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- [发明专利]隧穿场效应晶体管-CN201811320069.7有效
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施敏;柯亚威;张威;朱友华
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南通大学
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2018-11-07
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2022-03-11
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H01L29/739
- 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
- 场效应晶体管
- [发明专利]一种低电容高压放电管及其制备方法-CN202011370830.5在审
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王凯健;柯亚威;张鹏;周健
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江苏吉莱微电子股份有限公司
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2020-11-30
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2021-07-23
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H01L29/87
- 本发明公开一种低电容高压放电管，N型硅片两面设有N+隔离区，N型硅片两面设有P‑BASE区，N型硅片和P‑BASE区上有P++区，P‑BASE区上方P++区和N+隔离区之间有P‑BASE区中N+区，N型硅片两面两边上设有玻璃钝化层，并在玻璃钝化层上湿法腐蚀出沟槽，N型硅片上的P‑BASE区上沉淀有金属层，金属层两侧的P‑BASE区设有氧化层和LTO层。步骤：1）选择N型硅片；2）氧化；3）N+隔离区；4）形成P++肼区；5）形成P‑BASE区；6）进行P‑BASE区中N+区光刻；7）台面光刻，腐蚀出沟槽；8）硼磷硅玻璃钝化、接触孔刻蚀；9）LTO层，沉积2000‑8000Å的LTO层；10）形成电极，形成金属层；11）合金。通过横向侧腐，减小了N+隔离区处的PN结横截面积，从而减小了电容值，有效降低了器件的残压，降低电容值。
- 一种电容高压放电及其制备方法
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