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- [发明专利]发光二极管芯片-CN202011465318.9在审
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李珍雄;金京完;朴泰俊;禹尙沅
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首尔伟傲世有限公司
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2019-08-28
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2021-03-30
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H01L33/38
- 本发明揭示一种发光二极管芯片，包括：基板；发光构造体，配置于基板上，包括第一导电型半导体层及配置到第一导电型半导体层的一部分区域上的台面；透明电极，配置于台面上；接触电极，配置第一导电型半导体层上；第一绝缘反射层，覆盖发光构造体、透明电极及接触电极的至少一部分；第一焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及位于第一绝缘反射层上，并电连接到接触电极；第二焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及电连接到接触电极；以及第二绝缘反射层，配置到基板的下部，其中第一及第二绝缘反射层的至少一者具有至少两个区域具有不同反射率的特性。本发明可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。
- 发光二极管芯片
- [发明专利]发光二极管-CN201911311605.1在审
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李剡劤;申赞燮;梁明学;李珍雄
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首尔伟傲世有限公司
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2018-07-30
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2020-08-07
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H01L33/42
- 一种发光二极管，其包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于第一导电型半导体层上的台面，台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖ZnO层和台面，并具有使ZnO层暴露的开口部和沿着台面边缘使第一导电型半导体层暴露的多个开口部；第一焊盘金属层，布置于下绝缘层上，并通过多个开口部电接通于第一导电型半导体层；第一凸起焊盘，布置于下绝缘层上，并通过下绝缘层的开口部电接通于第一导电型半导体层；以及第二凸起焊盘，布置于下绝缘层上，与第一凸起焊盘在水平方向上隔开，并通过下绝缘层的开口部电接通于ZnO层，下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度比被下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN201911312888.1在审
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李剡劤;申赞燮;梁明学;李珍雄
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首尔伟傲世有限公司
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2018-07-30
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2020-08-07
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H01L33/42
- 一种发光二极管，其包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和台面，台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层；下绝缘层，覆盖ZnO层和台面，并具有使第一导电型半导体层暴露的开口部和使ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，与第一导电型半导体层电接通；第一凸起焊盘，布置于下绝缘层上，并通过下绝缘层的开口部电接通于第一导电型半导体层；以及第二凸起焊盘，布置于下绝缘层上，与第一凸起焊盘在水平方向上隔开，并通过下绝缘层的开口部电接通于ZnO层，下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度比被下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄，第一凸起焊盘包括从第二凸起焊盘凸出的区域，第二凸起焊盘包括凹陷的区域，并且形成为包围第一焊盘金属层。
- 发光二极管
- [实用新型]发光二极管芯片及发光模块-CN201922397018.0有效
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李珍雄;金钟奎;李锦珠
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首尔伟傲世有限公司
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2019-12-27
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2020-06-30
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H01L33/38
- 本实用新型揭示一种发光二极管芯片及发光模块。所述发光二极管芯片包括：第一导电型半导体层，位于基板上；台面，配置到第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，配置第二导电型半导体层上；接触电极，横向远离台面而配置到第一导电型半导体层上；电流扩展器，配置到透明电极的一部分区域上；绝缘层，覆盖基板、第一导电型半导体层、台面、透明电极、接触电极及电流扩展器，具有使接触电极及电流扩展器的一部分露出的开口部；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于绝缘层上，分别通过开口部连接到接触电极及电流扩展器，且第一焊垫电极及第二焊垫电极分别具有至少一个使绝缘层露出的孔。
- 发光二极管芯片发光模块
- [发明专利]发光元件及包括其的发光模块-CN201911140354.5在审
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李珍雄;金京完
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首尔伟傲世有限公司
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2019-11-20
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2020-05-29
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H01L33/20
- 本发明提供一种发光元件及包括其的发光模块。发光模块包括安装基板、多个发光芯片、及多个导电性接着部，发光芯片中的每一者包括第一基板、第一发光部、与第一基板隔开配置的第二基板、第二发光部，且第一基板的一侧面包括第一改质面，与第一基板的一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面，第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在改质区之间的断裂区，第二改质面包括沿第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，第一改质面的断裂区中的每一者的宽度与第二改质面的断裂区中的每一者的宽度相同。
- 发光元件包括模块
- [发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片-CN201910800009.3在审
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李珍雄;金京完;朴泰俊;禹尙沅
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首尔伟傲世有限公司
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2019-08-28
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2020-05-01
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H01L33/38
- 本发明揭示一种倒装芯片型发光二极管芯片，包括：基板；第一导电型半导体层；台面，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到第二导电型半导体层上；接触电极，沿横向远离台面而配置到第一导电型半导体层上；电流扩散器，电连接到透明电极；第一绝缘反射层，具有使接触电极及电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布勒格反射器；第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于第一绝缘反射层上，通过开口部分别连接到所述接触电极及电流扩散器；以及第二绝缘反射层，配置到基板的下部，包括分布布勒格反射器；第二绝缘反射层远离第一绝缘反射层。本发明可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。
- 倒装芯片发光二极管
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