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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]茶叶罐（天福馨享白牡丹白茶）-CN202230727968.X有效
发明人： 李翊嘉;李翊纶 -专利权人：漳州天福茶业有限公司;漳州科技职业学院
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶叶罐（天福馨享白牡丹白茶）。2.本外观设计产品的用途：茶叶罐。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
茶叶罐天福馨享白牡丹白茶

[外观设计]茶叶罐（天福福之韵白牡丹白茶）-CN202230732370.X有效
发明人： 李翊嘉;李翊纶 -专利权人：漳州天福茶业有限公司;漳州科技职业学院
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶叶罐（天福福之韵白牡丹白茶）。2.本外观设计产品的用途：茶叶罐。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
茶叶罐天福福韵白牡丹白茶

[发明专利]剥离剂溶液和使用剥离剂溶液的方法-CN201880074368.9有效
发明人：葛智逵;李翊嘉;刘文达;郭致贤 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C11D11/00 文献下载
摘要：提供了可以替代蚀刻抗蚀剂灰化过程的剥离溶液。所述剥离溶液可用于以良好的光致抗蚀剂去除效率和低氧化硅蚀刻速率和低金属蚀刻速率在用于半导体集成电路的半导体器件上制造电路和/或形成电极和/或封装/凸块应用。类似地提供了它们的使用方法。优选的剥离剂含有极性非质子溶剂、水、羟胺、腐蚀抑制剂、季铵氢氧化物和任选的表面活性剂。进一步提供了根据这些方法制备的集成电路器件和电子互连结构。
剥离溶液使用方法

[发明专利]用于氮化钛和钼导电金属线的蚀刻溶液-CN202180018567.X在审
发明人：陈昭翔;葛智逵;李翊嘉;刘文达 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及适用于从微电子器件蚀刻氮化钛和钼的蚀刻组合物，其以有效量包含以下、基本上由以下组成或由以下组成：水；HNO3；任选地，至少一种选自NH4Cl和HCl的氯离子源；选自烷醇胺、NH4OH、季铵氢氧化物及其混合物的碱；任选地，至少一种氟离子源；任选地，至少一种杂芳族化合物；和任选地，至少一种选自二乙二醇丁醚、环丁砜和碳酸亚丙酯的水混溶性溶剂。
用于氮化导电金属线蚀刻溶液

[发明专利]用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物-CN201910682235.6有效
发明人：陈昭翔;李翊嘉;刘文达;张仲逸 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了用于从电子电路器件(例如高级图案晶片)除去TiN硬掩模的组合物、方法和系统。所述清洁组合物优选包含蚀刻剂(也称为基质)、氧化剂、氧化稳定剂(也称为螯合剂)、铵盐、腐蚀抑制剂和溶剂。可以提供其他任选的添加剂。清洁组合物的pH优选大于5.5。清洁组合物优选不含二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵。
用于 tin 硬掩模去除蚀刻残留物清洁组合

[发明专利]在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液-CN201810982894.7有效
发明人：刘文达;李翊嘉;A·J·亚当齐克 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本文描述了一种蚀刻溶液，其包含水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；和任选地表面活性剂。该组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有多晶硅和硅‑锗材料的微电子器件相对于多晶硅而选择性地去除硅‑锗。
制造半导体器件过程硅叠层中选择性去除合金蚀刻溶液

[实用新型]一种电力系统输电线收紧结构-CN202221214304.4有效
发明人：张涛;曾杰;杨友;杜超;赵鹏;李翊嘉;李平 -专利权人：张涛
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H02G1/04 文献下载
摘要：本实用新型属于电力系统技术领域，尤其为一种电力系统输电线收紧结构，包括搭设架以及固定连接在所述搭设架的顶部的支架，所述支架的顶部安装有收紧组件，本装置通过将夹紧座的底部对准输电线的表面，并将其套设在输电线的表面，通过旋转调节盘带动螺纹杆在螺纹套的内部进行转动，从而带动夹持板对输电线的表面进行夹紧固定，从而能够适应于对粗细不同的输电线进行夹持，适用性较高，完成对输电线的固定后，将防脱盘的底部对准置入槽按压进去，通过手握收紧螺筒顺时针进行转动，从而使得收紧螺筒在收紧螺杆的表面进行移动，进而通风固定板带动夹紧座进行移动，从而对输电线进行收紧，减小作业人员高空作业的风险，便于使用。
一种电力系统输电线收紧结构

