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[发明专利]一种LED倒装芯片的紫光外延结构及其制备方法-CN201911424944.0有效
发明人：武杰;易翰翔;李玉珠;张洪安;陈慧秋 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED倒装芯片的紫光外延结构，自下而上依次包括：衬底、高温AlGaN缓冲层、N型AlGaN电子阻挡层、超晶格N型AlGaN层、超晶格AlGaN/AlInGaN层、Alx1Iny1Ga1－x1－y1N/Alx2Iny2Ga1－x2－y2N发光有源区、最后一个AlX3Ga1－X3N量子垒层、P型AlGaN/AIInGaN电子阻挡层、P型AlGaN层和接触层；其中，Alx1Iny1Ga1－x1－y1N/Alx2Iny2Ga1－x2－y2N发光有源区包括多个交错层叠设置的AlInGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层，且AlInGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层均为Al组分渐变层。本发明还公开了一种LED倒装芯片的紫光外延结构的制备方法。本发明既能减少由材料不同带来的应力及极化电场影响，又能降低GaN材料在365～370nm波段的吸光，提高发光效率。
一种 led 倒装芯片紫光外延结构及其制备方法

[发明专利]一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法-CN201911424903.1有效
发明人：易翰翔;李玉珠;武杰;张洪安;陈慧秋 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外高反射率的复合电极，包括N型层、设于所述N型层上方的量子阱及设于所述量子阱上方的P型层，所述P型层上方设有多个独立的ITO圆柱，所述ITO圆柱表面设有连续的Al薄膜。本申请复合电极中，通过ITO圆柱图形化及纯Al薄膜的搭配设计，大大改善了电流扩展效果，减少ITO吸光面积，减少反射路径和路经的吸光层；形成纯Al+DBR的复合反射层，大大提高反射率。同时，本发明还公开一种所述紫外高反射率的复合电极的制备方法。
一种紫外反射率复合电极及其制备方法

[实用新型]一种数控机床环绕式冷却装置-CN202022664137.0有效
发明人：陈志明;李玉珠;陈德辉;杨江彬;伍兴捷 -专利权人：福建省正丰数控科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B23Q11/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及冷却装置技术领域，特别涉及一种数控机床环绕式冷却装置。该装置包括安装套筒、喷水机构、角度调整机构，喷水机构包括环形水管、喷水嘴、旋转接头，所述环形水管设于安装套筒外，喷水嘴设有若干个并通过一旋转接头可转动的设于环形水管上，角度调整机构包括滑套、连杆组件、驱动电机，滑套可竖向移动的设于安装套筒外，连杆组件一端连接滑套、另一端连接一旋转接头，驱动电机可带动滑套移动并通过连杆组件带动旋转接头转动，进而改变喷水嘴的朝向。喷水机构具备多个喷水嘴，保证了加工全过程中冷却液的有效供给，提高了刀具寿命；角度调整器可同时对各喷水嘴进行角度调整，适应性高。
一种数控机床环绕冷却装置

[实用新型]一种数控机床随动冷却装置-CN202022654679.X有效
发明人：陈志明;李玉珠;陈德辉;伍兴捷;杨江彬 -专利权人：福建省正丰数控科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： B23Q11/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及数控机床技术领域，特别涉及一种数控机床随动冷却装置。该装置包括机体、角度调整器、喷射枪、增压泵、红外检测器、控制器，角度调整器包括伺服电机、夹具，所述喷射枪安装于夹具上，伺服电机与夹具连接并可带动夹具沿水平轴线转动，增压泵安装于机体上，增压泵通过软管连接喷射枪，红外检测器安装于喷射枪上，红外检测器的朝向与喷射枪的喷嘴朝向相同，控制器设于机体内，控制器连接角度调整器与红外检测器。该装置可实现在每次更换刀具后进行调整，使喷射枪的喷嘴可对准不同刀具的切削位置，保证了刀具工作时的及时和有效的润滑与冷却，提高了刀具使用寿命，保证产品质量。
一种数控机床冷却装置

