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[发明专利]具有低电流单元的3D非易失性存储器及方法-CN201480025600.1有效
发明人： R-A.瑟尼;Y-T.陈;G.萨马奇萨 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：3D非易失性存储器阵列具有在字线和位线之间的交叉点处访问的每个读/写元件。读/写元件形成具有包围氧化物核心的读/写材料的管状壳的结构。以矩形形式，该结构的一个外表面部分与字线接触并且另一外表面部分与位线接触。该壳的厚度而不是其与字线和位线接触的表面积确定导电截面并且因此确定电阻。通过调整壳的厚度，独立于其与字线或位线的接触面积，每个读/写元件可以以增加得多的电阻以及因此的将低得多的电流而操作。还描述了制造这样的存储器阵列的工艺。
具有电流单元非易失性存储器方法

[发明专利]具有3D阵列的非易失性存储器及其方法-CN201510415257.8有效
发明人： G.萨马奇萨;J.埃尔斯梅尔 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：跨过位于在半导体基板以上不同距离处的多层平面形成三维阵列读/写(R/W)存储器元件。优选地，以低电流和高电阻状态操作R/W元件。这些电阻状态的电阻还依赖于R/W元件的尺寸，并且由工艺技术预先确定。与R/W元件(430)串联的薄片(400)电极及其形成方法提供了用于调整R/W存储器元件(430)的电阻的另一自由度。调整薄片电极(400)的厚度以获得在从字线(470)到位线(440)的电路路径中的减小的截面接触。这允许R/W存储器元件(430)具有增加得多的电阻并因此以减小得多的电流操作。以单元尺寸很小的增加来形成薄片电极(400)。
具有阵列非易失性存储器及其方法

[发明专利]用于锂电池的大容量阳极的方法和装置-CN201480015289.2有效
发明人： P.卡马特;R.哈特纳;Y.吉尔博;K-J.赫西亚;S.兰加内森;X.梁 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：提供一种电化学锂电池单元的电极。该电极包括体材料，该体材料具有大致分散在整个该体材料中的多个空隙。该体材料是硅。还提供多个其它方面。
用于锂电池容量阳极方法装置

[发明专利]具有钝化的切换层的非易失性电阻式存储器元件-CN201280059555.2无效
发明人：查伦·陈;迪潘克尔·普拉马尼克 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司;株式会社东芝
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种非易失性电阻式存储器元件具有在沉积切换层期间或之后利用例如氮等非金属掺杂剂原子进行钝化的新型可变电阻层。在可变电阻层中非金属掺杂剂原子的存在使切换层能够通过较小的切换电流来进行操作同时维持改进的数据保持特性。
具有钝化切换非易失性电阻存储器元件

[发明专利]存储器单元与电阻切换层的合成-CN201280065802.X有效
发明人： T.张;T.J.明维埃勒;Y-T.陈 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提出存储器单元，其包括第一电极、第二电极和位于该第一和第二电极之间的指示第一电阻切换层，其中该电阻切换层包括非晶铪硅氮氧化物。制造所述存储器单元可以包括沉积铪硅氧化物膜，跟着对所述膜氮化以形成电阻切换层。
存储器单元电阻切换合成

[发明专利]包含金属氧化物电阻式存储器元件和反熔丝层的非易失性存储器单元-CN201280061039.3有效
发明人： K.侯;Y-T.陈;Z.兰;H.许 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元，包括第一电极、操纵元件、位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件、位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器、以及第二电极。
包含金属氧化物电阻存储器元件反熔丝层非易失性存储器单元

[发明专利]具有双层选择器件的三维非易失性存储器-CN201410021190.5有效
发明人：罗伊·E·朔伊尔莱因;劳尔-亚德里恩·塞尔内亚 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储系统，包括：存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到所述存储器胞元的字线；连接到所述存储器胞元的多个垂直定向位线；多个全局位线；连接到所述全局位线的第一组选择器件；连接到所述垂直定向位线和所述第一组选择器件的第二组选择器件，所述第一组选择器件在第一水平上，并且所述第二组选择器件在所述第一水平上方的第二水平上；以及连接到所述第一组选择器件和所述第二组选择器件的选择线。
具有双层选择器件三维非易失性存储器

[发明专利]具有不对称垂直选择器件的三维非易失性存储器-CN201410020388.1有效
发明人：罗伊·E·朔伊尔莱因 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储系统，包括：基板；被定为在基板上方并且不在基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到存储器胞元的字线；在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向位线，垂直定向位线连接到存储器胞元；多个全局位线；在基板上方并且不在基板中的多个不对称垂直定向选择器件，不对称垂直定向选择器件连接到垂直定向位线和全局位线，不对称垂直定向选择器件具有第一栅极接口和第二栅极接口；以及连接到选择器件的多个选择线，每个不对称垂直定向选择器件使选择线中的一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第一栅极接口，并且使选择线中的另一个连接到用于各个不对称垂直定向选择器件的第二栅极接口。
具有不对称垂直选择器件三维非易失性存储器

[发明专利]具有三个用于行选择的器件驱动器的三维非易失性存储器-CN201410020325.6有效
发明人：罗伊·E·朔伊尔莱因 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储系统，包括：以块为单位布置的存储器胞元的单片三维存储器阵列，所述存储器阵列包括块之间的间隙；连接到所述存储器胞元的多个字线；连接到所述存储器胞元的多个垂直定向位线；多个全局位线；在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向选择器件，所述多个垂直定向选择器件连接到所述垂直定向位线和所述全局位线，并且选择性地使所述垂直定向位线与所述全局位线通信；连接到所述垂直定向选择器件并且用于控制所述垂直定向选择器件的多个行选择线；以及连接到所述行选择线并且驱动所述行选择线的行选择线驱动器，每个行选择线驱动器包括分布在块之间的不同间隙中的多个部件。
具有三个用于选择器件驱动器三维非易失性存储器

