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- [发明专利]深紫外发光元件-CN201980026705.1在审
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柴田智彦;宫地岳广
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同和电子科技有限公司
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2019-04-18
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2020-11-27
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H01L33/08
- 提供一种考虑到被照射物体的显色性的深紫外发光元件。根据本发明的深紫外发光元件依次具有由III族氮化物半导体构成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述深紫外发光元件的发光光谱在200nm以上且350nm以下的波长区域具有一次发光峰波长，将设所述一次发光峰波长的发光强度为100％时的二次发光的发光强度作为相对发光强度，所述发光光谱进一步具有：在430～450nm的整个波长区域中具有0.03～10％的相对发光强度的蓝紫色的二次发光成分、和在540～580nm的整个波长区域中具有0.03～10％的相对发光强度的黄绿色的二次发光成分，波长435nm处的发光强度相对于波长560nm处的发光强度之比为0.5～2。
- 深紫发光元件
- [发明专利]车辆用空调装置-CN201580076727.0有效
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仲户宏治;中川信也;柴田智彦;小东宏次
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三菱重工制冷空调系统株式会社
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2015-08-19
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2020-03-13
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B60H1/32
- 本发明的车辆用空调装置具有：蒸发器(6)，其将被压缩的制冷剂汽化；膨胀阀，其使流入该蒸发器(6)前的所述制冷剂膨胀；制冷剂配管(26，27)，其将蒸发器(6)与膨胀阀彼此连接起来；以及单元外壳(3)，其收容蒸发器(6)、膨胀阀和制冷剂配管(26，27)，并且在单元外壳(3)内部收容制冷剂配管(26，27)的制冷剂配管收容室(31)与蒸发器(6)的收容区域和空气流路(4)隔离地划分而成。制冷剂配管(26，27)的外周面远离制冷剂配管收容室(31)的内壁面。另外，制冷剂配管收容室(31)的壁面的厚度(t1)大于单元外壳(3)的壁面的厚度(t2)。
- 车辆空调装置
- [发明专利]第III族氮化物外延基板及其制造方法-CN201280044074.4无效
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生田哲也;柴田智彦
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同和电子科技有限公司
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2012-07-11
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2014-05-07
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H01L21/338
- 本发明提供了第III族氮化物外延基板，其中使用基板抑制在器件形成步骤中产生裂纹；以及所述第III族氮化物外延基板的制造方法。本发明的第III族氮化物外延基板(10)的特征在于具有：Si基板(11)；与所述Si基板(11)接触的初始层(14)；和形成于所述初始层(14)上的超晶格层压体(15)，并且所述超晶格层压体(15)具有多组如下的层压体：每个层压体顺序地具有由Al组成比大于0.5且1以下的AlGaN构成的第一层(15A1(15B1))和由Al组成比大于0且0.5以下的AlGaN构成的第二层(15A2(15B2))。所述第III族氮化物外延基板的特征还在于，所述第二层的Al组成比朝远离所述基板的一侧逐渐降低。
- iii氮化物外延及其制造方法
- [发明专利]车辆用空调装置-CN201280008720.1有效
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原淳一郎;柴田智彦
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三菱重工汽车空调系统株式会社
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2012-07-02
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2013-10-23
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B60H1/00
- 本发明提供一种车辆用空调装置，将形成在加热器芯体的上表面与空气混合风挡的旋转轴之间的间隙设定成沿着轴向恒定的规定间隙，能够实现温度调整的容易化及温度控制性能的提高。在加热器芯体（13）的上方部位具备配置有旋转轴（12）的空气混合风挡（11）的车辆用空调装置中，在单元壳体（2）的左右两侧面（2A、2B）上设置仅对加热器芯体（13）的上部左右两肩部进行支承的加热器芯体支承部（24、25），由该加热器芯体支承部（24、25）对加热器芯体（13）的上表面（13C）侧进行支承，并且在空气混合风挡（11）上设有将形成在加热器芯体（13）的上表面（13C）与该空气混合风挡（11）的旋转轴（12）之间的间隙设定成沿着轴向恒定的间隙（S）的间隙调整部（30）。
- 车辆空调装置
- [发明专利]第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN201180047281.0有效
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丰田达宪;柴田智彦
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同和电子科技有限公司
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2011-09-30
