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[发明专利]消费者的菊链式电压稳定性相依交错加电-CN201680018076.4有效
发明人： S·B·帕蒂尔;D·斯塔夏克;M·P·圣劳伦特;李瑞;梁宾;杨赛森;郑哲民 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：本发明公开电压下降控制。一种装置包含：耦合到外部电源(106)的第一组件(102)和耦合到所述外部电源的第二组件(104)。所述第一组件包含：第一输入(132)，其经配置以接收第一电压(120)；第一内部电源(108)，其经配置以响应于所述第一电压对应于第一逻辑值而由所述外部电源充电；以及电压下降控制器(164)，其经配置以经由第一输出(134)输出第二电压(122)。响应于所述第一内部电源的第一电压电平达到第二电压电平，所述第二电压对应于所述第一逻辑值。所述第二组件(104)包含经配置以从所述第一输出(134)接收所述第二电压(122)的第二输入(136)。
消费者链式电压稳定性相依交错

[发明专利]调适存储器系统中的字线脉冲宽度-CN201610962503.6有效
发明人：穆罕默德·H·阿布-拉赫马;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明涉及调适存储器系统中的字线脉冲宽度。本发明揭示用于调适存储器系统中使用的字线(WL)脉冲宽度的系统、电路和方法。本发明的一个实施例针对一种包括存储器系统的设备。所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联WL脉冲宽度的字线(WL)脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。
存储器存储器系统脉冲自测字线脉冲介接字线自适应WL控制电路脉冲操作自适应内建配置电路关联

[发明专利]磁性随机存取存储器（MRAM）的原位电阻测量-CN201410835051.6有效
发明人：哈利·拉奥;杨赛森;朱晓春;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)的原位电阻测量。一种测量MRAM存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的电阻的方法包括将具有选定电平的电压施加到包含MTJ的存储器单元，所述MTJ与处于导通状态的存储器单元晶体管串联。确定通过所述存储器单元的电流。将可变电压施加到复制单元，所述复制单元不具有MTJ且包含处于导通状态的复制单元晶体管。确定所述可变电压的值，其中通过所述复制单元的所得电流大体上与通过所述存储器单元的所述电流相同。通过获取所述存储器单元电压与所述经确定的可变复制单元电压的差值且将所述结果除以所述经确定的存储器单元电流来计算所述MTJ电阻。
磁性随机存取存储器 mram 原位电阻测量

[发明专利]具有全扫描能力的寄存器-CN201180050743.4无效
发明人：哈里·M·拉奥;杨赛森;陈南 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G11C29/32 文献下载
摘要：第一锁存器和第二锁存器的扫描测试将给定扫描值耦合到所述第一锁存器的输入以将所述第一锁存器切换到对应于所述扫描值的状态，将所述扫描值从所述第一锁存器去耦以将所述第一锁存器锁定于所述状态处，在所述第一锁存器锁定于所述状态处时将所述第一锁存器的输出耦合到所述第二锁存器的输入以将所述第二锁存器切换到所述状态，且将所述第一锁存器的所述输出从所述第二锁存器的所述输入去耦以将所述第二锁存器锁定于所述状态处。
具有扫描能力寄存器

[发明专利]操作存储器装置的系统及方法-CN201080051102.6有效
发明人：赵宋溢;杨赛森;纳维恩·古恩杜博古拉;穆罕默德·H·阿布-拉赫马;朴东奎 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：揭示一种操作存储器装置的系统及方法。在特定实施例中，揭示一种设备，其包括位单元，所述位单元耦合到第一位线及第二位线。所述设备还包括读出放大器，其耦合到所述第一位线及所述第二位线。所述设备包括回路电路，其经配置以响应于接收第一信号而将读出放大器启用信号提供到所述读出放大器。所述设备还包括字线启用电路，其经配置以响应于接收到第二信号而将字线启用信号提供到字线驱动器。所述回路电路在所述字线启用电路接收所述第二信号之前接收所述第一信号。
操作存储器装置系统方法

