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[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管-CN202180059139.1在审
发明人：吴世熙;林完泰;禹尚沅 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括覆盖发光单元之间的区域的反射金属层，该反射金属层布置于将相邻的发光单元电连接的连接部之间，并与凸起垫电绝缘。
具有发光单元发光二极管

[发明专利]用于实现多颜色的发光二极管（LED）装置-CN201711267205.6有效
发明人：沈成铉;金容一;林完泰;延智慧;H·柳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管(LED)装置，包括：多个彼此间隔开的发光结构；多个电极层，其分别在多个发光结构的第一表面上；保护层，其分别在多个发光结构中的每一个的第二表面上；分离层，其使多个发光结构彼此电绝缘，并且使所述多个电极层彼此电绝缘；多个荧光体层，其分别在多个发光结构的第二表面上，所述多个荧光体层中的每一个各自输出不同颜色的光；以及分隔层，其在荧光体层之间并将多个荧光体层彼此分离，分隔层包括衬底结构、绝缘结构或金属结构。
用于实现颜色发光二极管 led 装置

[发明专利]发光二极管及具有该发光二极管的显示装置-CN202180050517.X在审
发明人：吴世熙;禹尚沅;林完泰 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：公开一种发光二极管及具有该发光二极管的显示装置。该发光二极管包括：基板；发光结构体，布置于所述基板上，分别包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触于所述第二导电型半导体层上；接触电极，布置于所述第一导电型半导体层上；电流分散器，布置于所述透明电极上；第一绝缘反射层，覆盖所述基板、所述发光结构体、所述透明电极、所述接触电极、电流分散器，并具有使所述接触电极及电流分散器的一部分暴露的开口部，且包括分布式布拉格反射器；第一垫电极及第二垫电极，位于所述第一绝缘反射层上，通过所述开口部分别连接于所述接触电极及电流分散器；以及第二绝缘反射层，布置于所述基板下部，并包括分布式布拉格反射器，其中，所述第二绝缘反射层的反射带比第一绝缘反射层的反射带窄。
发光二极管具有显示装置

[发明专利]半导体发光装置-CN201810234077.3有效
发明人：延智慧;成汉珪;林完泰;沈成铉;H·柳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
半导体发光装置

[发明专利]发光装置以及包括该发光装置的产品-CN202180048035.0在审
发明人：金在权;金京完;林完泰 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：发光装置包括：基板；发光堆叠体，布置在所述基板上；第一电极和第二电极，提供在所述发光堆叠体上；第一凸块和第二凸块，分别提供在所述第一电极和所述第二电极上；钝化膜，提供在所述基板上且暴露所述第一凸块和所述第二凸块的上表面的一部分，并且覆盖所述堆叠体；以及光转换层，覆盖所述基板的后表面、所述基板的侧表面和所述钝化膜的侧表面。
发光装置以及包括产品

[发明专利]发光二极管、发光二极管封装件和包括其的设备-CN201810935119.6有效
发明人： H·柳;金容一;车南煹;林完泰;黄京旭;沈成铉;卢慧锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
发光二极管封装包括设备

[发明专利]半导体发光元件和发光装置及制造半导体发光元件的方法-CN201811214372.9有效
发明人：梁钟隣;金泰亨;宋光珉;李承桓;林完泰;韩世俊;洪玄权;皇甫秀珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
半导体发光元件装置制造方法

[发明专利]发光装置封装件和使用其的显示装置-CN201710684847.X有效
发明人：延智慧;沈成铉;林完泰;金容一;H·柳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供发光装置封装件和显示装置。发光装置封装件包括：具有多个发光窗口的用于生长的衬底；多个半导体发光单元，其对应于多个发光窗口，每个半导体发光单元具有与用于生长的衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且每个半导体发光单元具有彼此堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；多个波长转换单元，其分别布置在多个发光窗口内，每个波长转换单元被构造为提供与对应的半导体发光单元发射的光波长不同的光；金属支承层，其布置在多个半导体发光单元中的每一个的至少一个表面上，并且具有与用于生长的衬底的侧表面共面的侧表面；和绝缘层，其布置在多个半导体发光单元中的每一个与对应的金属支承层之间。
发光装置封装使用显示装置

[发明专利]发光二极管装置和发光设备-CN201710126385.X有效
发明人：郑在烨;林完泰;朴永洙;金定燮;李振燮;H·柳;卢慧锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
发光二极管装置发光设备

[发明专利]发光二极管装置和发光设备-CN202110191729.1在审
发明人：郑在烨;林完泰;朴永洙;金定燮;李振燮;H·柳;卢慧锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
发光二极管装置发光设备

[发明专利]半导体发光装置-CN201610437305.8有效
发明人：黄京旭;金时汉;林完泰;申珢珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
半导体发光装置

[发明专利]发光器件封装-CN201710284843.2有效
发明人：金容一;林完泰;崔荣进;沈成铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光器件封装包括：单元阵列，包括多个半导体发光单元，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述多个半导体发光单元中的每一个具有依次堆叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述发光器件封装还可以包括：多个波长转换单元，设置在单元阵列的第一表面上，以分别对应于所述多个半导体发光单元，每个波长转换单元被配置为将由所述多个半导体发光单元中的相应半导体发光单元发射的一定波长的光转换为不同波长的光；分隔结构，设置在所述多个波长转换单元之间的空间中；以及多个开关单元，在所述分隔结构内与所述多个波长转换单元间隔开，并且电连接到所述多个半导体发光单元。
发光器件封装

[发明专利]半导体发光装置-CN201610825789.3有效
发明人： 林完泰;金容一;车南求;沈成铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；以及发光结构上的磁层。磁层可具有平行于有源层的上表面的至少一个磁化方向。磁层可产生平行于有源层的上表面的磁场。磁层可包括可具有不同的磁化方向的多个结构。在发光结构上可包括多个磁层。磁层可位于接触电极上。磁层可与焊盘电极隔离。
半导体发光装置

[发明专利]发光器件封装件-CN201610868430.4有效
发明人：金容一;元炯植;林完泰;车南煹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光器件封装件，该发光器件封装件可包括：发光结构，其包括分别发射光的多个发光区；多个光调整层，它们形成在发光区上方，以分别改变从发光区发射的光的特征；多个电极，它们分别控制发光区以发射光；以及隔离绝缘层，其布置在发光区之间，以使各发光区彼此绝缘，隔离绝缘层相对于发光区形成连续结构。
发光器件封装

[发明专利]制造发光装置封装件的方法-CN201710680463.0有效
发明人： 林完泰;沈成铉;H·柳;金容一;卢慧锡;延智慧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造发光装置封装件的方法，该方法包括：形成多个半导体发光部分，每个半导体发光部分具有在生长衬底上的第一导电性半导体层、有源层和第二导电性半导体层；在生长衬底上形成具有多个发光窗口的分隔结构；利用具有荧光体的树脂填充所述多个发光窗口中的每一个；以及通过将树脂的表面平坦化来形成多个波长转换部分。
制造发光装置封装方法

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