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[发明专利]测试结构、形成方法及断点失效分析定位方法-CN202310324492.9在审
发明人：肖凯;杨领叶;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试结构、形成方法及断点失效分析定位方法。由于本发明提供的测试结构，是在不破坏现有的用于检测金属互连线中是否发生断路的测试结构的基础上，通过在相邻两个重复的小结构两侧的引线上添加通孔以及位于与该通孔电性连接的焊盘的多层交替堆叠结构的方式，将测试结构中的每个测试单元的两端直接引出到测试结构的顶端，进而实现在针对测试结构中的某一测试单元进行断点失效测试时，无需利用miling工艺将其两侧轰击暴露出来等容易破坏测试结构的工艺，便可直接通过每一测试单元两侧引线上所添加的通孔和焊盘就可以对其进行相关测试，进而可以实现排除人为因素导致的失效分析效率和准确性的问题，并同时简化了测试过程的复杂性。
测试结构形成方法断点失效分析定位

[发明专利]半导体测试结构及测试方法-CN201911261700.5有效
发明人：武城;杨领叶;段淑卿;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体测试结构，包括：主测试结构、辅测试结构、两组第一测试焊盘、至少两个第二测试焊盘、第一介电层，所述第二测试焊盘与所述主测试结构电性相连以使所述主测试结构通过两个所述第二测试焊盘分段进行电性测试；进一步的，本发明还提供一种短路测试方法，包括：利用电阻比例法对缺陷点进行粗定位以确定所述缺陷点所在的蛇形结构；通过所述第二测试焊盘并利用电致阻值变化技术对所述缺陷点进行细定位；观察所述缺陷点并采集其SEM图像；制备TEM样品以确定所述主测试结构短路的原因。通过增设第二测试焊盘，所述主测试结构能够分为多段测试结构，使得各段测试结构均可以独立进行电性能测试，从而能够有效找到缺陷点。
半导体测试结构方法

[发明专利]金属短路失效定位结构和方法-CN202010063862.4有效
发明人： 杨领叶;段淑卿;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属短路失效定位结构，包括：第一和第二金属绕线结构；在短路失效检测区域中，第一金属绕线结构包括多条平行的连接成蛇形结构的第一金属线段，第二金属绕线结构包括多条电连接在一起的第三金属线段，各第三金属线段和对应第一金属线段相邻；第一金属线段的首尾连接通过位于更高层的金属层组成的第二金属线段实现。第二金属线段在电性确认过程中保留以及在失效定位过程中去除使第一金属线段之间断开连接，利用被动电压衬度对比定位和第二金属绕线结构短路的第一金属线段。本发明还公开了一种金属短路失效定位方法。本发明能完全定位到金属短路的失效位置且能实现对nA级别的金属短路失效位置进行定位。
金属短路失效定位结构方法

[发明专利]在样品坡面上进行纳米探针测试的方法-CN202110122128.5在审
发明人：赵新伟;曹茂庆;杨领叶;段淑卿;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01N23/2255 文献下载
摘要：本发明提供了一种在样品坡面上进行纳米探针测试的方法，包括以下步骤：将样品固定在FIB的样品台上，并将所述样品台移动至电子束与离子束的共聚焦点高度处；旋转所述样品台以使所述样品台与所述离子束成一预设角度；利用所述离子束轰击所述样品的表面，对所述样品的目标区域进行切割并形成一坡面；利用纳米探针在所述坡面上进行电性测试。利用聚焦离子束在样品上加工出坡面，通过在直接在所述坡面处下针实现了对样品内下层结构的纳米探针测试，并得到了准确的电性数据，对特殊样品的失效分析工作有着重大意义。
样品面上进行纳米探针测试方法

[发明专利]定位测试结构失效位置和原因的方法-CN202011130353.5在审
发明人：曹茂庆;杨领叶;丁德建;段淑卿;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及定位测试结构失效位置的方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，首先获得测试结构的失效模型，然后将测试结构中的器件结构中的PN结开启，利用显微镜定位到存在PN结导通区域的测试结构组，而可快速定位到目标区域，最后根据失效模型向器件的失效模型对应的端子施加测试信号，获得对应端子的测试信号的异常发光点，并将倍率逐渐放大，进而锁定到失效位置，如此通过PN结开启可快速定位到目标区域，然后通过切换测试条件而快速锁定到失效位置，且可避免现有技术中的因背景噪声信号较大，会淹没失效点信号，而无法定位的问题。
定位测试结构失效位置原因方法

