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[发明专利]等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法-CN202110466298.5在审
发明人：倪图强;郭盛;孙祥;范光伟;杨宽;王洪青;陈星建;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法，其中，下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；耦合环，设于所述聚焦环下方；导电层，设于所述耦合环内；导线，用于电连接所述导电层与基座，使所述基座与导电层之间等电位。所述下电极组件不易发生电弧放电。
等离子体处理装置电极组件及其形成方法

[发明专利]半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置-CN202011308450.9在审
发明人：孙祥;段蛟;陈星建;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体零部件、其形成方法和等离子体处理装置，其中，所述半导体零部件包括：零部件本体；结合层，位于所述零部件本体的表面；耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。所述半导体零部件耐等离子体腐蚀的能力较强，不易产生颗粒污染。
半导体零部件形成方法等离子体处理装置

[发明专利]一种等离子体处理装置及其方法-CN202010987374.2在审
发明人：赵馗;杜若昕;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其方法，该装置包含：真空反应腔，其内具有下电极组件和可移动上电极组件；若干个升降装置与可移动上电极组件连接以使其升降，升降装置包含支撑柱和驱动装置，驱动装置用于驱动支撑柱以使可移动上电极组件升降；若干个气体通道，分别由真空反应腔外部延伸经过真空反应腔底部、支撑柱内部、可移动上电极组件以将工艺气体注入真空反应腔内；若干个导电可伸缩密封结构，分别设置于支撑柱内且环绕气体通道的周围。其优点是：将升降装置、气体通道和密封结构相结合，真空反应腔顶部多次开关也不会影响可移动上电极组件，更容易保持所述可移动上电极组件和晶圆、下电极组件之间的同心度，保证了斜边刻蚀的工艺效果。
一种等离子体处理装置及其方法

[发明专利]耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置-CN202010548393.5在审
发明人：孙祥;段蛟;陈星建;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，通过在衬底表面种植晶种后再进行镀膜，晶种在镀膜过程中起诱导作用，解决了现有技术中衬底法线偏离靶材分子流运动方向情况下，耐腐蚀涂层晶格生长方向偏离衬底法线方向，涂层沉积不均匀，易脱落的缺陷，本发明方法形成的涂层晶格的生长方向与衬底表面的法线方向平行，具有高致密的特性，与衬底的结合力较强，降低了涂层的脱落风险。进一步地，还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过上述方法在反应装置的反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面镀膜，得到的耐腐蚀涂层不易脱落，提升了刻蚀腔体环境的稳定性，提高工件服役寿命，提高了半导体刻蚀良率。
腐蚀涂层镀膜方法等离子体刻蚀零部件反应装置

[发明专利]耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置-CN202010548424.7在审
发明人：段蛟;孙祥;陈星建;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐腐蚀涂层形成方法，通过在制备涂层装置中的真空反应腔内设置多个增强源，调控分子流的运动方向，解决了现有技术中衬底侧壁涂层结构疏松，容易脱落的缺陷；进一步地，本发明还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过所述涂层形成方法在反应装置的反应腔内壁表面和等离子刻蚀零部件表面进行耐腐蚀涂层涂覆，得到在不同特征表面都具有结构致密的耐腐蚀涂层涂覆的等离子刻蚀零部件；所述零部件应用在等离子体反应装置中，由于其表面涂层结构致密不易脱落，从而提高了工件服役寿命，提升了刻蚀腔体环境的稳定性，并进一步提高了半导体刻蚀良率。
腐蚀涂层形成方法装置等离子体零部件反应

[发明专利]一种低温刻蚀的方法及装置-CN202010345284.3在审
发明人：倪图强;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片的低温刻蚀方法，所述基片包括介质材料，所述方法包括：a)将基片放置在一腔体的基座上，所述基座包括其中具有流动的冷却剂的冷却通道，b)通过冷却剂将基片冷却到一冷却温度，所述冷却温度小于等于‑20℃，c)向所述腔体通入刻蚀气体以生产等离子体，刻蚀基片的介质材料，所述刻蚀气体包括卤素族单质或其化合物气体。本发明还公开了一种使用上述方法的刻蚀装置。
一种低温刻蚀方法装置

[实用新型]等离子体处理装置和下电极组件-CN202120898009.4有效
发明人：倪图强;郭盛;孙祥;范光伟;杨宽;王洪青;陈星建;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置和下电极组件，其中，下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；耦合环，设于所述聚焦环下方；导电层，设于所述耦合环内；导线，用于电连接所述导电层与基座，使所述基座与导电层之间等电位。所述下电极组件不易发生电弧放电。
等离子体处理装置电极组件