[实用新型]一种便于更换刀头的车铣复合刀具-CN202120016811.6有效
发明人：杨江彬;陈志明;李玉珠;陈德辉;伍兴捷 -专利权人：福建省正丰数控科技有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B23P23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及数控加工设备技术领域，特别涉及一种便于更换刀头的车铣复合刀具。包括刀头、刀体、刀柄，所述刀体一端安装于刀柄上，另一端设有向内凹陷的安装位，安装位内设有定位滑条，刀体开设有阶梯孔，阶梯孔内设有定位卡块、弹簧，弹簧使定位卡块具有朝向安装位内凸出的弹力，刀头设有竖向延伸的定位滑槽，刀头外壁上开设有定位卡槽，刀头通过定位滑槽与定位滑条配合的竖向插入安装位内，至定位卡块嵌入定位卡槽内，使刀头固定于刀体上。刀头与刀体采用分体式设计，刀体部分通用，不同刀具只需设计刀头部分即可，降低了设备成本；刀头与刀体采用卡接形式连接，安装与拆卸方便快捷。
一种便于更换刀头复合刀具

[发明专利]一种新型氮化铁与多孔碳复合负极材料的制备方法-CN202110635456.5在审
发明人：张丹;杨奇超;张纯燕;李玉珠;刘光印;刘小娣 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化铁与多孔碳复合负极材料的制备方法，属于锂离子电池技术领域。该方法包括如下步骤：将非离子型聚丙烯酰胺、尿素和氯化钠加入去离子水中，完全溶解后搅拌条件下加入硝酸铁，得到的混合溶液水浴加热至粘稠状，冷冻干燥，干燥后的产物在惰性气氛下煅烧，最后用去离子水洗涤抽滤得到产物。本发明提供的制备方法制得的氮化铁与多孔碳复合负极材料具有优异的循环稳定性和倍率性能，合成方法绿色简单，成本低廉，有望成为一种规模化使用的新型负极材料。
一种新型氮化多孔复合负极材料制备方法

[发明专利]三氮唑衍生物及其制备方法和用途-CN202010069003.6有效
发明人：何其明;杜波;李玉珠;任丹;赵林;赵文娟;王周玉;钱珊;杨羚羚 -专利权人：成都新朝阳作物科学股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C07D249/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种三氮唑衍生物及其制备方法和用途，属于有机合成药物技术领域。三氮唑衍生物的结构如式I所示，其中，所述式I中的R1和R2为H、Cl、Br、—CF3、—CH(CH3)2或—OCH3，且R1和R2不同时为H；R3为—CH2—或—COCH2—；所述X和Y为N或C，且X和Y不同时为C，X和Y不同时为N。本发明的三氮唑衍生物对多种农作物病害的病菌都有一定的抑制作用。对植物的毒副作用小。所述三氮唑衍生物的制备方法简单。
三氮唑衍生物及其制备方法用途

[实用新型]一种用于包装乳液制品的荷叶膜材料制备装置-CN202022192154.9有效
发明人：李旭阳;程新峰;苏凤云;郭萌;李玉珠;魏稳涛 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B29C41/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于包装乳液制品的荷叶膜材料制备装置，包括传送机构、漏斗、滚筒，漏斗位于传送机构一端的上方，漏斗用于储存熔融状态的用于制备乳液制品包装的原材料，传送机构用于原材料的传送，滚筒位于传送机构靠近中部位置的上方；滚筒的表面环绕设置有塑料模板，塑料模板的外表面均匀设置有若干个凹陷的乳突结构Ⅰ，使得塑料模板外表面具有反荷叶表面微结构形貌层；滚筒与传送机构的旋转方向相反，使得传送机构上的原材料层与滚筒上的塑料模板接触嵌合后，原材料层与滚筒分离从而制得表面具有凸起的乳突结构Ⅱ的包装材料，本装置在使用过程中最大程度使得乳液制品能与包装材料较好分离。
一种用于包装乳液制品荷叶材料制备装置

[发明专利]一种倒装LED芯片的共晶电极结构-CN202110274952.2在审
发明人：郝锐;易翰翔;李玉珠;张洪安;武杰 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片的共晶电极结构，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。本发明中的Ti金属层形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层用于连接Ni金属层或Ni合金层与SnAu基合金层；SnAu基合金层作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本发明通过Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固。
一种倒装 led 芯片电极结构

