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[发明专利]衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统-CN202310046730.4在审
发明人： 根来世;筱原健介;德山真裕 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统。衬底处理条件的设定方法包含：步骤(S24)，对基于学习用处理条件、及以学习用处理条件处理衬底(W)时的处理结果进行机械学习后的已学习模型(M)，输入多个处理条件，取得多个推定处理结果；步骤(S26)，使显示部(105)显示基于多个推定处理结果的图像；及步骤(S27及S28)，基于显示于显示部(105)的图像，将与多个推定处理结果中的1个推定处理结果对应的1个处理条件，设定为处理衬底(W)时的执行处理条件。
衬底处理条件设定方法系统

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201780026979.1有效
发明人：林昌之;远藤亨;河原启之;岩田敬次;根来世 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。
处理装置方法

[发明专利]药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置-CN201810994507.1有效
发明人：西出基;伊豆田崇;林孝俊;福井克洋;冈本浩一;藤田和宏;三浦淳靖;小林健司;根来世;辻川裕贵 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。
药液生成方法装置处理

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201811633335.1有效
发明人： 根来世;小林健司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后，基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步，将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201910079946.4有效
发明人： 根来世 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下，也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体，根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前，使不需要气体在处理液中减少，不需要气体是浓度调整气体以外的气体，在基板的处理中溶入处理液中。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202180053024.1在审
发明人： 根来世;小林健司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：通过将碱性的第1蚀刻液供应给基板，而对表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物施行蚀刻。在将第1蚀刻液供应给基板前或供应后，将碱性的第2蚀刻液供应给基板，而对蚀刻对象物施行蚀刻；该第2蚀刻液含有阻碍氢氧化物离子与蚀刻对象物接触的化合物，且对硅的(110)面、(100)面、及(111)面的蚀刻速度的最大值与最小值差比第1蚀刻液小，蚀刻速度的最大值比第1蚀刻液小。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202180052201.4在审
发明人： 根来世;小林健司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。通过在第一蚀刻液被供给至基板W之前或者在第一蚀刻液被供给至基板W之后将溶解了溶解气体且溶氧浓度比第一蚀刻液高的碱性的第二蚀刻液供给至基板W，对蚀刻对象物进行蚀刻。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201780082037.5有效
发明人：西村优大;小林健司;根来世 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理装置，包含：基板保持单元，用以将基板保持为水平姿势；处理液喷嘴，具有下部开口及内壁，且从所述下部开口吐出处理液，该下部开口与由所述基板保持单元保持的基板的上表面相向，该内壁划分出筒状空间，该筒状空间是上下方向的筒状空间且从所述下部开口相连至上方；液柱形成单元，将包含第一液柱部分及第二液柱部分的处理液的液柱形成于所述基板的上表面，该第一液柱部分用处理液来液密地充满于所述下部开口与所述基板的上表面之间，该第二液柱部分从所述第一液柱部分相连至上方，且由贮存于所述筒状空间的处理液构成；以及物理力赋予单元，对所述第二液柱部分赋予物理力。
处理装置方法

[发明专利]硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法-CN202110220598.5有效
发明人：清家吉贵;东野诚司;置盐真奈美;小林健司;根来世 -专利权人：株式会社德山;株式会社斯库林集团
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
蚀刻使用器件制造方法以及处理

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201910630061.9有效
发明人： 根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
处理方法以及装置

[发明专利]衬底处理装置-CN202210184146.0在审
发明人：泽岛隼;山口贵大;难波敏光;根来世 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能减少供气单元从处理外壳朝上方伸出的供气单元的突出长度的衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备处理外壳(22)与供气单元(30)。处理外壳(22)在处理外壳(22)的内部处理衬底(W)。供气单元(30)将气体供给到处理外壳(22)的内部。供气单元(30)具备过滤器(31)、导管(32)及风扇(41)。过滤器(31)配置在处理外壳(22)的上部。过滤器(31)将气体吹出到处理外壳(22)的内部。导管(32)设置在处理外壳(22)的外部。导管(32)连接到过滤器(31)。风扇(41)设置在处理外壳(22)的外部。风扇(41)连接到导管(32)。风扇(41)在俯视下配置在不与过滤器(31)重叠的位置。风扇(41)的至少一部分配置在与处理外壳(22)相同的高度位置。
衬底处理装置

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN202111570262.8在审
发明人： 根来世;折坂昌幸 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置具备：旋转夹盘，保持衬底；及流体喷嘴，与保持在所述旋转夹盘的衬底的主面对向配置。所述流体喷嘴包含：气体喷出口，从所述衬底的主面的中心侧朝周缘侧放射状喷出气体；及气体流路，对所述气体喷出口供给气体，且具有沿相对于所述衬底的主面交叉的方向的筒形状。所述气体流路具有：气体积存部，流路剖面积大于所述气体流路中的其它部位；及整流构造，在所述气体流路中设置在与所述气体积存部不同的部分，将所述气体流路内的气流整流。
衬底处理装置方法

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN202111056125.2在审
发明人：山口贵大;小林健司;泽岛隼;吉田武司;根来世;折坂昌幸 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(1)具备：筒状护罩(53A)，接住从衬底(W)向外侧飞溅的液体；腔室(12)，包围护罩(53A)；间隔板(81)，将腔室(12)内的护罩(53A)周围的空间上下隔开；以及排气管，将护罩(53A)内侧的气体与间隔板(81)下侧的气体吸引到在腔室(12)内配置在比间隔板(81)更靠下方的上游端内，并排出到腔室(12)的外部。间隔板(81)包含：外周端(81o)，从腔室(12)的内周面(12i)向内侧离开；以及内周端，包围护罩(53A)。护罩升降单元通过使护罩(53A)升降，而改变从间隔板(81)的内周端(内周面(83i))到护罩(53A)的最短距离。
衬底处理装置方法

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202080028876.0在审
发明人： 根来世;小林健司;奥谷学;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上，从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。
衬底处理方法装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202011545248.8在审
发明人：阿部博史;太田乔;石津岳明;小林健司;村元僚;根来世;奥谷学;酒井渉 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
处理方法以及装置

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