专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种数据存储平台智能监控方法-CN202310852964.8在审
  • 李超成;高鸿波;刘毅;康凯;刘大维;高雷;饶智斌 - 北京铜牛信息科技股份有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-10-27 - G06F11/30
  • 本发明公开一种数据存储平台智能监控方法,包括步骤:S1、根据分布式存储平台存储框架建立监控节点;S3、搭载虚拟机,监听受控节点和监控节点;S4、当受控节点有数据传输动作时,S5、监控节点判断受控节点在预设的时间内有无发送数据传输动作信息,若无,则进入步骤S6;S6、判断虚拟机是否接收到受控节点发送的数据传输动作信息,S7、通过虚拟机判断数据传输动作的合法性或往受控节点上游查找监控节点建立临时监控节点,接收数据传输动作信息。本发明根据分布式存储平台存储框架不同设置相应的监控节点,确保分布式存储平台存储框架均受到监控节点的保护,同时通过虚拟机的设置确保监控节点没有对受控节点保护时,进一步起到保护作用。
  • 一种数据存储平台智能监控方法
  • [发明专利]一种数据中心精细化智能监控方法-CN202211562132.4在审
  • 李超成;高鸿波;刘毅;康凯;刘大维;高雷;饶智斌 - 北京铜牛信息科技股份有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-01-06 - G06F11/07
  • 本发明涉及数据安全技术领域,尤其是指一种数据中心精细化智能监控方法,其包括建立数据库,获取故障数据,并将故障数据记录到数据库中;对数据中心进行分组,并获取每个工作组的温湿度数据和硬件遥测数据以及各个设备的和温湿度数据和硬件遥测数据;根据故障数据生成故障事件,并根据故障事件信息定位产生该故障事件的故障工作组和故障设备;对故障工作组和故障设备进行硬件故障排查,根据故障工作组和故障设备的温湿度数据和硬件遥测数据判断是否为硬件故障;当故障工作组和故障设备确定为硬件故障时,生成保修信息,进行自动上报;当故障工作组和故障设备的硬件正常运行时,对故障系统进行排查,同时进行自动修复。
  • 一种数据中心精细智能监控方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211467841.4在审
  • 赵晓龙;于绍欣;潘亚楼;李超成 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-11-22 - 2022-12-23 - H01L29/40
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。其中,该半导体器件包括基底,所述基底内设置有沟道区、源极区、漏极区、漂移区、深阱区、第一浅槽隔离结构和浅槽隔离阵列,所述源极区位于所述沟道区内,所述漏极区和所述浅槽隔离阵列位于所述漂移区内,所述浅槽隔离阵列位于所述漏极区和所述源极区之间,所述漂移区位于所述第一浅槽隔离结构和所述沟道区之间,所述深阱区与所述第一浅槽隔离结构相对设置,所述浅槽隔离阵列包括若干第二浅槽隔离结构,若干所述第二浅槽隔离结构等间距分布,所述第一浅槽隔离结构和所述第二浅槽隔离结构相同。本方案可以提高LDMOS器件的击穿电压。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211269558.0在审
  • 赵晓龙;于绍欣;李超成;姜钦;潘亚楼 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-10-18 - 2022-11-11 - H01L29/40
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。其中,该半导体器件包括基底、栅极结构和场板阵列。其中,基底内设置有沟道区、源极区、漏极区、漂移区、第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构,源极区位于沟道区内,漏极区和第一浅槽隔离结构位于漂移区内,第一浅槽隔离结构位于漏极区和源极区之间,漂移区位于第二浅槽隔离结构和沟道区之间;栅极结构覆盖于部分源极区、部分沟道区、部分漂移区和部分第一浅槽隔离结构上;场板阵列设置于第一浅槽隔离结构上,场板阵列包括若干等间距分布的场板。本方案可以提高半导体器件的击穿电压。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202210989705.5有效
