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[发明专利]一种万向热敏刺激仪-CN201710526422.6有效
发明人：熊利泽;张明;邓姣;马永圆;白福海;李雨衡 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： A61D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种万向热敏刺激仪，包括底座以及安装在底座上的万向支架，万向支架包括第一立柱和第二立柱，第一立柱和第二立柱上均设置有套管，套管上安装有定位螺栓，且通过固定支架安装有卡箍；套管包括套设在第一立柱上的第一套管和套设在第二立柱上的第二套管，第二立柱安装于第一套管上的卡箍内，光源系统安装于第二套管卡箍内，第二立柱与光源系统均安装在卡箍内，第二立柱能沿着第一立柱的轴线方向滑动，同时能在其自身所在平面内任意角度旋转；光源系统能沿着第二立柱的轴线方向滑动，并且能在垂直于第二立柱的平面方向任意角度旋转，结合第一立柱的移动与旋转，从而实现光源的任意角度调节，同时亦能实现高度的调节，实现对实验动物任意区域的热敏测定，拓宽了热敏的研究领域。
一种万向热敏刺激

[实用新型]IGBT器件及芯片-CN202221006202.3有效
发明人：常东旭;李雨衡;王振达;周源;李静怡;王超;朱林迪;梁维佳;胡磊 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT器件及芯片。IGBT器件包括半导体基板上间隔设置的多个场限环，环绕在多个场限环外侧的结终端延伸结构，最内侧的场限环定义出有源区，有源区中设置多个刻开区；相邻场限环的第一掺杂区接触或交叠；结终端延伸结构的第二掺杂区与最外侧场限环中的第一掺杂区接触或交叠；第二掺杂区的深度小于或等于最外侧场限环中第一掺杂区的深度；最外侧刻开区的第三掺杂区的深度小于或等于最内侧场限环的第一掺杂区的深度；最外侧刻开区的第三掺杂区与最内侧场限环的第一掺杂区接触或交叠。本实用新型提供的IGBT器件具有较强的耐压性。
igbt 器件芯片

[实用新型]功率半导体器件及芯片-CN202221006205.7有效
发明人：常东旭;胡磊;李静怡;王振达;李雨衡;周源;王超;朱林迪;梁维佳 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种功率半导体器件及芯片。该功率半导体器件包括半导体基板上多个间隔设置的场限环，最内侧场限环定义出有源区；相邻场限环的第一掺杂区接触或交叠；在相邻两个场限环中，内侧场限环的第一掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离不大于外侧场限环的第一掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离；有源区中形成有多个刻开区与最内侧场限环相邻的最外侧刻开区的第二掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离，不小于最内侧场限环的第一掺杂区距离半导体基板下表面的距离，最外侧刻开区的第二掺杂区与最内侧场限环的第一掺杂区接触或交叠。本实用新型实施例提供的功率半导体器件可提高器件的耐压并降低器件的漏电。
功率半导体器件芯片

[实用新型]用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构-CN202220324903.5有效
发明人：朱林迪;万珊珊;张小麟;罗胡瑞;王振达;李雨衡 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构，包括：第一沟槽结构，包括：第一沟槽，至少位于第一沟槽中隔离的第一屏蔽栅和第一测试栅；第一测试栅位于第一屏蔽栅的顶部两侧；第二沟槽结构，包括：第二沟槽，位于第二沟槽中的第二屏蔽栅和彼此隔离的至少位于第二沟槽中的第二测试栅；第二测试栅位于第二屏蔽栅上方；第一测试端与第一测试栅电接触；第二测试端与第二测试栅电接触，第一测试栅和第二测试栅中，其一为屏蔽栅型MOSFET中沟道栅的模拟结构，另一为屏蔽栅型MOSFET中源区表面的多晶硅层的模拟结构。通过监测第一测试端和第二测试端之间是否导通，对屏蔽栅型MOSFET中是否存在多晶硅残留进行监控，进而提升了屏蔽栅型MOSFET的可靠性和生产效率。
用于屏蔽 mosfet 测试结构

[发明专利]一种钛合金的复合材料及其制备方法-CN202110768434.6在审
发明人：仇庆凡;孙世波;李雨衡;景建元;赵海云;王艳玲 -专利权人：北京金宇顺达科技股份有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明属于合金材料技术领域，涉及一种钛合金的复合材料及其制备方法。所述的复合材料以钛合金为基体，在基体表面涂覆WC基复合涂层，所述的WC基复合涂层由WC陶瓷相和金属粘结相组成，所述的WC陶瓷相用于提高硬度和耐磨性，所述的金属粘结相用于粘结所述的WC陶瓷相，提供塑韧性。利用本发明的钛合金的复合材料及其制备方法，能够使制得的复合材料解决钛合金表面硬度低和耐磨性差的问题，具有更高的硬度和强度。
一种钛合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种促进TFEB核转位的短肽及基于其的线性短肽和其减轻脑缺血损伤的应用-CN201911089061.9有效
发明人：方宗平;冯云;侯武刚;张西京;熊利泽;董海龙;苏斌虓;李雨衡;王佳佳;王世全;王进;邓姣;杨博;左文强 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种促进TFEB核转位的短肽及基于其的线性短肽和其减轻脑缺血损伤的应用，属于生物医药技术领域。本发明公开的短肽是一种由TFEB蛋白与14‑3‑3蛋白结合的功能区域融合而成的短肽，其核苷酸序列如SEQ.ID.NO.1所示。本发明还公开了保护上述短肽的线性短肽，由穿膜肽与上述短肽融合而成。本发明通过实验验证了合成的融合肽能够调控TFEB核转位，促进CMA减轻细胞损伤。因此，公开了其减轻神经元死亡以及改善脑缺血损伤的治疗新靶点的应用。
一种促进 tfeb 核转位基于线性减轻缺血损伤应用