[发明专利]一种用于失效分析的测试结构-CN202011083823.7在审
发明人： 杨领叶;段淑卿;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G01R3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于失效分析的测试结构，包括测试单元结构且依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层；第N个半导体结构层的引线端部设有通孔接触点；第N+1至第N+m个半导体结构层的引线端部设有金属块，第N个半导体结构层的通孔接触点通过通孔与第N+1个半导体结构层的金属块接触；第N+1至第N+(m‑1)个半导体结构层的引线端部的金属块分别通过各自上方层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的半导体结构层的金属块。本发明在现有的测试结构基础上，兼顾失效分析的需求，通过在引线上添加通孔及方块金属将每个测试单元结构连接到外围电路的引线端引到样品表面，提高研磨效率和研磨成功率，从而满足最初始的电性分析，提高失效分析成功率和分析效率。
一种用于失效分析测试结构

[发明专利]一种提高芯片平整度的去层方法-CN202011037621.9在审
发明人：曹茂庆;杨领叶;姚培胜;丁德建;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种提高芯片平整度的去层方法，提供用于失效分析的芯片并确定失效分析的目标区域及失效分析的层；手动研磨目标区域，并研磨至目标区域出现梯度为止；在目标区域的所述梯度位置处填充Pt介质以平整研磨表面；对填充Pt介质后的目标区域继续手动研磨，若研磨至去除了失效分析的层以上的全部金属层时还未出现梯度，则研磨停止在失效分析的层上表面的介质层上；若研磨再次出现梯度则再次填充Pt介质直至将失效分析的层研磨出为止。本发明通过在研磨时出现梯度处填充一层介质，防止研磨梯度进一步增加，同时避免化学试剂腐蚀下层金属，大大提高样品的去层平整度，从而提高失效分析的效率和成功率。
一种提高芯片平整方法

[发明专利]一种短路失效的定位方法-CN201811520660.7有效
发明人： 杨领叶;刘海岸 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种短路失效的定位方法，用于定位第一金属线与第二金属线之间的短路点，上述定位方法包括：测量第一金属线和第二金属线之间的电阻，通过电阻比例将上述短路点定位在第一区域。在第一区域中，通过逐渐将第一金属线和第二金属线切割并且电气隔离切割后的部分，以及基于二分法的原理对上述第一金属线和上述第二金属线执行多次电压衬度分析，逐渐逼近所述短路点，从而精确定位到上述短路点。通过本发明提供的定位方法，能够从极长的两根第一金属线和第二金属线中精确地找到nA级别的短路缺陷所在的区域。有助于基于上述缺陷调整工艺，提高半导体器件的良率。
一种短路失效定位方法

[发明专利]一种失效的定位方法-CN201811518811.5有效
发明人： 杨领叶;孙丽 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种失效的定位方法，用于定位按阵列排布的晶体管单元中栅极与有源区之间漏电的缺陷单元，上述定位方法包括：测量连接有源区的第一金属线和连接栅极的第二金属线之间的电阻，通过电阻比例确定上述缺陷单元所在的第一区域；使各个有源区接触孔和各个栅极接触孔相互电气隔离；短接第一区域中的各个栅极接触孔；以及对第一区域中的多列晶体管单元执行主动电压衬度分析，通过对比电压衬度图像，从第一区域中定位缺陷单元。通过本发明所提供的定位方法，能够从按阵列排布的众多晶体管单元中准确地找到nA级别的漏电缺陷所在的晶体管单元。有助于基于上述缺陷调整工艺，提高半导体器件的良率。
一种失效定位方法

[发明专利]小样品的去层方法-CN201711234859.9有效
发明人： 杨领叶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种小样品的去层方法，包括如下步骤：步骤1、制作一底座芯片；步骤2、根据研磨样品尺寸、形状制作RIE的阻挡层；步骤3、将阻挡层根据研磨样品尺寸、形状粘结在所述底座芯片上；步骤4、在步骤3已经制成的产品上制作能嵌入研磨样品的模具；步骤5、加热去除阻挡层；步骤6、将研磨样品嵌入模具中；步骤7、手动研磨样品正面至目标位置。本发明能够快速、均匀的去除层次，停留在待分析的区域。
样品方法