[发明专利]具有双栅极垂直选择器件的三维非易失性存储器-CN201410021018.X有效
发明人：罗伊·E·朔伊尔莱因 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储系统，包括：基板；被定位在基板上方并且不在基板中的存储器胞元的单片三维存储器阵列；连接到存储器胞元的字线；在基板中并且与字线通信的多个字线驱动器；基板中的多个位线驱动器；连接到位线驱动器的多个全局位线；在基板上方并且不在基板中的多个垂直定向位线，垂直定向位线连接到存储器胞元；在基板上方、而不在基板中的多个垂直定向选择器件，垂直定向选择器件连接到垂直定向位线和全局位线；以及连接到选择器件的多个选择线，每个选择器件被定位在选择线中的两个之间，以使得能够由两个相邻选择线中的任意一个控制每个选择器件。
具有栅极垂直选择器件三维非易失性存储器

[发明专利]具有列流水线的三维存储器系统-CN201280011544.7有效
发明人：颜天鸿;戈皮纳特·巴拉克里希南;杰弗里·君·伊·李;茨-义·刘 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：按块布置非易失性存储元件的单片三维阵列。非易失性存储元件连接到位线和字线。每块的位线被分组为位线列。位线列包括连接到对应块的上侧的选择电路的位线上列和连接到对应块的下侧的选择电路的位线下列。在两个或更多个位线列之间的数据编程被流水线化，以提高编程速度。编程处理的一个实施例包括：将两个位线列选择性地连接到一组一个或更多个选择电路；使用所述一个或更多个选择电路将所述两个位线列中的一列选择性地连接到一个或更多个信号源；将当前连接到所述一个或更多个信号源的位线列的非易失性存储元件编程；并且在连接到该组一个或更多个选择电路的位线列中的一列正被编程同时，改变另一位线列。
具有流水线三维存储器系统

[发明专利]具有带有低电流结构的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法-CN201180060500.9有效
发明人： G.萨马奇萨;J.埃尔斯梅尔 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：跨过位于在半导体基板以上不同距离处的多层平面形成三维阵列读/写（R/W）存储器元件。优选地，以低电流和高电阻状态操作R/W元件。这些电阻状态的电阻还依赖于R/W元件的尺寸，并且由工艺技术预先确定。与R/W元件（430）串联的薄片（400）电极及其形成方法提供了用于调整R/W存储器元件（430）的电阻的另一自由度。调整薄片电极（400）的厚度以获得在从字线（470）到位线（440）的电路路径中的减小的截面接触。这允许R/W存储器元件（430）具有增加得多的电阻并因此以减小得多的电流操作。以单元尺寸很小的增加来形成薄片电极（400）。
具有带有电流结构元件阵列非易失性存储器及其方法

[发明专利]具有带有垂直位线和选择器件的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法-CN201180060453.8有效
发明人： G.萨马奇萨;J.埃尔斯梅尔 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：三维存储器被形成为跨过位于在半导体基板之上不同距离处的多层平面而形成的存储器元件的阵列。存储器元件响应于跨过其施加的电压差可逆地改变电导的水平。该三维阵列包括担当穿过多层平面的局部垂直位线的柱线的二维阵列，该阵列与每个平面上的字线的阵列一起用于访问存储器元件。在CMOS基板上方形成具有中间的柱选择层的三维存储器。利用多个柱选择器件形成柱选择层，该多个柱选择器件是在CMOS之外形成的垂直切换晶体管，并用于将所选行的柱线切换到基板上的相应金属线。
具有带有垂直选择器件元件阵列非易失性存储器及其方法

[发明专利]晶体管驱动的3D存储器-CN201180065151.X有效
发明人： A.米尼;G.萨马奇萨 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：非易失性存储器器件具有在第一方向上延伸的第一导体和在第一导体之上的半导体元件。该半导体元件包括场效应晶体管（JFET或者MOSFET）的源极、漏极和沟道。该非易失性存储器器件还包括在半导体元件之上的第二导体，该第二导体在第二方向上延伸。该非易失性存储器器件还包括在第一导体和半导体元件之间或者在第二导体和半导体元件之间布置的电阻率切换材料。JFET或MOSFET包括与沟道相邻的栅极，并且MOSFET栅极与第一导体自对准。
晶体管驱动存储器

[发明专利]具有采用双极存储元件的存储单元的多级存储器阵列及其形成方法-CN201180060113.5无效
发明人： Y-T.陈;A.米尼;R.E.舒尔莱恩;L.法索利 -专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提供一种存储器阵列，包括第一存储单元（200-1）和第二存储单元（200-2），其中第一存储单元（200-1）具有第一导线（202a）、形成在第一导线之上的第一双极存储元件（102-1）、以及形成在第一双极存储元件之上的第二导线（302）；第二存储单元（200-2）形成在第一存储单元之上并且具有形成在第二导线之上的第二双极存储元件（102-2）、以及形成在第二双极存储元件之上的第三导线（202b）。第一和第二存储单元共享第二导线（302）；第一双极存储元件（102-1）在第一存储单元内具有第一存储元件极性取向；第二双极存储元件（102-2）在第二存储单元内具有第二存储元件极性取向；并且第二存储元件极性取向与第一存储元件极性取向相反。
具有采用存储元件单元多级存储器阵列及其形成方法

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