[发明专利]脉冲产生系统及方法-CN201080005629.5无效
发明人：哈利·拉奥;阿诺什·B·达维埃尔瓦拉;朴东奎;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：在特定实施例中，一种装置(102)包括参考电压电路(110)，所述参考电压电路用以产生受控电压。所述装置包括：频率电路(106)，其经配置以产生具有预设频率的频率输出信号(328)；及计数器(304)，其用以基于所述预设频率产生计数信号(310)。所述装置还包括：延迟电路(306)，其经耦合以接收所述计数信号且产生经延迟的数字输出信号(312)；及锁存器(320)，其用以产生脉冲(130)。所述脉冲具有响应于写入命令的第一边缘(132)及响应于所述经延迟的数字输出信号而形成的后边缘(134)。在特定实施例中，所述脉冲的脉冲宽度对应于施加的电流电平，所述施加的电流电平超过使得数据能够写入到存储器的元件的临界电流，但不超过预定阈值。
脉冲产生系统方法

[发明专利]自旋转移力矩磁阻随机存取存储器内的位线电压控制-CN201080004836.9有效
发明人： 杨赛森;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)和相关联的读取操作。位单元包括磁性隧道结(MTJ)和字线晶体管，所述位单元耦合到位线和源极线。箝位电路耦合到所述位线，且经配置以在所述STT-MRAM的读取操作期间将所述位线电压箝位到所要电压电平，以防止所述位线电压超过所述所要电压电平。所述所要电压电平小于与所述STT-MRAM的写入操作相关联的写入电压阈值。
自旋转移力矩磁阻随机存取存储器电压控制

[发明专利]磁性随机存取存储器(MRAM)的原位电阻测量-CN201080004957.3有效
发明人：哈利·拉奥;杨赛森;朱晓春;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种测量MRAM存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的电阻的方法包括将具有选定电平的电压施加到包含MTJ的存储器单元，所述MTJ与处于导通状态的存储器单元晶体管串联。确定通过所述存储器单元的电流。将可变电压施加到复制单元，所述复制单元不具有MTJ且包含处于导通状态的复制单元晶体管。确定所述可变电压的值，其中通过所述复制单元的所得电流大体上与通过所述存储器单元的所述电流相同。通过获取所述存储器单元电压与所述经确定的可变复制单元电压的差值且将所述结果除以所述经确定的存储器单元电流来计算所述MTJ电阻。
磁性随机存取存储器 mram 原位电阻测量

[发明专利]在磁性隧道结元件处读取及写入数据的系统及方法-CN201080004093.5有效
发明人：穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;宋森秋;杨赛森;朴东奎;钟成;阿诺什·B·达维耶瓦拉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种用以读取磁性随机存取存储器中的数据且将数据写入于磁性随机存取存储器中的系统及方法。在特定实施例中，装置(100)包括自旋转移力矩磁性隧道结(STT-MTJ)元件(102)及耦合到所述STT-MTJ元件的具有第一栅极(106)及第二栅极(108)的晶体管(104)。
磁性隧道元件读取写入数据系统方法

[发明专利]基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡-CN200980151300.7有效
发明人：金圣克;金吉苏;宋哲焕;升·H·康;杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种基于电阻的存储器电路。所述电路包括：数据单元的第一晶体管负载；及位线，其适于检测第一逻辑状态。所述位线耦合到所述第一晶体管负载并耦合到具有磁性隧道结(MTJ)结构的数据单元。所述位线适于在所述位线具有第一电压值时检测具有逻辑一值的数据，且在所述位线具有第二电压值时检测具有逻辑零值的数据。所述电路进一步包括参考单元的第二晶体管负载。所述第二晶体管负载耦合到所述第一晶体管负载，且所述第二晶体管负载具有相关联的参考电压值。所述第一晶体管负载的例如晶体管宽度等特性可经调整以修改所述第一电压值及所述第二电压值，而大体上不改变所述参考电压值。
基于电阻存储器电路信号平衡

