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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体的切割方法-CN202210084391.4在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的切割方法，包括：将半导体固定在UV胶带的粘性层上；控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；控制紫外线灯对所述UV胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；将所述多个单元与所述UV胶带分离。采用本发明实施例，能够减少半导体的边缘崩裂以及因应力过大引起的受力变型的现象发生。
半导体切割方法

[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202210071423.7在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：对待切割的半导体晶圆进行固定；通过激光装置发出激光，对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为1450～1500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
一种半导体切割方法

[发明专利]一种晶圆减薄方法-CN202111115478.5在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆减薄方法，其包括：用UV胶将晶圆粘接在具有透光性的承载基板上；控制砂轮以第一向下进给速率和第一转速对所述晶圆的表面进行第一次研磨，得到一次研磨后的晶圆；控制所述砂轮以第二向下进给速率和第二转速对所述一次研磨后的晶圆的表面进行第二次研磨，得到二次研磨后的晶圆；其中，所述第二向下进给速率小于所述第一向下进给速率，所述第二转速大于所述第一转速；采用紫外光对所述承载基板照射第一预设时间，使得所述UV胶的粘度降低至第一预设粘度；将所述二次研磨后的晶圆从所述承载基板上分离。本发明能够保证晶圆与承载基板之间具有较强的粘接力，同时降低晶圆与承载基板的分离难度。
一种晶圆减薄方法

[发明专利]一种半导体弯曲度的改善方法-CN202111116958.3在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体弯曲度的改善方法，包括：将半导体放置在陶瓷基板的上表面上，并在半导体的表面覆盖防静电膜，使半导体固定在陶瓷基板的上表面上；翻转陶瓷基板，并将陶瓷基板放置在真空室内；对陶瓷基板的下表面进行离子刻蚀，其中，离子刻蚀的源功率为600W～800W，偏压源功率为300W～500W，离子束的流量为150sccm～200sccm，离子束与陶瓷基板的夹角为45°～60°。采用本发明的技术方案能够在不损坏半导体以及不受半导体性能参数的限制的前提下，有效改善半导体的弯曲度。
一种半导体弯曲改善方法

[发明专利]半导体的切割方法-CN202110322695.5在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的半导体的切割方法，包括：配置待切物料、磨刀具以及磨轮，使所述磨刀具位于所述待切物料和所述磨轮之间；控制磨轮切入所述磨刀具，所述磨轮的进给速度处于第一速度；控制所述磨轮从所述磨刀具部分突出并对所述待切物料进行切割，切割时所述磨轮的进给速度于第二速度，所述第二速度低于所述第一速度。该方法能在保证刀具刚度的同时降低切割内应力，进而减少半导体在切割过程中发生的形变。
半导体切割方法

[发明专利]一种半导体表面的刻蚀方法-CN202110123487.2在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面的刻蚀方法，包括：将待刻蚀的半导体置于真空室内，并控制真空室内的真空度稳定在3.5×10‑2Pa～4.5×10‑2Pa范围内；向真空室内通入氧气，并控制真空室内的真空度稳定在1.1×10‑2Pa～1.2×10‑2Pa范围内；根据通入的氧气，采用离子束刻蚀方法对半导体表面进行第一次刻蚀；其中，施加的束流电压为1000V，束流密度大于0.008mA/m3，第一次刻蚀时间在50min～60min范围内；向真空室内通入氩气，采用离子束刻蚀方法对半导体表面进行第二次刻蚀。采用本发明的技术方案能够在氩气刻蚀前修剪薄膜基脚，有效避免半导体表面经氩气刻蚀后的图案产生不规则边缘，从而提高半导体的性能。
一种半导体表面刻蚀方法

[发明专利]一种硅片不良片的制绒处理方法-CN202010938254.3在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片不良片的制绒处理方法，包括：将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150W；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够有效减少资源浪费，降低生产成本。
一种硅片不良处理方法

[发明专利]一种ITO薄膜的制备方法-CN202010211521.7在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜加工技术领域，公开了一种ITO薄膜的制备方法，首先对基片进行预清洗，以除去基片的表面脏污及灰尘，再以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材进行预溅射，从而清洗靶面，接着保证处理腔的温度加热至100℃～150℃，并在处理腔的真空度为2.5×10‑1Pa～3.5×10‑1Pa的条件下，按照体积比16：0.5通入氩气和氧气，并以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材对基片进行溅射，使基片上形成ITO薄膜，从而得到厚度比较均匀的ITO薄膜，由于其均匀性较好，因此容易导走电荷，有利于提高防静电效果。
一种 ito 薄膜制备方法

[发明专利]一种半导体基片刻蚀后氮化物的去除方法-CN201910071391.9在审
发明人： 杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体基片刻蚀后氮化物的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)在二氟甲烷、氮气和氧气混合气体的氛围下将氢氟酸、二氧化碳和去离子水混合溶液均匀覆盖在半导体基片表面，在半导体基片表面形成一层均匀的液体薄膜；(2)在压力600‑900mTorr下，保持所述混合气体持续不断的流过所述覆盖有混合溶液的半导体基片，进行反应，反应的温度为50‑70℃，其中，所述二氟甲烷、氮气和氧气占所述混合气体的体积比分别为60‑90％、5‑30％和5‑10％，所述混合气体的流量为500‑800SCCM。本发明对半导体基片刻蚀后氮化物具有很好的去除效果，同时能够保证半导体基片的完整。
一种半导体刻蚀氮化物去除方法

[发明专利]梳状装配工具及使用其装配磁盘驱动器的方法-CN200610079926.X无效
发明人：何耀诚;陈灿华;赵钦平;杨圣合 -专利权人：新科实业有限公司
申请日： 2006-04-30 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：一种用于装配磁盘驱动器的梳状装配工具包括：梳块，所述梳块包括其上形成有梳钉孔的锁固部，至少一个间隔元件及用于连接所述锁固部与间隔元件的连接臂；收容在所述锁固部的梳钉孔内的梳钉；及与所述梳钉配合并控制该梳钉，使得该梳钉在所述梳钉孔内移动的控制系统。本发明同时揭露了一种使用该梳状装配工具组装磁盘驱动器的方法。
装配工具使用磁盘驱动器方法

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