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[发明专利]一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法-CN200710179381.4无效
发明人：李文兵;韩勤;秦龙;杨晓红;倪海乔;杜云;朱彬;鞠研玲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法，包括如下步骤：a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构，砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜；b>在晶片表面光刻出所需图形，在晶片表面非选择性的垂直腐蚀出台面，将砷化铝牺牲层的侧壁暴露出来；c>在恒温水浴缸中用稀盐酸选择腐蚀晶片上的砷化铝牺牲层；d>用特制的聚瓷氟漏勺将选择腐蚀完毕的晶片转移到盛有甲醇或丙酮的烧杯中，清洗晶片；e>将盛有甲醇或丙酮的烧杯静置于恒温环境中，直到甲醇或丙酮完全挥发，取出晶片；f>测量盐稀酸侧蚀砷化铝的深度，估算稀盐酸侧蚀砷化铝的平均速率，得到所需的空气隙结构。
一种利用盐酸选择腐蚀铝制空气结构方法

[发明专利]处理器核心堆栈扩展-CN200780020616.3无效
发明人：焦国方;于春;杜云 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明大体上是针对用于控制堆栈溢出的技术。本文描述的技术利用位于处理器核心外部的共用高速缓冲存储器或存储器的一部分作为堆栈扩展。处理器核心监视所述处理器核心内的堆栈，并在所述处理器核心堆栈超过最大条目数目时将所述堆栈的内容转移到所述处理器外部的所述堆栈扩展。当所述处理器核心确定所述处理器核心内的所述堆栈下降到最小条目数目以下时，所述处理器核心将维持在所述堆栈扩展中的所述内容的至少一部分转移到所述处理器核心内的所述堆栈中。所述技术通过利用所述处理器核心外部的堆栈扩展而防止了在所述处理器核心内执行的线程的故障和崩溃。
处理器核心堆栈扩展

[发明专利]具有深度引擎的动态复位的图形系统-CN200780017169.6有效
发明人：于春;布莱恩·鲁藤伯格;焦国方;杜云 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G06T15/40 文献下载
摘要：一种图形系统包含图形处理器，其包括：多个经配置以处理图形图像的单元；以及深度引擎，其经配置以接收和处理基于选择值而从两个单元中的一者选择的数据。
具有深度引擎动态复位图形系统

[发明专利]具有可配置高速缓存器的图形系统-CN200780014601.6有效
发明人：于春;焦国方;杜云 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G06T1/60 文献下载
摘要：一种图形系统包含图形处理器及高速缓冲存储器系统。所述图形处理器包含执行用以渲染图形图像的各种图形操作的处理单元。所述高速缓冲存储器系统可包含完全可配置高速缓存器、部分可配置高速缓存器或可配置高速缓存器与专用高速缓存器的组合。所述高速缓冲存储器系统可进一步包含控制单元、纵横杆及仲裁器。所述控制单元可确定所述处理单元对存储器的利用率并基于存储器利用率将所述可配置高速缓存器指派给所述处理单元。所述可配置高速缓存器可经指派以实现对这些高速缓存器的良好利用率且避免存储器存取瓶颈。所述纵横杆将所述处理单元耦合到其被指派的高速缓存器。所述仲裁器促进所述高速缓存器与主存储器之间的数据交换。
具有配置高速缓存图形系统

[发明专利]阿曲库铵冷冻干燥组合物-CN200710127756.2有效
发明人：黄乐群;王磊;宋格胜;杜云;刘胤;许小兵 -专利权人：黄乐群;王磊
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： A61K31/472 文献下载
摘要：本发明公开了一种阿曲库铵冷冻干燥组合物，其特征在于该组合物以阿曲库铵或其药学上可接受的盐或其光学异构体为活性成分，并且其中还含有糖和有机酸。本发明还公开了一种上述阿曲库铵冷冻干燥组合物的制备方法。本发明所得的冻干制剂既有水溶性好、贮存稳定的优点，又有对血管刺激小，对人体安全性高的优点，更适于临床应用。
阿曲库铵冷冻干燥组合

