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[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310461292.8在审
发明人：陈信宏;杨敦年;刘人诚;洪丰基;郭文昌;徐鸿文;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器、用于形成图像传感器和相关器件结构的方法。在衬底中形成分离多个像素区域的背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。BDTI结构包围多个光电二极管并且包括布置在多个像素区域的交叉处的第一BDTI组件和布置在多个像素区域的剩余周边处的第二BDTI组件。第一BDTI组件具有自衬底的背侧起的第一深度，第一深度小于第二BDTI组件的第二深度。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310313550.8在审
发明人：黄伟志;蔡双吉;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器及其形成方法。根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和第三光电二极管之间。第一DTI部件的深度大于第二DTI部件的深度。第二光电二极管的量子效率小于第一光电二极管的量子效率。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]背侧照明图像设备的结构和方法-CN202310316871.3在审
发明人：杨皓麟;王俊智;王子睿;王铨中;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及背侧照明图像设备的结构和方法。一种图像传感器结构包括：第一衬底，具有前侧和背侧；光电检测器，设置在第一衬底的前侧上并且沿着第一方向横跨尺寸Dp；栅极电极，形成在第一衬底的前侧上并且部分地与光电检测器交叠；掺杂区域，作为浮动扩散区域，形成在第一衬底的前侧上并且被设置为靠近光电检测器；和互连结构，设置在第一衬底的前侧上并上覆于栅极电极。互连结构包括第一金属层和位于第一金属层之上的第二金属层，第二金属层还包括第一金属特征和第二金属特征，第一金属特征和第二金属特征沿着第一方向间隔开距离Ds，第一金属特征连接到掺杂区域，并且第一比Ds/Dp大于0.3。
照明图像设备结构方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310146543.3在审
发明人：陈彦瑜;江彦廷;黄百韬;卢泽华;许慈轩;丁世汎;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310132536.8在审
发明人：锺积贤;王子睿;王铨中;许慈轩;杨敦年;赵亦平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一芯片，该第一芯片包括多个光敏器件，其中多个光敏器件形成为第一阵列。所述半导体器件包括与所述第一芯片接合的第二芯片，所述第二芯片包括：多个像素晶体管组，其中多个像素晶体管组形成为第二阵列；多个输入/输出晶体管，其中多个输入/输出晶体管设置在第二阵列之外。半导体器件包括接合到第二芯片并且包括多个逻辑晶体管的第三芯片。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310018096.3在审
发明人：王子睿;杨敦年;王铨中;徐铭杰;徐伟诚;山下雄一郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括设置在衬底中的深沟槽隔离(DTI)结构。衬底的像素区域设置在DTI结构的内周界内。光电探测器设置在衬底的像素区域中。栅电极结构至少部分地位于衬底的像素区域上面。第一栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。第二栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。栅电极结构位于第一栅极介电结构的部分和第二栅极介电结构的部分上面。第一栅极介电结构具有第一厚度。第二栅极介电结构具有大于第一厚度的第二厚度。本申请的实施例还提供了用于形成图像传感器的方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]集成芯片以及形成集成芯片的方法-CN202310346969.3在审
发明人：高桥诚司;王铨中;杨敦年;林荣义;施俊吉;亚历山大·卡尔尼斯基;黄益民;廖家庆;洪升晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，设置在所述介电结构内并包括通过电容器介电结构与上导电电极分开的下导电电极，其中所述金属‑绝缘体‑金属电容器垂直延伸穿过所述多个导电互连层中的两个或多个，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括从所述上导电电极的下表面向外延伸的多个突起，其中，所述多个突起从所述上导电电极的最外侧壁向回设置非零距离。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
集成芯片以及形成方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201911010093.5有效
发明人：申羽洋;曾建贤;杨敦年;郑乃文;陈保同 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种集成电路及其制造方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路，所述集成电路在第一半导体衬底内包括第一衬底穿孔。所述第一半导体衬底具有分别位于所述第一半导体衬底的相对侧上的前侧表面与背侧表面。所述第一半导体衬底包括第一掺杂沟道区，所述第一掺杂沟道区从所述前侧表面延伸到所述背侧表面。所述第一衬底穿孔至少由所述第一掺杂沟道区界定。第一内连线结构位于所述第一半导体衬底的所述前侧表面上。所述第一内连线结构包括多个第一导电线及多个第一导通孔，且所述多个第一导电线及所述多个第一导通孔界定往所述第一衬底穿孔的导电路径。
集成电路及其制造方法

