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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202110690672.X在审
发明人：李昌秀;杨永镐;金成淳;金熙洙;罗熙稌;张民植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：第一源极层；第二源极层，第二源极层在第一源极层上；层叠物，层叠物在第二源极层上；沟道结构，沟道结构穿过层叠物和第二源极层；以及公共源极线，公共源极线穿过层叠物和第二源极层。第二源极层包括气隙和围绕气隙的导电层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110040529.6在审
发明人： 杨永镐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括隧道绝缘层、包含掺杂剂的电荷储存层以及插入在隧道绝缘层与电荷储存层之间的扩散阻障层，该扩散阻障层包括碳、氮或氧中的至少一种。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610124808.X有效
发明人： 杨永镐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括隧道绝缘层、包含掺杂剂的电荷储存层以及插入在隧道绝缘层与电荷储存层之间的扩散阻障层，该扩散阻障层包括碳、氮或氧中的至少一种。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010411141.8在审
发明人：金熙洙;杨永镐;李昌秀;申完燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：源极结构；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及保护图案，该保护图案插置在源极接触结构和源极结构之间并且根据保护图案的区域具有变化的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN201911374777.3在审
发明人：严炯禹;沈正明;杨永镐;李洸旭;崔原俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括：在基板上形成包括水平凹部的叠层结构；形成阻挡层作为水平凹部的内衬；在阻挡层上形成包括介电阻隔元件和导电阻隔元件的界面控制层；以及在界面控制层上形成导电层以填充水平凹部。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201810468206.5在审
发明人：崔原俊;高旻圣;金庆培;金种基;辛东善;沈正明;杨永镐;严炯禹;李洸旭;郑祐在 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括以下步骤：在层间绝缘层之间的层间空间中形成导电图案，所述导电图案通过穿过所述层间绝缘层的狭缝彼此分离，其中，所述导电图案包含第一副产物；通过使残留在所述导电图案中的第一副产物与源气体反应来产生气相的第二副产物；以及执行排气工艺以去除所述第二副产物。
导电图案副产物半导体器件层间绝缘层彼此分离层间空间排气工艺源气体狭缝去除制造残留穿过

[发明专利]制造非易失性存储器件的方法-CN201210021562.5有效
发明人： 杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；在衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；通过将第一控制栅导电层、第一栅间电介质层、浮栅导电层、隧道电介质层和有源区刻蚀到给定的深度来形成沟槽；形成填充沟槽的第二隔离层；以及在形成有第二隔离层的所得结构之上形成第二控制栅导电层。
制造非易失性存储器方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710110767.X无效
发明人： 杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种使施加到栅极氧化物层或隧道氧化物层的应力最小的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述衬底中形成有包括字线的半导体器件；在包括字线的衬底的整个表面上形成覆盖层，所述覆盖层包括具有压缩特性的第一绝缘层和具有拉伸特性的第二绝缘层；和在覆盖层上形成层间绝缘层。在另一方面，该方法还包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底中形成有包括字线的半导体器件；通过交替地形成PECVD方法的第一绝缘层和LPCVD方法的第二绝缘层，在包括字线的整个表面上形成覆盖层；以及在覆盖层上形成层间绝缘层。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造快闪存储器件的方法-CN200710111443.8无效
发明人： 杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：公开了一种制造快闪存储器件的方法。所述方法包括以下步骤：提供其中限定单元区域和选择晶体管区域的半导体衬底，蚀刻在选择晶体管区域内的半导体衬底使得在单元区域和选择晶体管区域之间形成第一阶梯，在所述单元区域内形成单元栅，以及在所述选择晶体管区域内形成晶体管。
制造闪存器件方法

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN200610108430.0无效
发明人： 杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存器件及其制造方法，其中利用半球形晶粒(HSG)法在隧道氧化物层和浮栅之间形成具有微粒的硅层，从而防止浮栅的掺杂剂扩散进入隧道氧化物层。根据一个实施例，闪存器件包括：在半导体衬底的预定区域中形成的隔离结构，用于限定有源区和场区；在有源区的半导体衬底上形成的隧道氧化物层；以及在有源区上的预定区域中形成从而与隔离结构的一部分交迭的浮栅，浮栅的底部给定部分和其余部分具有不同的晶粒尺寸。
闪存器件及其制造方法

[发明专利]在半导体器件中形成隔离层的方法-CN200410081950.8无效
发明人： 杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：此处公开的是一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法。根据本发明，用一湿法刻蚀速率高的氧化铝膜作为垫氧化物膜，形成沟槽，并在利用清洗工序去除部分氧化铝膜的时候修圆沟槽的顶部和底部边沿。因此可能无需使用聚合物修圆沟槽的顶部和底部边沿。同样还可能将形成栅氧化膜之前在清洗工序中因场效应区和有源区之间的台阶而生成的沟堑降到最浅。
半导体器件形成隔离方法

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