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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示面板-CN202310478331.5在审
发明人：郭志彻;李锡烈;林雨洁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种显示面板，包括电路基板、多个单色发光列以及多个双色发光列。各单色发光列包括沿着第一方向排列的多个第一无机发光二极管。第一无机发光二极管电性连接至电路基板。双色发光列与该些单色发光列沿着第二方向交替排列，各双色发光列包括沿着第一方向交替排列的多个第二无机发光二极管以及多个第三无机发光二极管。第二无机发光二极管以及第三无机发光二极管电性连接至该电路基板，其中该第一方向垂直于该第二方向。
显示面板

[发明专利]具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法-CN201911236326.3有效
发明人：张翼;张懋中;庄絜晰;林雨洁 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法，乃在金属氧化物硅半导体场效晶体管结构中，于硅(100)基板上制作百纳米纳米级孔洞，此百纳米纳米级孔洞可随后将硅基板的(111)晶面暴露，而有利于选择性区域成长高质量的三五族材料，利用其宽能隙的特性，三五族材料作为汲极结构可以有效弥补金属氧化物硅半导体场效晶体管在高频应用功率功能的不足，也可解决因组件持续微缩所产生的击穿问题。
具有宽能隙三五族汲极金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]文件导出方法、装置和系统-CN202210724137.6在审
发明人： 林雨洁 -专利权人：青岛海尔科技有限公司;海尔智家股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H04L67/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种文件导出方法、装置和系统，涉及智能家居/智慧家庭技术领域，其中方法包括：发送目标文件的文件导出请求至数据服务器；所述文件导出请求是基于所述目标文件的文件信息确定的；接收所述数据服务器发送的所述文件导出请求对应的预设格式文件流和响应头信息；对所述预设格式文件流进行解析，确定所述预设格式文件流的解析结果；基于所述预设格式文件流的解析结果和所述响应头信息，确定所述目标文件的文件转换结果，并导出所述文件转换结果。本申请提供的方法、装置和系统，提高了文件导出的安全性，提高了文件导出的通用性。
文件导出方法装置系统

[外观设计]凉鞋（鸾舞）-CN202230273390.5有效
发明人：唐阿君;肖龙;何艺成;林雨洁;鲁修;林静文 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：凉鞋（鸾舞）。2.本外观设计产品的用途：用于脚上穿着。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.视图仅出示右脚凉鞋，左脚凉鞋与右脚凉鞋对称，故省略左脚凉鞋的所有视图。
凉鞋鸾舞

[发明专利]半导体装置以及显示装置-CN202210374383.3在审
发明人：谢嘉定;黄建富;叶政男;李锡烈;蓝咏翔;李俊雨;苏松宇;王贤军;王雅榕;林欣莹;林雨洁;吴仰恩 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开内容提供一种半导体装置以及显示装置，半导体装置包含缓冲层、第一子芯片及第二子芯片以及连接件。第一子芯片及第二子芯片分开设置于缓冲层上。第一子芯片及该第二子芯片中的每一者皆包含第一扩散层、主动层以及第二扩散层。第一扩散层、主动层及第二扩散层由上而下按序设置于缓冲层上。第一扩散层及缓冲层为第一类型外延层，第二扩散层为第二类型外延层。连接件用以将第一子芯片的第二扩散层电性耦接至第二子芯片的第一扩散层。
半导体装置以及显示装置

[发明专利]显示装置-CN201811588444.6有效
发明人：吕绍平;谢嘉定;刘品妙;郭家玮;林雨洁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例的显示装置包括多个子像素区。各个子像素区包括至少两个发光元件、第一电极、第二电极以及连接电极。至少两个发光元件具有彼此相异的主波长范围。第一电极电性连接至所述至少两个发光元件的其中一者的一端。第二电极电性连接至所述至少两个发光元件的所述其中一者的另一端，且电性连接至相邻的子像素区的其中一发光元件。电性连接至同一第二电极的所述两个发光元件具有实质上相同的主波长范围。连接电极电性连接于第二电极与分别位于两相邻子像素区中具有实质上相同的主波长范围的所述两个发光元件之间。
显示装置

[发明专利]氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构及其制造方法-CN201910456914.1在审
发明人：张翼;庄絜晰;林雨洁 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构及其制造方法，是在硅(100)基板上制作百纳米级孔洞，再利用湿法刻蚀使硅基板的(111)晶面暴露，并以此(111)晶面作为氮化铝缓冲层和氮化镓的成核表面，且在氮化镓成长时同时通入硅烷以调控硅原子在氮化镓中的掺杂浓度，从而获得理想的氮化镓异质整合在硅基板的半导体结构，借以应用在硅金属氧化物半导体场效应晶体管元件，解决因元件持续微缩所产生的崩溃问题。
氮化镓硅基板半导体结构异质整合晶面场效应晶体管氮化铝缓冲层氧化物半导体孔洞百纳米级成核表面湿法刻蚀硅金属硅原子再利用硅烷基板微缩制造掺杂崩溃暴露调控制作应用

[发明专利]智能电表的布建管理系统-CN201410718094.6有效
发明人：李秉恒;林雨洁;贺敏慧 -专利权人：财团法人资讯工业策进会
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明是关于一种智能电表的布建管理系统。此系统包括主控装置、桥接电表与从属电表。主控装置通过无线通信连接从属电表与桥接电表。当主控装置判断无法与从属电表与桥接电表的至少其一无线通信时，桥接电表改以有线通信与主控装置连接。桥接电表通过无线通信来供从属电表连接，以使主控装置通过桥接电表与从属电表连通。
智能电表管理系统

[发明专利]液晶显示器、主动元件阵列基板及其测试方法-CN200610138844.8有效
发明人：黄韦凯;刘应苍;蔡承勋;陈正欣;林雨洁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-09-19 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种主动元件阵列基板，其包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个彼此独立的共享线图案以及多个像素。扫描线、数据线与共享线图案配置于基板上，而像素阵列排列于基板上，其中每一像素与对应的扫描线及数据线电性连接，而共享线图案分布于每一像素下方。每一像素包括多个主动元件以及多个像素电极。每一像素电极分别通过不同的主动元件与对应的扫描线及数据线电性连接，其中每一像素电极与各个共享线图案之间的电容耦合效应不同。此外，本发明亦提出上述的主动元件阵列基板的测试方法以及一种具有上述的主动元件阵列基板的液晶显示器。
液晶显示器主动元件阵列及其测试方法

[发明专利]显示面板的显示阵列-CN200610006762.8有效
发明人：刘秉德;林雨洁;陈善特 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-02-08 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种使用于显示面板中的显示阵列结构，此种驱动电路包含了数据线路、第一扫描线路、第二扫描线路、第一像素电极、第二像素电极、前端开关以及中介开关。第一像素电极通过前端开关与数据线路连接以及第二像素电极通过中介开关与第一像素电极连接。前端开关与中介开关的切换操作是分别由第一扫描线路及第二扫描线路所控制。当只有前端开关导通时，第一像素电极可自数据线路上接收数据信号。当前端开关与中介开关皆导通时，第二像素电极可自数据线路上接收数据信号。
显示面板阵列

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