[发明专利]用于读出放大器的可数字控制延迟-CN200980147666.7有效
发明人：朴东奎;阿诺什·B·达维埃尔瓦拉;钟成;穆罕默德·哈桑·索利曼·阿布-拉赫马;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明揭示在读取磁性随机存取存储器(MRAM)装置时插入可选择延迟的电路、设备及方法。一种电路包括：读出放大器(160)，其具有第一输入(162)、第二输入(164)及启用输入(166)；第一放大器(132)，其耦合到基于磁阻的存储器单元(112)的输出；第二放大器(134)，其耦合到所述单元的参考输出；及可数字控制放大器(136)，其耦合到类似于所述MRAM的所述单元的追踪电路单元(116)。所述读出放大器的所述第一输入耦合到所述第一放大器，所述读出放大器的所述第二输入耦合到所述第二放大器，且所述启用输入经由逻辑电路(150)耦合到所述第三可数字控制放大器。一旦所述读出放大器经由所述逻辑电路从所述可数字控制放大器接收到启用信号(152)，所述读出放大器随即可基于从所述基于磁阻的存储器单元的所述输出及参考单元接收的经放大值而产生输出值。
用于读出放大器数字控制延迟

[发明专利]STT-MRAM中的字线电压控制-CN200980144341.3有效
发明人： 杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于控制施加到自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的字线晶体管(410)的字线电压的系统、电路和方法。一个实施例是针对包括具有磁性隧道结(MTJ，405)和字线晶体管的位单元的STT-MRAM。所述位单元耦合到位线(420)和源极线(440)。字线驱动器(432)耦合到所述字线晶体管的栅极。所述字线驱动器经配置以：提供比电源电压大的字线电压，所述电源电压低于所述电源电压的转变电压；且针对高于所述转变电压的电源电压提供小于所述电源电压的电压。
stt mram 中的电压控制

[发明专利]在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中加电期间的数据保护-CN200980143154.3有效
发明人： 杨赛森;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)阵列，其包括多个位单元(420到432)、一加电控制器(405)及第一多个预充电晶体管(410到413)。所述多个位单元各自耦合到多个位线(BL)及字线(WL)中的一者。所述加电控制器经配置以在加电期间提供加电控制信号以控制所述位线或所述字线中的至少一者的电压电平。所述第一多个预充电晶体管分别耦合到所述多个位线或所述多个字线中的至少一者，每一预充电晶体管经配置以基于所述加电控制信号而将对应的位线或字线放电到所要电压电平。
自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中加电期间数据保护

[发明专利]利用保护性侧壁钝化的磁性元件-CN200980136770.6有效
发明人：升·H·康;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的示范性实施例是针对于包括用于与其它芯片上元件隔离的钝化层的磁性元件。一个实施例是针对于一种包含磁性隧道结(MTJ)元件的设备。所述MTJ元件包含：第一铁磁性层；第二铁磁性层；绝缘层，其安置于所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间；以及MTJ钝化层，其形成邻近于所述第一铁磁性层、所述第二铁磁性层和所述绝缘层而安置的保护性侧壁。
利用保护性侧壁钝化磁性元件

[发明专利]用于基于电阻的存储器应用的存储器装置-CN200980135343.6有效
发明人：阿诺什·B·达维埃尔瓦拉;钟成;朴东奎;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;迈赫迪·哈米迪·萨尼;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：在特定实施例中，揭示一种存储器装置(100)，其包括存储器单元(226)，所述存储器单元(226)包括耦合到存取晶体管(230)的基于电阻的存储器元件(228)。所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作。所述存储器装置还包括第一放大器(202)，所述第一放大器(202)经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压(Vamp)以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号。所述第一放大器包括箝位晶体管(216)，所述箝位晶体管(216)具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度。所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。
用于基于电阻存储器应用装置

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