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2013-06-05
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H01L33/38
- 提供：一种第III族氮化物半导体发光器件，所述第III族氮化物半导体发光器件可同时充分实现在电极和半导体层之间的良好欧姆接触和反射电极层的功能性质，并在不显著升高正向电压的情况下可改善发光效率；以及制造所述第III族氮化物半导体发光器件的方法。本发明的所述该第III族氮化物半导体发光器件(100)含有：由n型半导体层(103)、发光层(104)和p型半导体层(105)构成的第III族氮化物半导体层压体(106)；n侧电极(112)；和p侧电极(113)。所述第III族氮化物半导体发光器件(100)的特征在于：在所述第III族氮化物半导体层压体(106)的第二表面(108)上设置由反射电极部(109)和包括AlxGa1-xN(0≤x≤0.05)的接触部(110)构成的复合层(111)，其中所述第二表面(108)与所述第III族氮化物半导体层压体(106)的光提取侧的第一表面(107)相对。
- iii氮化物半导体发光器件及其制造方法
- [发明专利]第III族氮化物外延层压基板-CN201080060505.7有效
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生田哲也;清水成;柴田智彦
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同和电子科技有限公司
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2010-11-04
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2012-10-03
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H01L21/338
- 公开一种外延层压的第III族氮化物基板，其中可改进第III族氮化物半导体的结晶性而不增加基板翘曲量。具体公开一种包括以下的外延层压的第III族氮化物基板：基板、在基板上形成的缓冲层和通过在缓冲层上外延生长第III族氮化物层而在缓冲层上形成的主层压体。所述基板特征在于：缓冲层包括与基板接触的初始膜生长层、在初始膜生长层上形成的第一超晶格层压体和在第一超晶格层压体上形成的第二超晶格层压体，所述第一超晶格层压体通过以交替方式层压5-20层包括AlN材料的第一AlN层和相同数量的包括GaN材料的第二GaN层来生产，一对所述第一AlN层和所述第二GaN层具有小于44nm的厚度，所述第二超晶格层压体通过以交替方式层压多组包括AlN材料或AlGaN材料的第一层和具有与第一层带隙不同带隙的包括AlGaN材料的第二层来生产。
- iii氮化物外延层压
- [发明专利]电子器件用外延衬底及其制造方法-CN201080031291.0有效
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生田哲也;清水成;柴田智彦;坂本陵;伊藤统夫
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同和电子科技有限公司
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2010-05-10
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2012-05-16
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H01L21/338
- 一种电子器件用外延衬底及其制造方法，可以改善导电性SiC单晶衬底上的III族氮化物电子器件的纵方向耐电压。该电子器件用外延衬底包括：导电性SiC单晶衬底；形成在SiC单晶衬底上并用作绝缘层的缓冲层；以及通过在缓冲层上外延生长多个III族氮化物层所形成的主层叠体，其中，横方向是电流流动方向。该外延衬底的特征在于：缓冲层包括与SiC单晶衬底相接触的初始生长层、以及形成在初始生长层上并具有超晶格多层结构的超晶格层叠体，初始生长层由Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≤a1≤1、0＜b1≤1、0≤c1≤1、0≤d1≤1、a1+b1+c1+d1＝1)材料制成，超晶格层叠体是通过使由Ba2Alb2Gac2Ind2N(0≤a2≤1、0≤b2≤1、0≤c2≤1、0≤d2≤1、a2+b2+c2+d2＝1)材料制成的第一层和带隙与第一层的带隙不同并由Ba3Alb3Gac3Ind3N(0≤a3≤1、0≤b3≤1、0≤c3≤1、0≤d3≤1、a3+b3+c3+d3＝1)材料制成的第二层交替层叠而成；以及超晶格层叠体和主层叠体的位于缓冲层侧的部分至少之一的C浓度为1×1018/cm3以上。
- 电子器件外延衬底及其制造方法
- [发明专利]电子器件用外延基板及其生产方法-CN200980156805.2有效
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生田哲也;清水成;柴田智彦
-
同和电子科技有限公司
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2009-12-14
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2012-01-11
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H01L21/338
- 提供一种电子器件用外延基板，其同时具有良好的减少的横向漏电流和横向耐压特性，并且其可改进纵向耐压。外延基板设置有Si单晶基板、作为绝缘层形成于所述Si单晶基板上的缓冲层和通过在所述缓冲层上外延生长多个III族氮化物层形成的主层压体，并且使用横向作为电流传导方向。所述缓冲层至少包括接触所述Si单晶基板的初期生长层和在所述初期生长层上具有超晶格结构的超晶格层压体。所述初期生长层由AlN材料制成。所述超晶格层压体通过将包括Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≤a1≤1，0≤b1≤1，0≤c1≤1，0≤d1≤1，a1+b1+c1+d1＝1)材料的第一层与包括具有不同于所述第一层的带隙的Ba2Alb2Gac2Ind2N(0≤a2≤1，0≤b2≤1，0≤c2≤1，0≤d2≤1，a2+b2+c2+d2＝1)材料的第二层交替层压形成。所述超晶格层压体和所述主层压体在缓冲层侧的部分的特征在于二者具有1×1018/cm3以上的C浓度。
- 电子器件外延及其生产方法
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