“村上洋树”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电压生成电路及半导体装置-CN202210637061.3在审
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种电压生成电路及半导体装置，可在不使用深度掉电模式的情况下抑制漏电流。本发明的电压生成电路包含：参考电压生成部，生成参考电压；漏电流监视部，生成与周边电路的漏电流相对应的漏电流；输出电压控制部，根据漏电流来控制参考电压，并输出控制后的参考电压；备用电压生成部，根据控制后的参考电压对周边电路供给内部供给电压；以及电压降检测部，检测控制后的参考电压已下降到一定电平这一情况。输出电压控制部根据电压降检测部的检测结果对控制后的参考电压进行控制。
电压生成电路半导体装置

[发明专利]电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置-CN202011299442.2有效
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置，该电压产生电路能够追求省空间化、构成简易、并且产生高信赖性的电压。本发明的电压产生电路包含基准电压产生部、PTAT电压产生部、比较部以及选择部。基准电压产生部产生几乎没有温度依存性的基准电压。PTAT电压产生部产生具有正或负的温度依存性的温度依存电压，且温度依存电压在目标温度时具有与基准电压相等的电压。比较部比较基准电压以及温度依存电压。选择部基于比较部的比较结果，选择基准电压及温度依存电压的其中一个，并输出所选择的基准电压或温度依存电压。
电压产生电路以及使用半导体装置

[发明专利]保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置-CN202010099528.4有效
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置，使得关于运作信息的逆向工程变得困难。本发明以防范逆向工程的保护方法，生成正常运作时的期望值(S100)；监视半导体集成电路的监视地点P1、P2的电压波形(S102)；对监视的电压波形当中生成的测定值，与期望值进行比较(S104)；基于比较结果判定是否有逆向工程(S106)；以及判定为有逆向工程的情况下，使半导体集成电路执行异于正常运作的保护模式(S108)。
保护半导体集成电路防范逆向工程方法装置

[发明专利]基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置-CN202010030156.X有效
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置，该基准电压产生电路包含：PMOS晶体管P1、P2，被配置为对第1、第2电流路径提供相同电流值的电流源；双极晶体管Q1，在第1电流路径连接PMOS晶体管P1；双极晶体管Q2，在第2电流路径连接PMOS晶体管P2；差动放大电路AMP，控制PMOS晶体管P1、P2的栅极，使得节点VN与节点VP的电压相等；输出节点BGR，输出基准电压Vref；以及基准电压保证部130，当节点VN的电压与节点VP的电压的差在一定值以下保持不变时，输出检测信号BGRDET。
基准电压产生电路电源开启检测以及半导体装置

[发明专利]振荡电路以及半导体集成电路-CN202110386825.1在审
发明人：中谷真史;村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种振荡电路以及半导体集成电路，能够抑制由于定电流电路的异常所引起的时钟信号的频率的上限。本发明的振荡电路包含定电流电路、振荡器以及电流限制电路。定电流电路根据电源电压而产生第1输出电流。电流限制电路接收第1输出电流及产生第2输出电流，且在电源电压下降到低于定电流电路的运作保证范围的下限时，限制第2输出电流的上限。振荡器根据第2输出电流而产生时钟信号。通过限制第2输出电流的上限，可限制时钟信号的最大频率。
振荡电路以及半导体集成电路

[发明专利]电荷泵电路、半导体装置以及半导体存储装置-CN201911132996.0有效
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷泵电路、半导体装置以及半导体存储装置。本发明的电荷泵电路100包含：主泵电路CPn_M；以及栅极控制用泵电路CPn_G，控制主泵电路CPn_M。主泵电路与控制用泵电路的基本构成相同，为KER型泵电路。当主泵电路进行升压之后，控制用泵电路控制主泵电路的晶体管的运作，使得反方向的电流不会从主泵电路流入前段的泵电路。
电荷电路半导体装置以及存储

[发明专利]半导体存储装置以及电压产生电路-CN201910019418.X有效
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置以及电压产生电路。与现有技术相比，电压产生电路显著减小的电路规模。本发明的电压产生电路包括电荷泵、电阻以及电流源电路。电荷泵将升压电压输出到输出节点。电阻连接于输出节点与另一输出节点之间。电流源电路具有并联连接于上述另一输出节点与参考电位之间的第一电流路径以及第二电流路径。第一电流路径包括电阻以及第一DAC。第一DAC产生对应于电压产生码的第一定电流。第二电流路径包括第二DAC。第二DAC产生对应于通过反相电压产生码而获得的码的第二定电流。因此，通过降低升压电压而获得的驱动电压被产生在在另一输出节点。
半导体存储装置以及电压产生电路