[发明专利]一种抑制MD2与CIRP蛋白结合的短肽及其应用-CN201810877445.6在审
发明人：方宗平;熊利泽;董海龙;冯云;邓姣;杨谦梓;白福海;李雨衡 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制MD2与CIRP蛋白结合的短肽及其应用，属于生物医药技术领域。本发明公开的短肽是一种基于穿膜肽TAT序列和CIRP蛋白与MD2蛋白结合序列的融合肽。其核苷酸序列如SEQ.ID.NO.3所示。本发明通过实验验证了合成的融合肽能够调控MD2的功能。因此，公开了其同时抑制炎症反应、凋亡、坏死性凋亡，促进损伤修复的治疗新靶点的应用。
短肽蛋白结合融合肽应用生物医药技术抑制炎症反应核苷酸序列坏死性凋亡结合序列实验验证损伤修复穿膜肽靶点凋亡蛋白合成调控治疗

[实用新型]一种用于大鼠麻醉的实验箱-CN201720388959.6有效
发明人：杨谦梓;王世全;熊利泽;李雨衡 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： A61D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大鼠麻醉的实验箱。它包括箱体、竖隔板、横隔板盒、进气口和出气口，箱体底部上方设置有横隔板盒，横隔板盒与箱体之间设置有多个竖隔板，竖隔板将箱体隔离成多个格挡，箱体一侧壁上部设置有进气口，箱体另一侧壁下部设置有出气口；所述的竖隔板、横隔板盒上均设置有通气孔。本实用新型结构设计合理，操作方便，能够有效地保证气体流通、二氧化碳吸附，防止动物踩踏、窒息，提高了动物麻醉实验的准确性。
横隔板竖隔板进气口本实用新型大鼠麻醉出气口实验箱二氧化碳吸附动物踩踏动物麻醉气体流通壁下部通气孔有效地格挡窒息隔离保证

[实用新型]一种用于电针实验的防应激固定装置-CN201720116896.9有效
发明人：熊利泽;李雨衡;杨谦梓;马永圆 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： A61D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电针实验的防应激固定装置，包括底座，底座上固定有支撑立柱，立柱上安装有支撑板，支撑板的前部设置有不透光头套，支撑板的后部设置有贯通支撑板上下表面的一对后肢安放孔；支撑板底部的两侧设置有导轨，导轨内安装有能够沿着导轨前后运动的后肢固定机构，后肢固定机构使得大鼠在实验中因后肢着力而从套筒中退出，从而使得大鼠能够处于安静状态下进行电针实验。本实用新型的装置用用于大鼠的电针实验，可以防止实验下大鼠情绪过于激动使得生理状况发生变化而影响实验结果，避免产生掉针等问题，本实用新型的装置从水平方向和垂直方向均对大鼠的后肢进行了限定，能够确保大鼠在实验过程中后肢不会伸出支撑板外。
一种用于电针实验应激固定装置

[实用新型]一种经皮电刺激治疗的双极电极片及其绝缘吸盘-CN201420574092.X有效
发明人：王强;高子军;李雨衡;熊利泽 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： A61N1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种经皮电刺激治疗的双极电极片及其绝缘吸盘，包括保护底层，该双极电极片还包括：黏贴层，黏贴层上设置有穿透该黏贴层的正极触点和负极触点，黏贴层下表面上设置有倒扣的绝缘吸盘，正极触点穿过该绝缘吸盘；电极层，电极层上设置有正极接线柱和负极接线柱，分别连接于黏贴层上的正极触点和负极触点；所述的电极层、黏贴层和保护底层由上至下依次连接。双极电极片能精确地定位并且作用于特定穴位，克服了传统单极电极片使用过程中有可能覆盖其余穴位的缺陷；由于该电极片作用的精确性，使电刺激的调整、可控性强，同时便于准确了解揭示电刺激强度与人体穴位及治疗效果之间的关系，对电刺激穴位治疗的研究具有较大的推进作用。
一种经皮电刺激治疗电极及其绝缘吸盘

[发明专利]一种经皮电刺激治疗的双极电极片及其绝缘吸盘-CN201410520552.5有效
发明人：王强;高子军;李雨衡;熊利泽 -专利权人：中国人民解放军第四军医大学
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： A61N1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种经皮电刺激治疗的双极电极片及其绝缘吸盘，包括保护底层，该双极电极片还包括：黏贴层，黏贴层上设置有穿透该黏贴层的正极触点和负极触点，黏贴层下表面上设置有倒扣的绝缘吸盘，正极触点穿过该绝缘吸盘；电极层，电极层上设置有正极接线柱和负极接线柱，分别连接于黏贴层上的正极触点和负极触点；所述的电极层、黏贴层和保护底层由上至下依次连接。双极电极片能精确地定位并且作用于特定穴位，克服了传统单极电极片使用过程中有可能覆盖其余穴位的缺陷；由于该电极片作用的精确性，使电刺激的调整、可控性强，同时便于准确了解揭示电刺激强度与人体穴位及治疗效果之间的关系，对电刺激穴位治疗的研究具有较大的推进作用。
一种经皮电刺激治疗电极及其绝缘吸盘

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