“杭州士兰集成电路有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果353个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]栅氧击穿型一次性可编程单元的读出结构和方法-CN200910152903.0有效
发明人：赵启永;陈焱;何群 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开的栅氧击穿型一次性可编程单元的读出结构及方法，包括第一一次性可编程器件、第二一次性可编程器件和误差放大器，第一一次性可编程器件和第二一次性可编程器件分别经过开关器件连接到误差放大器的正负输入端，烧录后，第一一次性可编程器件被击穿，其数据输出端保持电源电压，第二一次性可编程器件为被击穿，其数据输出端悬空，第一一次性可编程器件数据输出端和第二一次性可编程器件数据输出端保持的电荷有明显差异，读取时，该电荷和误差放大器重新分配，然后读出数据。本发明适合厚栅氧击穿型一次性可编程单元的读出。
击穿一次性可编程单元读出结构方法

[发明专利]P型硅衬底背面金属化的制作方法-CN201010279777.8无效
发明人：王英杰;韩非;孔建峰;王平;范伟宏 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供的P型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤：(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层；(2)在Al薄层上依次蒸发金属Ni和金属Ag；(3)进行一次350℃～450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层，提高衬底硅表面P型杂质浓度，降低P型衬底硅与背面金属的接触电阻。本发明优点在于有效地降低芯片的背面接触电阻，降低器件的耗散功率。
衬底背面金属化制作方法

[发明专利]一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法-CN200910099488.7有效
发明人：赵启永;陈焱;何群;周炯 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种将OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法，其特征在于：1)OTP存储器版图包括：N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一铝)的引线孔、一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；2)OTP存储器版图改为ROM存储器版图时，先将存储电路以及第一NMOS晶体管的多晶删除；3)需要烧录的存储电路的栅极与源极，在ROM存储器版图中通过引线孔将存储电路源极的N型有源区与存储电路的一铝连接。本发明基于一套OTP版图，只修改部分层次从而将OTP版图改为ROM版图，节省设计时间，降低设计风险、制版费用以及制造成本。
一种 otp 存储器版图改为 rom 方法

[发明专利]一次性可编程单元和阵列及其编程和读取方法-CN200910098495.5无效
发明人：赵启永;陈焱;周炯 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本发明公开一次性可编程单元包括可击穿栅氧介质的存储元件、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，存储元件第一端连接第一电压端，第二端连接第一NMOS漏极，第一NMOS栅极连接第二电压端，第一NMOS源极连接第二NMOS漏极，第二NMOS栅极连接行选择端，第二NMOS源极连接列选择端；一次性可编程阵列包括M行行线，N列列线，以及M×N个如上一次性可编程单元，一次性可编程阵列编程方法为第一电压端施加恒定的第一电压；第二电压端施加恒定的第二电压；各行线施加行选择电压；各列线施加列选择电压。本发明提供的一次性可编程单元和阵列及其编程方法，无需高压译码，工艺要求低、成本较低，扩大了应用范围。
一次性可编程单元阵列及其编程读取方法

[发明专利]Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法-CN200910155108.7有效
发明人：刘琛;李小锋;吕艳欣;陈元金 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃层、不掺杂的二氧化硅层。同时本发明还提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜生成工艺方法，利用本发明实现的Bipolar电路的多层复合钝化膜结构具有抗划伤、抗潮湿、高致密度、低膜应力、较高的吸杂能力、较好的台阶覆盖能力，优良的光电性能、电学特性及热稳定性，减少了软击穿、解决了可靠性差等问题。
bipolar 电路多层复合钝化结构及其生成工艺方法

[发明专利]一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法及应用-CN200810063227.5有效
发明人：赵启永;陈焱;何群 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G11C17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种将OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法，其特征在于在OTP版图中将需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM版图中通过短接实现；不需要烧录击穿的电路结构的二端，在ROM版图中通过断开实现，本发明还提供了利用OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法获得的一种ROM版图。本发明基于一套OTP版图，只修改部分层次从而将OTP版图改为ROM版图，节省设计时间，降低设计风险、制版费用以及制造成本。
一种 otp 存储器版图改为 rom 方法应用

[实用新型]芯片金属凸点电极电镀设备-CN200820165385.7有效
发明人：朱阳俞;邵丽丹 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片金属凸点电极的电镀设备，其特征在于电镀设备由若干个电镀槽依次串连在一起，所述的电镀槽包括水洗槽和单元槽，所述的单元槽内又分为若干个子单元槽，所述的子单元槽依次串连并相互隔离，相邻的子单元槽之间的槽壁一侧挂钛蓝，另一侧挂硅片夹具，硅片夹具内放置一硅片，所述的第一单元槽同最后一单元槽之间连接电源，利用本实用新型所提供的电镀设备对硅片进行电镀可有效降低产品不良率，提高电镀的质量以及作业效率，降低生产及设备投资成本。
芯片金属电极电镀设备

[发明专利]芯片低接触电阻背面金属化工艺方法以及结构-CN200810121915.2无效
发明人：王平;王英杰;韩飞;范伟宏 -专利权人： 杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片低接触电阻背面金属化结构，其特征在于依次包括硅、金砷、背面金属化金属。所述的背面金属化的金属可以为：钛、镍、银；其中所述的金属钛还可以用钒或铬代替；所述的银还可以用金代替，或者在银上加金。同时本发明还提供了一种芯片低接触电阻背面金属化工艺方法，本发明提供的芯片低接触电阻背面金属化工艺方法简便，可以有效降低产品的碎片等异常，提高作业效率，降低生产成本，同时本发明提供的一种芯片低接触电阻背面金属化结构采用砷合金材料，可以极大的降低成本。
芯片接触电阻背面金属化工艺方法以及结构

首页
«上一页
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
共 353 条