[发明专利]半导体装置-CN201710282990.6有效
发明人： 村上洋树;妹尾真言 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，本发明的电压生成电路(100)，包含控制逻辑(110)、电压生成部(120)及连接部(130)。电压生成部(120)包含：多个寄存器(A‑1、B‑1、C‑1、D‑1)，保持从控制逻辑(110)提供的数据；电压生成块(A‑2、B‑2、C‑2)，基于由寄存器(A‑1、B‑1、C‑1)所保持的电压控制数据来生成电压；以及电压开关(32)，基于由寄存器(D‑1)所保持的选择控制数据来选择电压，连接部(130)包含：串行传输电压控制数据或选择控制数据的信号线；串行传输时钟信号(CLK)的信号线；以及对由寄存器所保持的数据的输出进行控制的信号线。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201810635517.6有效
发明人： 村上洋树;小嶋英充 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种能够正确读取数据的半导体存储装置。本发明的存储装置包括存储器单元阵列、页缓冲器、差动感测放大器、输出电路和验证电路。页缓冲器维持从存储器单元阵列所读取的数据，并且响应于列选择信号，将所维持的数据输出至数据总线。差动感测放大器响应于感测使能信号，用以感测数据总线上的数据。输出电路输出由差动感测放大器所感测的数据。验证电路验证差动感测放大器的操作边限。根据验证电路所验证的结果，调整感测使能信号的时序。本发明能够因应制造偏差和操作环境变动来正确地读取数据。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其操作设定方法-CN201711328187.8有效
发明人： 村上洋树;妹尾真言 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及其操作设定方法，能够减少ROM的选项数据资源，并且能够维持操作的弹性。本发明的半导体存储装置包含存储最适合选项数据的存储器单元阵列、CPU、RAM和ROM。CPU对应于所需要的操作，从存储器单元阵列的选项数据存储器读取最适合选项数据并暂存在RAM，且利用从RAM读取的最适合选项数据，控制半导体存储装置的操作。
半导体存储装置及其操作设定方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201710611353.9有效
发明人： 村上洋树;妹尾真言 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：半导体存储装置，具有数据输入部110，回应外部控制信号而接收命令及位址等输入数据；存储器阵列部130，包含多个存储器元件；数据输出部140，回应外部控制信号而输出从存储器阵列部被读取的数据，以及，具有延迟补偿功能的控制部160，延迟补偿功能，在输入数据被接收的期间，评估内部电路的延迟时间，将由评估而得的延迟信息贮存在存储装置，且基于延迟信息调整数据输出部140的输出时序。本发明提供的半导体存储装置可以同步于来自外部的控制信号而可高速动作。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法-CN201811344896.X有效
发明人：妹尾真言;村上洋树;山内一贵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种可执行高可靠度的上电程序的半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法。本发明的快闪存储器的控制器于外部的电源被提供时，通过与时脉信号同步读取ROM所储存的代码以执行上电程序。此外，当检测出电源的电压于上电程序过程中下降至临界值以下时，控制器还将时脉信号去活化，以停止上电程序，并且当检测出电源的电压超过临界值时，将时脉信号活化，以恢复上电程序。藉由上述操作，可提高上电程序的可靠性，并且可防止诱发不稳定的操作或者错误的操作。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其字线的驱动方法-CN201710238959.2有效
发明人： 村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其字线的驱动方法。本发明的闪速存储器包括：存储单元阵列，包含多个区块；以及区块选择部(200)，基于行地址信息来选择存储单元阵列的区块。区块选择部(200)包含：区块选择晶体管(230)，连接于区块的各字线；电平移位器(210)，对连接于区块选择晶体管(230)的各栅极的节点(N2)供给电压；升压电路(220)，对节点(N2)的电位进行升压；以及电压供给部，对区块选择晶体管的其中一个端子供给动作电压。节点(N2)在通过来自电压供给部的动作电压来进行第1增压后，通过升压电路(220)来进行第2增压。
非易失性半导体存储装置及其驱动方法

[发明专利]半导体存储装置以及读出方法-CN201811323630.7有效
发明人：山内一贵;妹尾真言;村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片尺寸与现有相比更小的半导体存储装置以及读出方法。本发明的快闪存储器(100)具有：存储单元阵列(110)；页面缓冲器/感测电路(160)，包含：感测节点(SNS)，对自存储单元阵列(110)的所选择的页面读出的数据进行感测；及锁存电路，保持由感测节点(SNS)而感测到的数据；以及控制器(140)，控制自存储单元阵列(110)的读出或对存储单元阵列(110)的程序化等操作；且感测节点(SNS)包括NMOS电容器。
半导体存储装置以及读出方法

[发明专利]快闪存储器装置及其抹除方法-CN201710075431.8有效
发明人： 村上洋树;荒川贤一 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制抹除动作时的电力消耗的快闪存储器装置及其抹除方法，本发明的快闪存储器装置，包括形成有记忆胞的多个阱，施加抹除电压至所选择阱且进行记忆胞数据抹除的抹除装置，及，进行多个阱间的选择性耦合的耦合装置，当进行前述一方的阱和另一方的阱的抹除时，抹除装置施加抹除电压至前述一方的阱，再通过前述耦合装置将前述一方的阱和前述另一方的阱电性耦合之后，施加抹除电压至前述另一方的阱。通过本发明能够抑制抹除时的抹除电压的消耗。
闪存装置及其方法

1
2
下一页»
尾页
共 24 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top