[实用新型]半导体零部件和等离子体处理装置-CN202022706926.6有效
发明人：孙祥;段蛟;陈星建;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体零部件和等离子体处理装置，其中，所述半导体零部件包括：零部件本体；结合层，位于所述零部件本体的表面；耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。所述半导体零部件耐等离子体腐蚀的能力较强，不易产生颗粒污染。
半导体零部件等离子体处理装置

[发明专利]用于形成接触孔的方法与等离子体刻蚀方法-CN201610614424.6有效
发明人：王晓雯;王兆祥;杜若昕;苏兴才 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供用于形成接触孔的方法与等离子体刻蚀方法，用以抑制栅上方氮化物层的肩部损伤。其中，所述等离子体刻蚀方法，包括：提供基片至等离子体刻蚀装置的反应腔，所述基片包括多个栅、位于栅上方及两侧的氮化物层、填充在相邻栅之间及氮化物层上方的氧化物层；将第一气体作为反应气体通入至反应腔，刻蚀所述氧化物层；将第二气体作为反应气体通入至反应腔，修复栅上方的氮化物层的形貌；将反应气体切换回第一气体，刻蚀相邻栅之间的氧化物层，以形成所述接触孔；其中，所述第一气体对氧化物层的刻蚀速度比第二气体快，所述第二气体对氮化物层的刻蚀速度比第一气体快。
用于形成接触方法等离子体刻蚀

[发明专利]关键尺寸控制系统-CN201210458267.6有效
发明人：杨平;黄智林;王兆祥;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种关键尺寸控制系统以及等离子体处理装置，包括如第一温控装置和/或第二温控装置，第一温控装置与气体喷淋头接触，用于检测并调控气体喷淋头的温度，第二温控装置与接地环接触，用于检测并调控接地环的温度；以及控制单元，对应于第一温控装置和/或第二温控装置而生成如下控制信号中的至少一种第一控制信号，用于控制第一温控装置调节气体喷淋头的温度；第二控制信号，用于控制第二温控装置调节接地环的温度。其通过对气体喷淋头和接地环的温度控制，实现了对晶圆不同区域的关键尺寸的调控，实现代价小，易于扩展应用。
关键尺寸控制系统

[发明专利]间隔层双曝光刻蚀方法-CN201310302894.5有效
发明人：王兆祥;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一特间隔层双曝光刻蚀方法，在有机材料层、半导体基底进行刻蚀前，采用含CF4、Ar、Xe等易形成正离子气体的刻蚀气体对间隔层进行刻蚀，实现对间隔层形貌的修正，在减薄间隔层厚度的同时，将其形貌修正为对称或近似对称的结构，从而避免间隔层引起的刻蚀速率不均匀以及过刻等问题。同时，通过刻对间隔层减薄，也在一定程度上减小了间隔层和有机材料层之间的应力，从而改善刻蚀结构的线边缘粗糙度，提高半导体基底的刻蚀质量。
间隔曝光刻蚀方法

[发明专利]一种等离子体处理装置及应用于等离子处理装置的边缘环-CN201110407353.X有效
发明人：倪图强;刘志强;杜若昕 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于等离子处理装置以及用于该等离子体处理装置的边缘环，其中，其中所述等离子处理装置包括一个反应腔体，反应腔体围绕一个基座，基座上固定有待加工基片，基座与反应腔体顶壁之间的空间构成一个等离子加工区，其中所述边缘环安装在基座上靠近并环绕所述基片，所述边缘环上表面暴露到所述等离子加工区，其中所述边缘环包括一个本体部分和位于本体部分上表面的镀层部分，所述镀层为TiN材料。通过边缘环上镀含钛材料层可以减轻自由基对掩膜的破坏。
一种等离子体处理装置应用于等离子边缘

[发明专利]一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置-CN201210521264.2有效
发明人：刘志强;王兆祥;杜若昕;黄智林 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的频率范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的频率范围为1MHz至15MHz，使用本发明的改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置进行底部介质隔离层的刻蚀时，光刻胶侧面的粗糙条痕没有往下传，避免了对聚合物层的表面和侧壁形成破坏，相比现有工艺，采用本发明的刻蚀结果聚合物层的表面和侧壁没有变粗糙和出现条痕，通孔的条痕大大改善。
一种改善侧壁条痕刻蚀工艺及其装置

[发明专利]等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法-CN201310504954.1在审
发明人： 杜若昕;梁洁;王洪青;刘志强;苏兴才 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题，且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。
等离子体处理及其夹持装置方法

[发明专利]光刻胶去除方法-CN201310039528.5有效
发明人：王兆祥;杜若昕;刘骁兵;刘志强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
光刻去除方法

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