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[发明专利]用于制造FinFET和半导体器件的方法及半导体器件-CN202310027371.8在审
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造鳍式场效应晶体管的方法，包括：图案化衬底以形成沟槽，在沟槽之间形成沿第一方向延伸的半导体鳍；在沟槽中形成绝缘体；形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体；在介电层上形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一、第二伪栅极带，并且第一伪栅极带的宽度小于第二伪栅极带的宽度；在第一、第二伪栅极带的侧壁上分别形成厚度不同的第一间隔件和第二间隔件；移除第一、第二伪栅极带且仅减薄介电层在第一伪栅极带下方且与其接触的部分以在第一间隔件之间形成包括凹口的减薄部分；在第一、第二间隔件之间形成第一、第二栅极，第一栅极延伸至凹口内。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法以及一种半导体器件。
用于制造 finfet 半导体器件方法

[发明专利]一种用于建筑施工的升降设备-CN202111156304.3有效
发明人： 林志翰 -专利权人：广东坤旭建设有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B66F7/12 文献下载
摘要：本发明适用于建筑领域，提供了一种用于建筑施工的升降设备，包括底座，还包括：升降机构，与底座固定连接，所述升降机构包括升降平台，所述底座固定连接有导向件，所述升降平台连接有驱动机构，所述驱动机构用于带动升降平台沿导向件进行竖向升降；减震机构，所述底座的一侧设置有底座箱，所述减震机构连接在底座箱与底座之间，所述减震机构用于消解底座的震动力；此用于建筑施工的升降设备，通过减震机构将底座受到的震动力进行消解，从而有效提高底座的平稳性；同时升降平台通过驱动机构进行升降，在升降平台升降过程中通过导向件对升降平台进行导向，从而近一步增加升降平台的平稳性。
一种用于建筑施工升降设备

[发明专利]集成电路器件鳍、集成电路及其形成方法-CN201810917111.7有效
发明人：张哲诚;林志翰;洪暐强;黄伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文提供了集成电路的实例以及用于形成该集成电路的方法。在一些实例中，一种方法包括接收衬底，该衬底包括：在衬底的其余部分上方延伸的多个鳍；第一区域，包括含有多个鳍的第一子集的第一防护区域；以及第二区域，包括含有多个鳍的第二子集的第二防护区域。第一区域具有第一性能特征，并且第二区域具有与第一性能特征不同的第二性能特征。基于第一性能特征，将多个鳍的第一子集凹陷至第一高度，并且基于第二性能特征，将多个鳍的第二子集凹陷至小于第一高度的第二高度。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法-CN202310157746.2在审
发明人：张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的第一栅极结构。第一栅极结构沿第一方向延伸。第二栅极结构设置在衬底上方。第二栅极结构沿第一方向延伸。介电材料设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。气隙设置在介电材料内。本发明实施例涉及具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法。
具有嵌入 finfet 器件及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN202222210150.8有效
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;邱志忠;杨政谕;曾科嘉;黄宪中;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个通道层相互垂直分离。半导体装置还包括一主动栅极结构，主动栅极结构包括一下部和一上部。所述下部环绕所述通道层中的各个通道层。半导体装置还包括一栅极间隔物沿着所述主动栅极结构的所述上部的一侧壁延伸，所述的栅极间隔物具有一底表面。再者，一虚置栅极介电层设置在所述栅极间隔物和所述通道层的一最顶部的通道层之间，所述的虚置栅极介电层接触所述最顶部的通道层的一顶表面、所述栅极间隔物的所述底表面以及所述主动栅极结构的所述侧壁。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211131767.9在审
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法，该方法包括以下步骤：形成具有第一横向宽度的栅极结构，并且在栅极结构上方形成第一通孔开口。第一通孔开口具有暴露栅极结构的最上表面的最下部。第一通孔开口的最下部具有第二横向宽度。第二横向宽度与第一横向宽度的比率小于约1.1。邻近栅极结构横向设置源极/漏极(S/D)区。接触部件设置在S/D区上方。第二通孔开口延伸至并暴露接触部件的最上表面。第二通孔开口的最下部设置在栅极结构的最顶部之上。本发明的实施例还公开了一种半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件-CN201811178401.0有效
发明人： 林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。
用于形成场效应晶体管方法以及半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210706183.3在审
发明人：林士尧;陈振平;游家豪;李筱雯;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210679160.8在审
发明人：林士尧;高魁佑;陈振平;邱志忠;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。半导体装置包括：栅极结构，包括下部以及上部。下部包绕每个半导体层。半导体装置包括：栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层。第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层接触侧壁的第二部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210677620.3在审
发明人：林士尧;高魁佑;吕威良;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板、鳍状物、栅极结构及第一源极/漏极结构。鳍状物形成于基板上并沿着第一方向延伸。栅极结构跨过鳍状物并沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。第一源极/漏极结构沿着第一方向耦接至鳍状物的第一末端。栅极结构包括沿着第一方向朝第一源极/漏极结构凸起的第一部分。凸起的第一部分的尖端边缘垂直高于栅极结构的下表面。
半导体装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210670355.6在审
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法包含在制造过程期间选择性使用包覆层，以提供临界尺寸均匀度。包覆层可在主动通道结构中形成凹口之前形成，或是可在以介电材料填充主动通道结构中的凹口之后形成。这些技术可用于半导体结构中，例如集成电路中实现的全绕式栅极晶体管结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201611021154.4有效
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括衬底、多个绝缘体、介电层以及多个栅极。衬底包括多个沟槽及在多个沟槽之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置在多个沟槽内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个栅极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个栅极包括至少一第一栅极以及至少一第二栅极，其中半导体鳍片穿过至少一第一栅极，半导体鳍片未穿透至少一第二栅极。第二栅极包括配置在介电层上的加宽部分，以及配置在加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。
半导体器件制造方法

[发明专利]通孔结构及其方法-CN202210871557.7在审
发明人：张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有沟道区的衬底；位于沟道区上方的栅极堆叠件；覆盖栅极堆叠件的侧壁的密封间隔件，密封间隔件包括氮化硅；覆盖密封间隔件的侧壁的栅极间隔件，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及覆盖栅极间隔件的侧壁的第一介电层，第一介电层包括氮化硅。本发明的实施例还涉及通孔结构及其方法。
结构及其方法

[发明专利]半导体装置-CN202210626197.4在审
发明人：林士尧;王梓仲;林志翰;古淑瑗;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括基板。半导体装置包括介电鳍状物，其形成于基板上并沿着第一方向延伸。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。栅极结构包括隔有栅极隔离结构与介电鳍状物的第一部分与第二部分。栅极结构的第一部分具有第一鸟嘴轮廓，且栅极结构的第二部分具有第二鸟嘴轮廓。第一鸟嘴轮廓与第二鸟嘴轮廓指向彼此。
半导体装置

[发明专利]半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法-CN201611242871.X有效
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例公开了鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效晶体管器件包括在第一区中具有第一鳍及第二鳍且在第二区中具有第三鳍及第四鳍的衬底，以及分别跨越第一鳍至第四鳍的第一栅极至第四栅极。第一栅极的第一端部侧壁面对第二栅极的第二端部侧壁，且在第一端部侧壁与第二端部侧壁之间形成有第一开口。第三栅极的第三端部侧壁面对第四栅极的第四端部侧壁，且在第三端部侧壁与第四端部侧壁之间形成有第二开口。第一区及第二区具有不同的图案密度，且第一开口的侧壁与衬底之间的夹角不同于第二开口的侧壁与衬底之间的夹角。
半导体器件鳍式场效晶体管器件及其形成方法

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