  • 赵晓龙;于绍欣;李超成;姜钦 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-08-18 - 2022-11-04 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,包括:衬底;漂移区和沟道区位于衬底中;源区和漏区分别位于沟道区和漂移区中;场氧化层位于漂移区的部分表面上且位于源区和漏区之间;栅极多晶硅层位于源区和漏区之间的衬底上,栅极多晶硅层靠近场氧化层的侧面具有若干沿Y方向延伸的延伸部,且延伸部沿X方向排列;钝化层,覆盖衬底、场氧化层和栅极多晶硅层,且钝化层中形成有贯穿钝化层的源极插塞;第二部分与第一部分靠近栅极多晶硅层的侧面连接,第一部分与源极插塞电性连接,且第二部分沿Y方向延伸且沿X方向排列,且第二部分在衬底上的投影和延伸部在衬底上的投影错位或部分重叠;本发明提高了器件的耐压。
  • 半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210971532.4在审
  • 姜钦;潘亚楼;于绍欣;李超成 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-08-15 - 2022-10-11 - H01L21/8238
  • 本申请公开一种半导体器件及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括横向排列的LDMOS区和CMOS区、以及覆盖所述LDMOS区和CMOS区的第一隔离层,所述LDMOS区包括第一隔离结构,所述CMOS区包括第二隔离结构,所述第一隔离结构和所述第二隔离结构均高于所述第一隔离层;在所述第一隔离层、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构表面生长第一阻挡层;刻蚀所述第一阻挡层和部分第一隔离层,暴露所述第一隔离结构的第一拐角、以及所述第一拐角两侧的部分LDMOS区和部分第一隔离结构;对所述第一拐角处进行圆弧化处理,以使所述第一拐角形成对应的圆角。本申请能够提高所得半导体器件的可靠性。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202210455052.2有效
  • 李超成 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-08-02 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种半导体器件的制备方法,包括:提供衬底,在所述衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和图形化的光刻胶层,所述图形化的光刻胶层具有开口;采用干法刻蚀工艺沿着所述开口刻蚀所述第二介质层以显露出所述第一介质层的表面,且所述开口延伸至所述第一介质层的表面;采用湿法刻蚀工艺继续沿着所述开口刻蚀所述第一介质层以显露出所述衬底的表面,且所述开口延伸至所述衬底的表面;以及,去除图形化的光刻胶层,在所述开口底部的所述衬底的表面形成场氧化层;本发明提高了场氧化层和衬底接触的界面的圆滑度,提高了器件的耐雪崩能力,从而提高了半导体器件的电性能。
  • 半导体器件制备方法
  • [发明专利]LDMOS器件的制备方法-CN202210631966.X在审
  • 于绍欣;李超成;潘亚楼 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-06-07 - 2022-07-05 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种LDMOS器件的制备方法,提供衬底,在所述衬底中形成漂移区;在所述衬底上形成堆叠层,所述堆叠层包括由下至上依次堆叠的图形化的栅多晶硅层及图形化的硬掩模层;在所述衬底及所述堆叠层上形成第一图形化的光刻胶层,所述第一图形化的光刻胶层具有开口,所述开口的底部显露出所述衬底的表面且所述开口的一侧壁显露出所述堆叠层的一侧面;以及,对所述开口的底部的所述衬底执行离子注入工艺以在所述开口的底部的所述衬底中形成沟道区,且所述沟道区的部分表面被所述堆叠层覆盖。本发明中利用图形化的硬掩模层作为阻挡层,能够减轻器件特性漂移,从而提高器件的电性能。
  • ldmos器件制备方法
  • [实用新型]一种稳定性好的地铁自动开关门检修用工具运输装置-CN202121681499.9有效
  • 李超成;高富;李大伟 - 李超成
  • 2021-07-22 - 2022-02-11 - B25H3/02
