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[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN201910203910.2有效
发明人：邓小川;杨文驰;柏松;李轩;高蜀峰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件与制造方法，器件包含源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑漂移区、P型基区、N+源区、P+欧姆接触区、P+屏蔽区、沟槽栅介质、沟槽多晶硅栅，本发明器件为集成一个低导通压降二极管的沟槽型碳化硅MOSFET器件，器件工作在第三象限时，源极加正压，P型基区与N‑漂移区的耗尽层减小，形成从N+源区、N‑漂移区、碳化硅N+衬底到漏极欧姆接触的电流通路，实现了低电压开启。本发明器件既具有小的芯片面积，又具备比集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件更低的第三象限导通压降。同时本发明器件相比集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件，不需要额外增加肖特基金属接触制备工艺，与现有碳化硅MOSFET器件制造工艺兼容。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管-CN201710004433.8有效
发明人：邓小川;刘冬冬;宋凌云;童星;万殊燕;杨文驰;谭犇;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感器基极，为NPN BJT热传感器的发射结提供偏置；NPN BJT热传感器的集电极接在LDMOS栅极上，为LDMOS栅极提供电流泄放通道；由于本发明将射频LDMOS器件过热保护电路集成到了射频LDMOS芯片上且不需要独立的供电引脚，大大减小了射频系统的复杂性和从而降低了以射频LDMOS器件为核心的射频系统的制造和维护成本。
带有过热保护功能射频 ldmos 晶体管