专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201410080425.8有效
  • 林义闵;张义民;张恕铭;何彦仕;刘沧宇;郑家明 - 精材科技股份有限公司
  • 2014-03-06 - 2017-03-01 - H01L23/31
  • 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括一半导体基底,具有一第一表面及一第二表面;一第一凹陷,自该第一表面朝该第二表面延伸;一第二凹陷,自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸,其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面;一导线层,设置于该第一表面上,且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷;一绝缘层,位于该导线层与该半导体基底之间;以及一金属遮光层,设置于该第一表面上,且具有至少一孔洞,其中该至少一孔洞的形状为一四边形。本发明有助于晶片封装体的缩小化,且可使晶片封装体的可靠度提升。
  • 晶片封装及其形成方法
  • [发明专利]改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法-CN201110369951.2有效
  • 张义民;林义闵;林柏伸 - 精材科技股份有限公司
  • 2011-11-18 - 2012-07-11 - H01L21/768
  • 本发明公开一种改善冠状缺陷的线路结构及其制作方法。此方法包括下列步骤:提供一基材,基材上形成有一电镀籽晶层以及一图案化光致抗蚀剂层,图案化光致抗蚀剂层具有一开口。形成一铜层于开口中,铜层的底部覆盖于电镀籽晶层上。形成一阻障层于铜层上,阻障层至少覆盖铜层的一顶部,其中阻障层的氧化电位大于铜层的氧化电位。移除图案化光致抗蚀剂层,以进行一蚀刻制作工艺,其中裸露的铜层及部分电镀籽晶层经蚀刻而形成一线路层。进行一浸渍制作工艺,以全面性形成一抗氧化层于阻障层以及线路层所显露的表面上。
  • 改善冠状缺陷线路结构及其制作方法
  • [发明专利]复合锁-CN200810182889.4无效
  • 林义闵;颜鸿森;黄馨慧 - 稳多企业股份有限公司
  • 2008-12-12 - 2009-07-15 - E05B63/14
  • 一种复合锁,其主要是于一本体内设置有一锁制锁心、一锁舌机构、一连结机构及一锁栓机构,该连结机构是连接至锁舌机构而为锁舌机构所带动,且可连接至两辅助锁,而锁栓机构是为锁制锁心所带动且包含有一锁栓基座、一基座弹簧、一可与锁制锁心相互卡合的推动臂及一可滑动地设置在锁栓基座上的锁栓,其中于锁栓基座上凸设形成有一限止片,而锁栓是可与锁栓基座上的限止片相卡抵且形成有一可与连结机构相卡抵的卡止片。本发明具有简化复合锁的结构,并能达到稳固保持于锁制状态的功效。
  • 复合

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