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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种农业耕地种植用开沟装置-CN202311160243.7在审
  • 杨宇昂;吕轩;刘雨杰;鲁若愚;蔡广铠 - 安徽农业大学
  • 2023-09-11 - 2023-10-17 - A01C5/06
  • 本发明提供了应用于农用机械领域的一种农业耕地种植用开沟装置，本申请通过将钻头安装在车架的底部右侧，使得钻头位于该装置行进方向的前端，借助伺服电机带动钻头旋转，使得该装置在进行开沟作业时，钻头可以旋入耕地土壤，在该装置行进方向的前端，施加一个与地面连接的作用点，配合下支撑臂的支撑，可以提高开沟轮与耕地接触的紧密性，避免在面临地面较硬情况下，出现开沟轮难以稳定地切入土壤内部的状况，有利于保障该装置进行开沟作业时的稳定性，同时，钻头的旋转钻探还可以预先对土壤进行松动，进一步降低开沟轮进行开沟作业时的操作难度。
  • 一种农业耕地种植用开沟装置
  • [发明专利]一种拉晶方法-CN202211275521.9有效
  • 苏春声;杨宇昂;向鹏;熊波 - 四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-08-25 - C30B15/20
  • 本发明公开了一种拉晶方法，包括：等径阶段和冷却阶段，在等径阶段中晶体的生长长度依次分为第一等径阶段、第二等径阶段和第三等径阶段；依次调节等径阶段的晶体转速、坩埚转速、炉压以及惰性气体流量以及冷却阶段的炉压以及惰性气体流量；从第一等径阶段至第三等径阶段中，晶体转速先以第一初始晶转运行后逐步增大，再以恒定转速运行；坩埚转速在第一等径阶段内以第一初始埚转运行后逐步增大至最大埚转，在第二等径阶段内保持最大埚转，第二等径阶段后逐步降低；炉压以第一初始炉压运行后逐步降低；惰性气体流量在第一等径阶段内以第一初始流量运行，第一等径阶段后逐步增大，避免晶体径向杂质浓度分布不均，提高晶体径向电阻率的均匀性。
  • 一种方法
  • [发明专利]粮食安全追溯系统及方法-CN202010098059.4有效
  • 吴华帝;刘江蓉;周康;杨华;刘朔;高婧;肖天晨;杨宇昂;夏涵涛;张裕 - 武汉轻工大学
  • 2020-02-17 - 2023-08-01 - G06Q30/018
  • 本发明公开了一种粮食安全追溯系统及方法，系统包括：信息采集模块、数据清洗模块、关键字符提取模块、编码模块、数据存储模块以及信息查询模块；通过信息采集模块通过移动终端获取目标粮食产品的产品数据，再由数据清洗模块和关键字符提取模块对产品数据进行处理，编码模块获取产品数据，并根据预设编码模型对产品数据进行编码，获得粮食安全追溯码，信息查询模块当接收到粮食安全追溯码时，在数据存储模块中查找粮食安全追溯码对应的目标产品信息，并将目标产品信息发送至用户设备进行展示，从而能够方便消费者对粮食产品的相关信息进行查询，达到粮食产品在生产、仓储、经销等过程对消费者和监管部门的透明化。
  • 粮食安全追溯系统方法
  • [实用新型]一种单晶炉热场-CN202320135639.5有效
  • 向鹏;刘怀玉;姜军帮;杨宇昂 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2023-02-03 - 2023-07-21 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及单晶硅生产领域，公开了一种单晶炉热场。本实用新型中，单晶炉热场包括：炉底板，炉底大毡，凸台固毡，中心小毡，保温筒，上盖；其中，所述凸台固毡的上表面设有第一凸台，所述第一凸台的外直径与所述凸台固毡的直径相等，所述第一凸台的内直径大于所述保温筒的外直径。凸台固毡上表面的第一凸台可以在硅液漏出时，防止硅液流至热场底部的其他部件处，从而防止漏硅损坏热场部件，减少了成本的损失和部件的损耗，增加热场的使用寿命。
  • 一种单晶炉热场
  • [发明专利]一种单晶硅制备过程中的投料工艺及装置-CN202310224880.X在审
  • 李永辉;杨宇昂 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-05-30 - C30B15/02
  • 本申请涉及单晶硅拉制技术领域，公开了一种单晶硅制备过程中的投料工艺及装置，投料工艺包括复投料阶段，所述复投料阶段包括如下步骤：利用第一投料装置从单晶炉的侧部进料口往坩埚内投入颗粒硅料；同时控制所述单晶炉顶部的第二投料装置的料筒向靠近坩埚方向下降移动直至预设加料位；当所述第一投料装置投入颗粒硅料后，打开所述料筒使得所述料筒内的第二硅原料覆盖在所述颗粒硅料的上方；其中，所述第二硅原料中的第一筒料为块状硅料，所述块状硅料的直径大于所述颗粒硅料的直径。本申请的投料工艺在加料时，加入的块状硅料可以将第一投料装置加入的颗粒硅料覆盖压住，从而有效防止氢跳现象的发生。
  • 一种单晶硅制备过程中的投料工艺装置
  • [发明专利]一种拉晶工艺和单晶硅-CN202211557439.5在审
  • 苏春声;杨宇昂;向鹏;熊波 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-04-28 - C30B15/20