  • 本实用新型公开了一种稳定性好的地铁自动开关门检修用工具运输装置,涉及地铁自动开关门领域。一种稳定性好的地铁自动开关门检修用工具运输装置,包括底板,底板的顶部固定连接有箱体,箱体的内部活动连接有横板,横板的顶部固定连接有放置板,放置板的正面开设有放置槽,横板的底部固定连接有减震机构,横板的两侧均固定连接有导向块,导向块的内部活动连接有导向杆,导向杆的顶端和底端均与箱体的内部固定连接,导向杆的表面活动连接有第三弹簧,第三弹簧的顶部和底部分别与导向块和箱体固定连接。本实用新型在检测及维修时,检修人员便于携带各式各样的检修工具,因此降低检修人员的劳动强度,提高检修效率,有利于人们的使用。
  • 一种稳定性地铁自动开关检修用工运输装置
  • [实用新型]一种多工位继电器测试检修装置-CN202122067501.X有效
  • 李超成;高富;李大伟 - 李超成
  • 2021-08-30 - 2022-01-18 - G01R31/327
  • 本实用新型公开了一种多工位继电器测试检修装置,涉及继电器技术领域,包括底座,所述底座的上端设置有转盘,所述底座的内部设置有传动机构,所述转盘的上端设置有定位机构,所述底座的上端设置有支撑套筒,所述支撑套筒的上端设置有电控箱。本实用新型通过设置底座,底座上端的转盘可通过传动机构进行旋转,继电器安装在转盘上端的定位机构内,使用时通过传动机构顺时针转动,依次移动至测试机构和检修机构的下方,测试机构和检修机构可通过升降机构上下移动,测量得出的数据通过显示器进行显示,方便进行使用,定位机构在转盘上环形设置有相同的六个,可同时对六个继电器进行装载,实现持续性工作,大大提高了测试和检修的效率。
  • 一种多工位继电器测试检修装置
  • [发明专利]减隔震地铁轨道板系统-CN201710599992.8有效
  • 李富盈;李超成 - 李富盈
  • 2017-07-21 - 2019-02-22 - E01B19/00
  • 本发明公开了一种减隔震地铁轨道板系统,包括轨道板、底座和两条平行间隔设在轨道板上的铁轨,所述轨道板与底座之间设有两弹性减震板,两所述弹性减震板平行间隔设置且其位置分别与两铁轨的位置相对;两所述弹性减震板之间设有减震器,所述减震器的顶面紧贴于轨道板的底面,所述减震器的底面紧贴于底座的顶面;所述减震器包括座板、座筒和支撑件;所述座筒包括筒体部和与筒体部一体成型的上延伸部,所述支撑件为套体结构,所述上延伸部伸入所述支撑件内;本发明具有较好的降噪、减震和防止震动传递的效果,提高轨道交通的舒适性和环保性。
  • 减隔震地铁轨道系统
  • [发明专利]地铁轨道降噪减震装置-CN201710592767.1在审
  • 李富盈;李超成 - 李富盈
  • 2017-07-19 - 2017-10-13 - E01B19/00
  • 本发明公开了一种地铁轨道降噪减震装置,包括卡在轨道中下部的固定器和设于轨道正下方的减震器,所述固定器包括承重板、压盖和紧固件,所述承重板呈长方体,所述压盖数量为二,压盖一侧轮廓与轨道侧面下半部分轮廓相同,所述压盖与承重板通过紧固件的连接将轨道下半部分夹在中间,所述减震器包括座板、座筒和支撑件,所述座板的顶部与承重板的底部贴合;所述座筒包括筒体部和与筒体部一体成型的上延伸部,所述支撑件为套体结构,所述上延伸部伸入所述支撑件内;本发明安装在轨道下面起减震降噪作用,具有较优的减震和降噪效果。
  • 地铁轨道减震装置
  • [发明专利]一种暴露面的TiO2三元复合光催化材料的制备方法-CN201710058935.9在审
  • 李晋波;李艳华;张世英;李超成;许欣 - 长沙学院
  • 2017-01-23 - 2017-07-21 - B01J27/051
  • 本发明公开了一种Ag/MoS2/暴露(001)面的TiO2三元复合光催化材料的制备方法,该方法包括如下步骤利用水热法制备MoS2/(001)面TiO2片状二元材料;利用光致还原法将Ag纳米颗粒负载在MoS2/(001)面TiO2片状二元材料上,构建Ag/MoS2/暴露(001)面的TiO2三元复合光催化材料。本发明构建的Ag/MoS2/暴露(001)面的TiO2三元复合光催化材料在可见光条件下光响应活性增加,对亚甲基蓝的30min内的降解率达到约为95%。本发明构建的Ag/MoS2/暴露(001)面的TiO2三元复合光催化材料明显改善了一元(001)面TiO2片状材料和MoS2/暴露(001)面的TiO2二元片状材料在可见光下的响应,增强其光催化活性,是一种新型可见光响应的光催化材料。
  • 一种暴露tio2三元复合光催化材料制备方法

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