[发明专利]一种基于动态电压衬度分析的样品制备方法-CN201510277921.7有效
发明人：陈强;唐涌耀;刘迪;杨领叶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于动态电压衬度分析的样品制备方法，首先对待测样品进行平面研磨，直至露出其测试结构，然后将待测样品粘贴在封装底座上，接着采用焊线将测试结构的Pad和封装底座的焊脚连接起来，然后将封装底座的焊脚通过导电胶带连接电池，完成电性连接，对待测样品进行测试。本发明提供的基于动态电压衬度分析的样品制备方法，相对于传统的纳米探针系统，具有易操作、耗时极短、成本低等特点，能够有效地使操作检测方式变得简易，不需要操作者对其有很丰富的操作经验，使用操作成本低廉，提高分析的可靠性、准确性和分析的效率。
一种基于动态电压分析样品制备方法

[发明专利]一种端基为荧光基团芘的水溶性阳离子聚电解质及其制备方法及应用-CN201210245819.5有效
发明人：王国杰;赵敏;杨领叶;张瑞辰 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C08F120/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光高分子聚合物及其制备方法，尤其涉及一种端基为荧光基团芘的水溶性阳离子聚电解质及制备方法，并应用于检测核酸分子碱基序列。这种端基为荧光基团芘的水溶性阳离子聚电解质和单链寡聚核酸分子（发夹结构DNA和直链结构DNA）之间的静电吸附和疏水作用使其形成一个新型复链荧光探针。当遇到与之碱基序列结构互补的核酸分子时，通过Watson-Crick碱基配对原则杂化，由于端基荧光基团芘插入DNA双螺旋结构中，使得碱基对芘荧光的淬灭能力增强，导致其荧光强度相比于与非靶向核酸分子作用显著降低；从而通过芘荧光聚电解质的荧光性能差异实现对核酸分子碱基序列结构的特异性识别。
一种荧光基团水溶性阳离子电解质及其制备方法应用

[发明专利]利用聚丙烯酸芘甲酯-聚（甲基）丙烯酸二甲胺乙酯共聚物检测核酸序列的方法及产物-CN201210245799.1有效
发明人：王国杰;杨领叶;赵敏;董杰;张瑞辰 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用聚丙烯酸芘甲酯-聚（甲基）丙烯酸二甲胺乙酯共聚物检测核酸序列的方法，属于功能高分子领域。该方法的过程包括将聚丙烯酸芘甲酯-聚（甲基）丙烯酸二甲胺乙酯荧光共聚物经卤代烷质子化制成带有正电荷的聚电解质，并将这种聚电解质与直链或者发卡结构的DNA作用形成新型荧光探针来检测目标DNA的方法。该方法的优点在于：是一种制备简单、操作简易、行之有效的新型荧光探针，将为稳定、高效、特异性识别核酸分子开辟一种新途径并在揭示疾病与基因变异等方面具有重要的科学意义和应用价值。
利用聚丙烯酸芘甲酯甲基丙烯酸二甲胺乙酯共聚物检测核酸序列方法产物

[发明专利]芘标记的单链DNA荧光探针及其制备方法-CN201210363857.0有效
发明人：王国杰;张瑞辰;杨领叶;赵敏;董杰 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光基团芘接枝的聚4-乙烯基吡啶阳离子聚电解质的合成，并由此制备单链DNA复合荧光探针的方法。芘接枝聚4-乙烯基吡啶阳离子聚电解质的合成步骤：（1）用芘甲醇和三溴化磷制备芘甲溴；（2）将芘甲溴按一定的单体摩尔比接枝到聚4-乙烯基吡啶上；（3）将步骤（2）的产物用溴代正丁烷季氨化得到水溶性阳离子聚电解质。该聚电解质与单链核酸在缓冲液中通过静电及疏水作用互相吸附形成复合探针，实验中通过荧光变化来检测目标单链DNA碱基与探针DNA是否互补。本发明的优点是合成路线简单，容易操作，成本低，且探针对DNA的特异性识别快速、灵敏。
标记 dna 荧光探针及其制备方法

[实用新型]简易存钱罐-CN200920254182.X无效
发明人：张飞虎;杨领叶 -专利权人：燕山大学
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： A45C1/12 文献下载
摘要：一种由矿泉水瓶或可乐等饮料瓶制作而成的存钱罐。方式一：沿瓶盖直径的方向开有近似矩形孔的矿泉水瓶盖旋拧在一个未开孔的矿泉水瓶体上。当有硬币要存时，把硬币投入瓶盖上的近矩形孔即可。需要取出硬币时，把瓶盖拧下来，小心把硬币倒出来就行。方式二：未开孔的瓶盖旋拧在开有近似矩形孔的矿泉水瓶或可乐等饮料的瓶体上。当有硬币要存时，把硬币投入瓶体上的近似矩形孔即可。需要取出硬币时，把瓶体的上半部分剪掉，把硬币倒出来就行。
简易存钱

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