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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211616740.9在审
发明人：赵南奎;金锡勋;柳廷昊;李峭蒑;朴判贵;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括上部圆顶的半导体工艺室-CN201810567895.5有效
发明人：朴金锡;金傔;金利桓;金善政;朴判贵;柳廷昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。
包括上部圆顶半导体工艺

[发明专利]红色感光性树脂组合物及包含其的滤色器-CN202010231419.3有效
发明人：裵辰哲;柳廷昊 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供红色感光性树脂组合物及包含其的滤色器，上述红色感光性树脂组合物包含红色着色剂、碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂和溶剂，通过包含特定组成比的特定红色颜料和肟系光聚合引发剂，从而在形成滤色器时能够表现出优异的颜色再现性，能够提供耐化学性和正锥形形成优异的效果。
红色感光性树脂组合包含滤色器

[发明专利]半导体装置-CN202210628825.2在审
发明人：金奇奂;柳廷昊;李峭蒑;全勇昱;曺荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。
半导体装置

[发明专利]感光性树脂组合物、利用该感光性树脂组合物制造的滤色器和包含该滤色器的显示装置-CN202210175670.1在审
发明人： 柳廷昊;裵辰哲;梁炳道 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供感光性树脂组合物、利用该感光性树脂组合物制造的滤色器和包含该滤色器的显示装置，上述感光性树脂组合物包含光聚合引发剂，在350～390nm波长中，由曝光机的归一化的发射光谱定义的区域(A)、由光聚合引发剂的吸收光谱定义的区域(P)以及由上述区域(A)与区域(P)的重叠区域定义的区域(B)中的区域(B)与区域(A)的面积比为0.4以上。根据本发明的感光性树脂组合物，与以往感光性树脂组合物相比，能够进一步提高开口(Hole)特性。
感光性树脂组合利用制造滤色器包含显示装置

[发明专利]着色感光性树脂组合物、滤色器及图像显示装置-CN201811466045.2有效
发明人： 柳廷昊;裵辰哲;尹贞玉;崔世华;金奉奎 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供一种着色感光性树脂组合物、使用该着色感光性树脂组合物制造的滤色器及图像显示装置。上述着色感光性树脂组合物包含着色剂、碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂和溶剂，上述着色剂包含颜料和染料，上述染料包含分子内具有‑COOM或‑COO‑基的呫吨化合物，上述碱溶性树脂包含含有二环戊基的重复单元，上述光聚合引发剂包含通过光照射而产生甲基自由基的肟酯化合物，上述溶剂包含分子内具有羟基的有机溶剂。本发明的着色感光性树脂组合物的透过率优异，制造滤色器时没有残渣、图案剥落，不会使相邻的像素部的透过率下降，且保存稳定性优异。
着色感光性树脂组合滤色器图像显示装置

[发明专利]红色像素用着色感光性树脂组合物、滤色器及其应用-CN201810213811.8有效
发明人： 柳廷昊;尹贞玉;李瑞桓 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供红色像素用着色感光性树脂组合物、滤色器及其应用，上述红色像素用着色感光性树脂组合物包含碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂、着色剂和溶剂，上述碱溶性树脂包含含有硫醚基的(甲基)丙烯酸酯化合物的共聚物，上述着色剂包含溴化二酮吡咯并吡咯化合物。本发明的红色像素用着色感光性树脂组合物抑制黑矩阵上的残渣产生且对于显影液的溶解度优异。
红色像素着色感光性树脂组合滤色器及其应用

[发明专利]压敏粘合剂组合物以及由其形成的压敏粘合剂图案-CN201810121428.X有效
发明人：琴中韩;柳廷昊;郑景文;崔凤珍;崔汉永 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C08G59/17 文献下载
摘要：根据本发明的压敏粘合剂组合物包含：丙烯酸系共聚物；多官能丙烯酸酯类化合物；和光引发剂，其中，丙烯酸系共聚物包含源自Tg为‑20℃以下的丙烯酸酯类单体的重复单元和源自不饱和羧酸单体的重复单元，并且基于总计100重量份的丙烯酸系共聚物，源自不饱和羧酸单体的重复单元的含量为10至50重量份。
粘合剂组合以及形成图案

[发明专利]红色像素用着色感光性树脂组合物、滤色器及其应用-CN201810234429.5有效
发明人：李瑞桓;柳廷昊;尹贞玉 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供红色像素用着色感光性树脂组合物、滤色器及及应用。上述红色像素用着色感光性树脂组合物包含碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂、着色剂和溶剂，上述碱溶性树脂包含含三环癸基的重复单元，且上述着色剂包含溴化二酮吡咯并吡咯化合物。本发明的红色像素用着色感光性树脂组合物抑制黑矩阵上的残渣产生且图案的倾角平缓。
红色像素着色感光性树脂组合滤色器及其应用

[发明专利]着色感光性树脂组合物、滤色器和图像显示装置-CN201711002480.5有效
发明人：尹贞玉;柳廷昊 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供着色感光性树脂组合物、利用其形成的滤色器和具备上述滤色器的图像显示装置，所述着色感光性树脂组合物包含碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂、着色剂和溶剂，上述碱溶性树脂包含含有N‑苄基马来酰亚胺聚合而成的碱溶性树脂，上述光聚合引发剂包含特定结构的肟酯芴系光聚合引发剂。本发明的着色感光性树脂组合物的显影速度快，密合力、灵敏度和可靠性优异，能够使脱气产生最少化。
着色感光性树脂组合滤色器图像显示装置

[发明专利]红色像素用着色感光性树脂组合物、滤色器及其应用-CN201810201456.2有效
发明人：尹贞玉;柳廷昊;李瑞桓 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供红色像素用着色感光性树脂组合物、利用该红色像素用着色感光性树脂组合物形成的滤色器及其应用，上述红色像素用着色感光性树脂组合物包含碱溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂、着色剂和溶剂，上述光聚合引发剂包含特定结构的肟酯芴系光聚合引发剂，上述着色剂包含溴化二酮吡咯并吡咯化合物。本发明的红色像素用着色感光性树脂组合物的密合性和硬度优异且能够抑制显影斑纹发生。
红色像素着色感光性树脂组合滤色器及其应用

[发明专利]半导体器件-CN201711108354.8有效
发明人：金真范;金傔;金锡勋;朴台镇;柳廷昊;李峭蒑;李炫姃;金善政;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010106539.0在审
发明人：郑揟珍;赵真英;金锡勋;柳廷昊;李承勋;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910823044.7在审
发明人：张星旭;郑秀真;赵真英;柳廷昊;李承勋;柳宗烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一有源鳍，其从衬底突出；第一栅极图案，其覆盖第一有源鳍的侧表面和顶表面；以及第一源极/漏极图案，其位于第一栅极图案的相对侧，第一源极/漏极图案中的每一个包括彼此间隔开的第一下侧和第二下侧、从第一下侧延伸的第一上侧、从第二下侧延伸的第二上侧。第一下侧可以相对于衬底的顶表面以第一角度倾斜，第二上侧可以相对于衬底的顶表面以第二角度倾斜，并且第一角度可以大于第二角度。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910427945.4在审
发明人：赵真英;金锡勋;柳廷昊;李承勋;郑根熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。
集成电路器件鳍型有源区衬底源极/漏极区凹入区域方向延伸栅极结构顶表面平行上半导体层半导体层间隙填充延伸内壁填充制造

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