,能对FinFET器件的自热效应进行表征,从而解决先进工艺下纳米器件自热效应表征难问题。
  • 一种finfet纳米器件热效应计算方法
  • [发明专利]一种采用新型控制电路的压电能量收集系统-CN202110123676.X有效
  • 张章;唐泽晨;鲁迎春;程心;解光军 - 合肥工业大学
  • 2021-01-29 - 2022-11-22 - H02N2/18
  • 本发明公开了一种采用新型控制电路的压电能量收集系统,可以精准过零检测并根据工作状态自适应调节控制信号的脉冲宽度,涉及电源管理芯片技术领域,包括压电元件,SSHC模块,控制模块,采样模块,整流模块、负载;所述压电元件包括:等效电流源IP、等效电容CP;所述压电元件两端的电压记为VPT;所述SSHC模块包括:5个同步开关S1、S2、S3、S4、S5,以及一个翻转电容C1;所述控制模块包括:过零检测单元和脉冲信号生成模块;所述采样模块包括电阻R1和电阻R2;本发明采用新型的控制电路,控制信号的脉冲宽度可以根据电路的工作状态动态地调节并精确地过零检测,与传统的方法相比,更加智能化和精确,提高输出功率。
  • 一种采用新型控制电路压电能量收集系统

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