[实用新型]可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置-CN200420009923.5无效
发明人：佟存柱;牛智川;韩勤;杜云;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型一种可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置，其特征在于，其组成包括：一承载舟，该承载舟为矩形槽体，在内部底面上刻有多个窄槽；一石英柄，该石英柄与承载舟的一窄侧端连接。本实用新型适用于砷化铝高精度氧化处理，可用于氧化限制型垂直腔面发射激光器的大规模生产。
提高砷化铝氧化均匀外延承载装置

[发明专利]依普利酮的合成方法-CN200510041015.3无效
发明人：王少仲;李建新;王磊;杜云;黄乐群 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C07J71/00 文献下载
摘要：依普利酮的合成方法，先用11α－羟基咖哩酮与丙酮氰醇发生双Michael加成/Aldo缩合联串反应生成烯胺(8)，后者部分水解生成中间体(5)，将化合物(5)在碱性条件下开环至羟基酯11α，17α－二羟基－3－氧代－γ－内酯－孕甾－4－烯－7α，21－二羧酸甲酯(9)；化合物(9)消去反应生成烯酯，用三氯氧磷，然后室温反应12－24小时，用二氯甲烷溶剂提取，合并有机相，洗涤后干燥得到化合物(10)，接着进行9α，11－双键选择性环氧化反应，水层再用二氯甲烷提取，合并有机相。依次用NaHSO₃溶液、饱和Na₂CO₃溶液、稀盐酸以及饱和NaCl溶液洗涤后干燥；常压蒸馏浓缩，生成依普利酮。
依普利酮合成方法

[发明专利]合成美金刚胺盐酸盐的方法-CN200410013859.2无效
发明人：王少仲;李建新;杜云;王磊;黄乐群 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C07C211/38 文献下载
摘要：合成美金刚胺盐酸盐的方法，由1，3－二甲基金刚烷起始一步法同时进行溴代、Ritter反应，上述反应的中间体直接醇解，碱性水解生成美金刚胺；用甲苯类溶剂提取后成盐得到美金刚胺盐酸盐粗品；粗品通过溶剂重结晶提纯。直接醇解的方法是：上述反应混合物直接倒入极性质子溶剂醇溶剂中搅拌，进行醇解反应；所使用的醇碳链为C₁－C₄及其异构体；醇解温度为0℃至醇的沸点，调节体系至碱性溶液，碱性水解；水解后生成游离的美金刚胺，用芳烃溶剂从水层中提取；合并后的有机层经水洗干躁后过滤、减压下浓缩滤液，浓缩液与浓盐酸成盐得到美金刚胺盐酸盐粗品。以醇/芳烃混合溶剂重结晶提纯。
合成金刚盐酸方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器的光收发一体模块-CN03120595.X无效
发明人：陈弘达;申荣铉;毛陆虹;吴荣汉;杜云;唐君;梁琨 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明一种垂直腔面发射激光器的的光收发一体模块，包括：一用于集成发射和接收组件的高频印制电路板；一光发射组件，包括垂直腔面发射激光器及驱动电路，该垂直腔面发射激光器与驱动电路连接；一光接收组件，包括探测器及接收电路，该探测器与接收电路连接；该光发射组件和光接收组件固定在高频印制电路板上；该上述各部件封装在同一个管壳内，形成收发一体的光传输模块。
垂直发射激光器收发一体模块

[发明专利]大规模光电集成RCE探测器面阵器件-CN03101530.1无效
发明人：陈弘达;裴为华;毛陆虹;吴荣汉;杜云;唐君;邓晖;梁琨 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-01-16 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上；正电极制作在布拉格透射镜上，该正电极是在多量子阱光吸收区的一侧；负电极制作在高反布拉格反射镜上；在正电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一正电极；在负电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一负电极；一硅基后处理电路芯片焊接在正电极和负电极上。
大规模光电集成 rce 探测器器件

[发明专利]基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵-CN03102769.5无效
发明人：陈弘达;吴荣汉;杜云;毛陆虹;唐君;裴为华;梁琨 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-01-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件，列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上，该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同；正电极制作在高反布拉格反射镜上；负电极制作在布拉格反射镜上，并在多量子阱光吸收区的一侧；三氧化硅绝缘层、淀积在器件表面。
基于激子效应多量子阱光调制器探测器列阵

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