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[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法-CN201910538954.0有效
发明人：菅原祐太;宇野刚史;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域的硅半导体层，上述结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性高于第一区域及第二区域的结晶性。
薄膜晶体管显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201910559222.X有效
发明人：菅原祐太;田中优数;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：栅极，由基板支撑；栅极绝缘层，覆盖栅极；硅半导体层，设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域，结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域隔着栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层,以覆盖信道区域并露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层之上；源极,与第一区域电连接；以及漏极,与第二区域电连接，沟道区域的结晶性低于第一区域及第二区域的结晶性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法-CN201580083197.2有效
发明人：松岛吉明;石田茂;高仓良平;宇津木觉;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管-CN201580083210.4有效
发明人：宇津木觉;石田茂;高仓良平;松岛吉明;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供能够使特性的波动减小的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。形成由非晶硅构成的第1硅层14，从成为TFT(薄膜晶体管)的构成物的规定区域内的一部分或全部到规定区域的外部照射能量束，使照射了能量束的部分变化为多晶硅。另外，以使规定区域残留的方式蚀刻第1硅层14，以覆盖蚀刻后的第1硅层14的方式形成由非晶硅构成的第2硅层15。第1硅层14和第2硅层15成为TFT的沟道层。多晶硅的位置不会由于照射位置的波动而波动，减小沟道层内的多晶硅的位置的波动，减小TFT的特性的波动。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和显示面板-CN201580078999.4有效
发明人：野寺伸武;石田茂;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示面板。在基板的表面形成栅极，在形成了栅极的基板的表面形成绝缘膜。在形成了绝缘膜的基板的表面形成第一非晶硅层。对第一非晶硅层的分隔开的多个所需部位照射能量束，使所述所需部位变化为多晶硅层。所需部位分别位于栅极的上侧，是源极和漏极间的沟道区域。此时，对所述第一非晶硅层的与所述多个所需部位关联的其它部位也照射能量束，使其烧蚀，在该其它部位形成所需形状的除去部。以后，在形成用作源极和漏极的金属层时，在该金属层形成与所述除去部的形状相仿的呈凹部的凹坑。因此，利用该凹坑作为对准标记，在沟道区域的上侧的适当位置形成源极和漏极。
薄膜晶体管制造方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管以及显示面板-CN201580078351.7有效
发明人：石田茂;野寺伸武;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管包括：栅电极(2)，形成于基板(1)的表面；第一非晶硅层(4)，形成于栅电极(2)的上侧；多个多晶硅层(51、52、53)，被第一非晶硅层(4)分离，并且具有所需的间隔尺寸而形成于栅电极(2)的上侧；第二非晶硅层(6)和n+硅层(7)，形成于多个多晶硅层(51、52、53)和第一非晶硅层(4)的上侧；源电极(8)和漏电极(9)，形成在n+硅层(7)上。
薄膜晶体管以及显示面板

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法-CN201910538953.6在审
发明人：菅原祐太;道中悟志;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及氧化物半导体层，是设置在栅极绝缘层且具有结晶硅区域的氧化物半导体层，结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在氧化物半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性与所述第一区域及所述第二区域的结晶性不同。
第二区域第一区域沟道区域氧化物半导体层栅极绝缘层结晶硅区域电连接结晶性薄膜晶体管保护绝缘层方式配置基板支撑基板漏极源极覆盖

[发明专利]薄膜晶体管及显示面板-CN201580040872.3有效
发明人：野寺伸武;石田茂;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极(2)，形成于基板(1)的表面；多晶硅层(5)，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层(4、6)，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层(7)，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极(8)和漏极电极(9)，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
薄膜晶体管显示面板

[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-CN201680090915.3在审
发明人：水村通伸;野寺伸武;松岛吉明;田中优数;松本隆夫 -专利权人： V科技股份有限公司;堺显示器制品株式会社
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：依赖于激光的能量密度的偏差，玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差，从而在将玻璃基板用于液晶显示装置的液晶时，会产生显示不均这样的问题。本发明的一个实施方式中的激光照射装置的特征在于，具有：光源，其产生激光；投影透镜，其对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光；投影掩模图案，其设于该投影透镜上，以对于该多个薄膜晶体管分别照射该激光的方式设有多个开口部，该投影透镜经由该投影掩模图案，对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管照射该激光，该投影掩模图案设置为，该开口部在与该移动的方向正交的一列上不连续。
薄膜晶体管玻璃基板激光投影透镜投影掩模激光照射装置开口部照射液晶显示装置非晶硅薄膜图案方向移动方向正交区域照射图案设置显示不均不连续粘附光源液晶移动制造

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法-CN201680087069.X在审
发明人：松岛吉明;石田茂;高仓良平;宇津木觉;野寺伸武;松本隆夫;道中悟志 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。
半导体层多晶硅层薄膜晶体管蚀刻阻挡层栅极绝缘膜漏电极源电极栅电极薄膜晶体管制造第二区域第一区域显示装置覆盖栅电极特性差异俯视图基板界定覆盖

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN201580083060.7在审
发明人：石田茂;野寺伸武;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供显示装置和该显示装置的制造方法，该显示装置具有：具有第1薄膜晶体管的像素；具有第2薄膜晶体管、驱动上述像素的驱动电路，通过以上述第1薄膜晶体管涉及的第1沟道区域和上述第2薄膜晶体管涉及的第2沟道区域的电特性(例如电子迁移率)不同的方式构成该显示装置，从而第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管能够适于各自职能地工作。
显示装置制造方法

[发明专利]正型感光性硅氧烷组合物、有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法-CN201680007695.3在审
发明人：野寺伸武;篠塚章宏;小岩真司;加藤真裕;松本隆夫;福家崇司;横山大志;谷口克人 -专利权人：堺显示器制品株式会社;AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：本发明提供一种正型感光性硅氧烷组合物，其形成的膜具有高耐热性、高强度以及高耐裂纹性；一种有源矩阵基板，不产生副产物，不良的产生被加以抑制，容易以低价形成层间绝缘膜，透射率良好；具备该有源矩阵基板的显示装置以及该有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(30)具备在绝缘基板(10)上相互平行地延伸地设置的多条栅极布线(11)、和在与各栅极布线(11)交叉的方向相互平行地延伸地设置的多条源极布线(12)。在源极布线(12)的下侧且包含栅极布线(11)与源极布线(12)的交叉部分的部分，夹杂层间绝缘膜(14)及栅极绝缘膜(15)。层间绝缘膜(14)使用正型感光性硅氧烷组合物而形成，不使用光阻。
感光性硅氧烷组合有源矩阵显示装置以及制造方法

[发明专利]液晶显示器和液晶显示器的制造方法-CN200780015614.5有效
发明人：菊池哲郎;今井元;北川英树;今出光则;原义仁;岛田纯也;松本隆夫 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。
液晶显示器制造方法

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