[发明专利]基于跟踪轨迹拟合的天线副瓣识别及其自动转主瓣方法-CN202010174717.3有效
发明人：李玉瑄;李翊嘉;梁波;范海涛;焦鹏;赵国华 -专利权人：中国人民解放军63756部队
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于轨迹拟合的天线副瓣跟踪识别及其自动转主瓣方法，首先利用天线实时闭环跟踪数据与目标理论引导数据，经中心化处理后，得到相对于理论引导的二维跟踪轨迹，然后对轨迹曲线采用圆弧最小二乘拟合的方法获得圆弧曲线的几何中心位置与几何半径参数，再由几何半径的大小判断出主副瓣，由几何中心位置得到电轴相对目标引导数据的方位与俯仰位置偏差，最后在理论引导的基础上对偏差加以修正，自动引导天线电轴对准目标，完成天线自动转主瓣跟踪。解决现有技术中副瓣识别方法的不足以及不能自动转主瓣的问题。
基于跟踪轨迹拟合天线识别及其自动转主瓣方法

[发明专利]CO/CU选择性湿蚀刻剂-CN202080088312.6在审
发明人：张仲逸;刘文达;李翊嘉 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：所公开和所要求保护的主题涉及表现出高铜和钴蚀刻速率的湿蚀刻剂，其中两种金属之间的蚀刻速率比可以变化。该湿蚀刻剂具有包含由以下组成的制剂的组成：至少一种具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基的烷醇胺，其中氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子；至少一种用于将制剂的pH调节至约9和约12之间的pH调节剂；至少一种螯合剂；和水。
co cu 选择性蚀刻

[发明专利]用于EUV掩模保护结构的蚀刻组合物及方法-CN202080083083.9在审
发明人：陈昭翔;张仲逸;李翊嘉;刘文达 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种用于去除EUV掩模的保护膜的含金属层或层的部分的组合物和方法。该组合物包含水；一种或多种氧化剂；和一种或多种酸。该方法包括在硅衬底上形成一个或多个层，其中这些层中的至少一个包括含金属层，并且通过使含金属层与所公开和要求保护的主题的组合物接触来去除含金属层。
用于 euv 保护结构蚀刻组合方法

[发明专利]具有氧化硅腐蚀抑制剂的蚀刻溶液及其使用方法-CN201911136582.5有效
发明人：刘文达;李翊嘉;张仲逸 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本文描述的是一种适于从微电子器件相对于氧化硅选择性去除多晶硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；至少一种季铵氢氧化物化合物；任选地，至少一种链烷醇胺化合物；水混溶性溶剂；选自C4‑12烷基胺、聚亚烷基亚胺、多胺、含氮杂环化合物、含氮芳族化合物或含氮杂环和芳族化合物的至少一种含氮化合物；和任选地，表面活性剂。
具有氧化腐蚀抑制剂蚀刻溶液及其使用方法

[发明专利]在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻组合物和方法-CN202080068430.0在审
发明人：葛智逵;李翊嘉;刘文达;吴爱萍;孙来生 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：所公开和要求保护的主题涉及一种蚀刻组合物，其包含(A)磷酸和(B)包含(i)含硅化合物和(ii)水性溶剂的混合物。在一些实施方案中，蚀刻组合物包含另外的成分。蚀刻组合物可用于在微电子器件的制造过程中从具有氧化硅和氮化硅材料的微电子器件上相对于氧化硅选择性地去除氮化硅。
半导体器件制造过程选择性去除氮化蚀刻组合方法

[发明专利]用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途-CN202080067656.9在审
发明人：孙来生;王莉莉;吴爱萍;李翊嘉;陈天牛 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C11D11/00 文献下载
摘要：一种用于微电子器件或半导体衬底的方法和清洁组合物，其包括至少一种烷醇胺；至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物；至少一种具有至少两个羧酸基团的多官能有机酸和水。该清洁组合物可进一步包括至少一种腐蚀抑制剂。
用于去除蚀刻残留物组合及其使用方法用途

[发明专利]用于去除蚀刻残留物的组合物、其使用方法及用途-CN202080051185.2在审
发明人：孙来生;王莉莉;吴爱萍;李翊嘉;陈天牛 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本公开的和要求保护的主题涉及一种包含具有两个或更多个或者多于两个烷醇基团的烷醇胺、α‑羟基酸和水的蚀刻后残留物清洁组合物及其在微电子制造中的使用方法。
用于去除蚀刻残留物组合使用方法用途

[发明专利]用于半导体衬底的清洁组合物-CN202080043990.0在审
发明人：王莉莉;吴爱萍;孙来生;李翊嘉;曹远美 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C11D1/00 文献下载
摘要：用于从半导体衬底去除残留物和光刻胶的组合物和方法，其包含：约5至约60重量％的水；约10至约90重量％的水混溶性有机溶剂；约5至约90重量％的至少一种链烷醇胺；约0.05至约20重量％的至少一种多官能有机酸；以及约0.1至约10重量％的至少一种酚型腐蚀抑制剂，其中所述组合物基本上不含羟胺。
用于半导体衬底清洁组合

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