[发明专利]互连图案结构、半导体结构及其制造方法-CN201810926996.7有效
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;王俊智;黄冠杰;林杏芝;朱怡欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种互连图案结构、半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其位于所述半导体衬底的所述有源侧上方；及贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到第一金属层。所述互连层包含最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，所述第一金属层的厚度低于1微米，且从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米。所述连续金属构件由第一介电构件切断。
互连图案结构半导体及其制造方法

[发明专利]单光子雪崩检测器器件和半导体结构及其形成方法-CN202210899190.X在审
发明人：简弘昌;林荣义;徐铭杰;黄冠杰;王子睿;黄世民;王铨中;杨敦年;朱怡欣;陈祥麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p‑n结处与p型区域相交。锗区域设置在p‑n结上方的凹槽内。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。
光子雪崩检测器器件半导体结构及其形成方法

[实用新型]集成电路及影像传感器-CN202222368526.8有效
发明人：刘炤德;陈思莹;洪志明;洪瑞甫;杨敦年;王铨中;黄冠杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型的各种实施例针对半导体衬底上的集成电路。第一和第二栅极结构设置在衬底之上并且彼此横向间隔开。在第一和第二栅极结构之间的半导体衬底中设置了公共源极/漏极区。绝缘体层上覆于第一和第二栅极结构。源极/漏极接触件延伸通过第一和第二栅极结构之间的绝缘体层以接触公共源极/漏极区。第一和第二侧壁分隔件结构分别沿着第一和第二栅极结构的外侧壁设置，并且分别具有与源极/漏极接触件相邻的第一和第二外侧壁。第一外侧壁包括面向源极/漏极接触件的第一侧的至少两个凹口，第二外侧壁包括面向源极/漏极接触件的第二侧的至少两个凹口。
集成电路影像传感器

[发明专利]图像传感器和形成图像传感器的方法-CN202210084432.X在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;黄诗涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有由BDTI结构围绕的图像感测元件的图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，第一图像感测元件和第二图像感测元件在图像感测管芯内彼此相邻布置。像素介电堆叠件沿图像感测管芯的位于图像感测元件上面的背面设置。像素介电堆叠件包括第一高k介电层和第二高k介电层。BDTI结构设置在第一图像感测元件和第二图像感测元件之间并且从图像传感器管芯的背面延伸至图像传感器管芯内的位置。BDTI结构包括由隔离介电堆叠件围绕的沟槽填充层。像素介电堆叠件具有与隔离介电堆叠件的组分不同的组分。
图像传感器形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210114063.4在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;黄诗涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器的背侧上的沟槽隔离结构内的金属栅格耦接至接触焊盘，使得金属栅格上的电压随着接触焊盘上的电压连续变化。一个或多个导电结构将金属栅格直接耦接至接触焊盘。导电结构可以绕过图像传感器的前侧。金属栅格上的偏置电压可以通过接触焊盘改变，由此可以根据图像传感器的应用、其使用环境或其操作模式动态调整减少串扰和增加量子效率之间的权衡。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210110713.8在审
发明人：林志旻;徐宏仁;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的方法包括：形成包括多个电子集成电路(EIC)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(PIC)的第二晶圆；将第一晶圆接合至第二晶圆以形成第一堆叠晶圆。将第一晶圆接合至第二晶圆包括将多个EIC的每个与多个PIC中的一个垂直对准。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路芯片及其形成方法-CN202210331398.1在审
发明人：李宥贤;江彦廷;丁世汎;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路芯片及其形成方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，其中键合焊盘结构延伸到具有高过孔密度的柱状结构。例如，互连结构位于衬底的正面，并且包括形成柱状结构的第一键合导线、第二键合导线和一个或多个键合过孔。键合过孔从第一键合导线延伸到第二键合导线。键合焊盘结构被插入衬底的与正面相反的背面，并且延伸至第一键合导线。第一键合导线或第二键合导线在平行于衬底的顶表面的平面上的第一投影具有第一面积，并且键合过孔在该平面上的第二投影具有第二面积，第二面积为第一面积的10％或更多，使得过孔密度较高。
集成电路芯片及其形成方法

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