  • 本发明公开了一种拉晶工艺和单晶硅，该拉晶工艺包括：预先设置晶体的预设直径；检测晶体的重量后，根据晶体的重量调整坩埚的埚升；检测晶体的长度后，根据晶体的长度调整水冷屏位置至等径液口距位置；检测晶体的直径后，根据晶体的直径调整提拉头的预设提升拉速；检测晶体的长度为预设长度后，调整提拉头的预设提升拉速至设定最高拉速。该拉晶工艺中坩埚按照晶体重量的改变自动给定埚升，从而保证坩埚内液体的液面相对加热器的位置不变，此时水冷屏缓慢下降至等径液口距位置，晶体的长度为预设长度后，开始缓慢提升提拉头的预设提升拉速至设定最高拉速，减缓了温度梯度形成过程中剪切应力造成的晶体头部0‑500mm的断苞现象。
  • 一种工艺单晶硅
  • [发明专利]一种颗粒料的加料方法-CN202211585998.7在审
  • 杨宇昂;向鹏;熊波 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-04-07 - C30B15/00
  • 本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种颗粒料的加料方法，包括：准备待加料，所述待加料被存放在至少三个具有预设顺位的料筒中；其中，所述待加料包括颗粒料和等效粒径大于所述颗粒料的碎料和块料，所述颗粒料存放在位于第二至倒数第二中的至少一个顺位的料筒中，且存放所述颗粒料的料筒中按出料顺序依次为碎料、颗粒料和块料存放待加料；其中，每个所述存放颗粒料的料筒中，所述颗粒料的重量的占比不大于70％；按顺位依次将料筒中的待加料加入到坩埚中进行熔料。本发明的方法在加料时，块料则会覆盖于颗粒料之上，压住了颗粒料，从而极大程度上减缓了氢跳现象的发生。
  • 一种颗粒加料方法
  • [发明专利]颗粒料的装料、熔料及复投的方法-CN202211585398.0在审
  • 杨宇昂;向鹏;熊波 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-02-24 - C30B15/02
  • 本申请涉及半导体材料制备领域，公开了一种颗粒料的装料、熔料及复投的方法，装料、熔料的过程包括如下步骤：将第一质量的颗粒料铺置于坩埚底部；在所述第一质量的颗粒料上方装入块料，所述块料与所述坩埚侧壁之间留有间隔空间；在所述间隔空间内以及所述块料的上方铺置碎料，以使所述碎料完全覆盖所述块料和所述第一质量的颗粒料；其中，所述块料的等效直径大于所述碎料的等效直径大于所述第一质量的颗粒料的等效直径；熔料。本申请的方法在加料时，块料和碎料会覆盖于颗粒料之上，压住了颗粒料，从而极大程度上减缓了氢跳现象的发生。
  • 颗粒装料料及方法
  • [实用新型]一种坩埚装置-CN202222305139.X有效
  • 熊波;向鹏;杨宇昂 - 四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-12-13 - C30B15/10
  • 本实用新型公开了一种坩埚装置，包括埚帮，所述埚帮内套设有坩埚，所述埚帮包括侧壁和与所述侧壁相连接的弯折部，所述侧壁与所述弯折部均沿所述埚帮的周向设置；所述侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁靠近所述坩埚一侧，所述第二侧壁远离所述坩埚一侧，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间具有沿周向设置的缝隙，所述缝隙内填充有导热性能好的填充物，所述缝隙远离所述弯折部一侧具有物料填充口。本实用新型在埚帮的缝隙内塞入填充物使坩埚导热更均匀，从而避免了由于坩埚和埚帮吊装的位置偏差引起温度梯度变化而导致的拉晶问题。
  • 一种坩埚装置
  • [实用新型]可增大氩气流速及节约氩气的单晶炉-CN202222241776.5有效
  • 向鹏;杨宇昂;熊波 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2022-08-25 - 2022-12-06 - C30B27/02
  • 本实用新型公开了一种可增大氩气流速及节约氩气的单晶炉，包括：炉体，包括主室；副室位于炉体的一侧，副室连通主室；保温筒设置于主室内，包括依次设置的第一保温盖、第一保温筒和保温毡，第一保温盖位于保温毡靠近副室的一侧，第一保温盖设有通孔；第一保温盖在保温毡所在平面的正投影面积为M，通孔在保温毡所在平面的正投影面积为K，主室与第一保温盖平齐的位置的截面积为N，90％≤(M+K)/N≤100％。通过缩小第一保温盖与炉体之间的间隔，能够使大部分氩气经第一保温盖的通孔流入保温筒内部，从而使进入保温筒内部的氩气流量变大，有助于保护硅溶液和单晶硅不被氧化，还可以减少氩气用量，以降低成本。
  • 增大流速节约单晶炉
  • [实用新型]一种热场结构及单晶炉-CN202221944960.X有效
  • 向鹏;杨宇昂;熊波 - 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-11-08 - C30B15/14
  • 本申请涉及一种热场结构及单晶炉，包括沿热场结构的高度方向依次设置并围合成保温腔的第一保温结构和第二保温结构、加热件和隔热件，隔热件位于加热件的下方并设置有避让缺口用于避让加热件的电连接部。通过设置隔热件能够降低加热件所产生的热量向热场结构的底部空间传播的可能，从而将减少空气对流，进而减少加工的晶棒的含氧量，有利于提高晶棒的质量。避让缺口用于避让电连接部，能够降低电连接部与隔热件发生干涉的可能。
  • 一种结构单晶炉
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