[发明专利]一种图形化正装LED芯片及其制作方法-CN202110277028.X在审
发明人： 李玉珠;陈慧秋;武杰;易翰翔;郝锐;张洪安 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化正装LED芯片，包括外延片，外延片的中部刻蚀形成有图形显示区，外延片上设有N型电极层和P型电极层；图形显示区内设有多个台阶状发光单元，所有发光单元形成所需图形的形状，发光单元由下至上依次设置有衬底层、N型层、发光层、P型层、ITO层、绝缘保护层和P型电极层，发光单元的P型电极层穿过发光单元的绝缘保护层与发光单元的ITO层连接，发光单元的绝缘保护层向下延伸至图形显示区的N型层的表面，发光单元的P型电极层与P型电极层通过导电线连接；还公开了一种图形化正装LED芯片的制作方法。本发明能够在LED芯片端直接设计图形，以能够大规模生产。
一种图形化正装 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种大功率倒装高压芯片及其制作方法-CN202110278136.9在审
发明人：易翰翔;武杰;郝锐;李玉珠;陈慧秋 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种大功率倒装高压芯片，包括衬底和设于衬底上的多个串联连接的GaN基外延层单元，GaN基外延层单元包括设于N型GaN层和P型GaN层，P型GaN层镀设有P型电极层，N型GaN层镀设有N型电极层，相邻的两个GaN基外延层单元中，上一个GaN基外延层单元的N型电极层通过连接电极层与下一个GaN基外延层单元的P型电极层连接，P型电极层、连接电极层和N型电极层均包括从上至下依次设置的AuSn层、Au层、Ni层、第一Ti层、第一AlCu层、第二Ti层、第二AlCu层和Cr层。本发明还公开了该大功率倒装高压芯片的制作方法，采用本发明能减少电极层数，提高生产效率，减少生产成本，同时正负电极之间的高低差减少，有利于后续的焊接以及芯片的散热。
一种大功率倒装高压芯片及其制作方法

[发明专利]一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法-CN202110278339.8在审
发明人：武杰;易翰翔;郝锐;李玉珠;吴光芬 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种高一致性的Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与N型电极层一体成型的内置N型电极层，内置N型电极层的侧边与发光单元相隔。同时本发明还公开了该芯片的制作方法，采用本发明，内置N型电极层的设置使电流在N型GaN层扩散时均匀分布，从而确保各发光单元发光时的亮度保持一致。
一种一致性 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种条形化Micro LED芯片及其制作方法-CN202110278340.0在审
发明人：张洪安;陈慧秋;武杰;易翰翔;李玉珠 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，P型电极层将处于同一横列或同一数列的P型GaN层连接。同时本发明还公开了该芯片的制作方法。采用本发明，同一横列或同一数列的发光单元会共同点亮，在封装工艺技术上，只需在P型电极层的两端进行焊接即可，大大降低了封装难度。
一种条形 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种三氧化二钒与氮掺杂多孔碳复合负极材料的制备方法-CN202110386901.9在审
发明人：张丹;杨奇超;兰青;张纯燕;刘光印;李玉珠 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氧化二钒与氮掺杂多孔碳复合负极材料的制备方法，包括将聚乙烯吡咯烷酮和氯化钠加入去离子水中，完全溶解后搅拌条件下加入偏钒酸铵，得到的混合溶液水浴加热至粘稠状，冷冻干燥，干燥后的产物在惰性气氛下煅烧，最后用去离子水洗涤抽滤得到产物。本发明提供的制备方法制得的三氧化二钒与氮掺杂多孔碳复合负极材料具有优异的循环稳定性和倍率性能，合成方法绿色简单，成本低廉，有望成为一种规模化使用的嵌入型负极材料。
一种氧化掺杂多孔复合负极材料制备方法

[发明专利]一种可注射性硅酸钙基自固化生物陶瓷、制备方法及其应用-CN202110044340.4在审
发明人：李全利;晋慧敏;李玉珠;陈文睇;吴乐平;郑顺莉;曹颖 -专利权人：安徽医科大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： A61L27/46 文献下载
摘要：本发明涉及生物材料技术领域，具体涉及一种可注射性硅酸钙基自固化生物陶瓷、制备方法及其应用，制备方法为：将原料硅酸三钙、分析纯的氯化钙、碳酸锶、氧化锆、无定形磷酸钙按比例称量后置于容器中；量取聚乙二醇‑400，加入容器中，得到混合糊剂；将得到的混合糊剂转移至氧化锆球磨罐中进行球磨得到陶瓷粉剂；这种可注射性硅酸钙基自固化生物陶瓷具有良好操作性能的，对根管具有良好封闭性能的、较好生物相容性的生物陶瓷水门汀材料，可以应用于牙髓疾病的治疗、骨缺损的修复。
一种注射硅酸固化生物陶瓷制备方法及其应用