专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于大数据的汽车内部智能空气过滤方法-CN202111496401.7有效
  • 车强;董向力;齐霁;宋占桌;李晓航 - 一汽奔腾轿车有限公司
  • 2021-12-09 - 2023-10-20 - B60H3/06
  • 本发明涉及一种基于大数据的汽车内部智能空气过滤方法,包括汽车门窗开闭及鼓风机开闭状态判定;初次过滤判定;智能空气过滤执行过程中,若操作内外循环按键,功能进入待机状态;智能空气过滤执行过程中,若门窗被开启,执行停止;智能空气过滤执行过程中,若操作智能空气过滤功能按键关闭,功能程序跳出;智能空气过滤功能关闭再开启后,条件满足,进入执行过程,等同初次净化;整车IG下电后再上电,智能空气过滤功能按照记忆设置开启后,条件满足情况下进入执行过程,等同初次净化;当云端大环境数据丢失时,非初次净化执行时间为T1;最大过滤执行时间设置为T0。本方法能有效提升车内空气质量,降低了整车成本,且提升了车内空气质量。
  • 一种基于数据汽车内部智能空气过滤方法
  • [发明专利]一种防护密闭门以及其启闭方法-CN202310776731.4在审
  • 朱彦伟;薛海宁;杨德刚;叶波;姚正纲;张建伟;石秀军;李晓航;李颖骅 - 中国核电工程有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-09-29 - E05C9/04
  • 本发明公开了一种防护密闭门,包括闭锁装置、第一权限识别装置、控制器和第二权限识别装置,闭锁装置安装在门扇上,包括闭锁驱动件和闭锁头,闭锁驱动件包括驱动电机和手轮,驱动电机和手轮均连接闭锁头,均能够用于驱动闭锁头伸缩以进出门框的锁孔;第一权限识别装置用于在获取授权人权限后发送信号至控制器,控制器用于根据信号在授权通过后自动控制驱动电机运行;手轮与闭锁头之间的连接位置处设置第二权限识别装置,第二权限识别装置用于在受到授权人手动开启后开放手轮与闭锁头之间的连接位置。本发明的防护密闭门,手动自动双重操作互不干涉,既保证门禁的可靠性,又能适用于断电情况。本发明还提供一种防护密闭门的启闭方法。
  • 一种防护密闭及其启闭方法
  • [发明专利]具有氮化铟镓三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075677.8有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-09-29 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是InGaN,并且第二III族氮化物三元合金层是AlGaN、InAlN、BAlN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [实用新型]一种家具连接件-CN202320242713.3有效
  • 李晓航 - 沈阳天昶科技有限公司
  • 2023-02-17 - 2023-08-29 - F16B5/00
  • 本实用新型属于连接件技术领域,具体为一种家具连接件,其特征在于,包括:第一连接板,第一连接板的一侧设置有第二连接板,第二连接板上固定连接有两个固定板,两个固定板的两侧端均活动铰接有活动板,两个固定板的两侧端均固定连接有弹簧,四个弹簧的另一侧端分别与四个活动板的一侧端固定连接,第一连接板上固定连接有两个卡扣箱,两个卡扣箱的内部均固定连接有两个卡块,两个卡块上均滑动连接有推块,当需要对两个家具进行连接时,在通过卡块时,通过弹簧的反作用力使得两个活动板同时进行伸展,并与卡块形成卡扣状态,使得不论是拆卸还是安装,过程简单且不需要借助工具。
  • 一种家具连接
  • [发明专利]用于形成分级纤锌矿III族氮化物合金层的方法-CN201880078771.9有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-12-04 - 2023-08-22 - H01L33/02
  • 一种用于在第二层上形成包括包含纤锌矿III族氮化物合金的分级纤锌矿III族氮化物合金层的半导体器件的方法。基于半导体器件的预期功能选择针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布。基于所选择的针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布,确定分级纤锌矿III族氮化物合金层的组分‑极化变化率和分级纤锌矿III族氮化物合金层的分级速度。组分‑极化变化率和分级速度均基于纤锌矿III族氮化物合金的第一元素和第二元素的组分。使用所确定的组分‑极化变化率和分级速度,基于分级纤锌矿III族氮化物合金层中距离第二层的当前位置来调整纤锌矿III族氮化物合金的第一III族氮化物元素和第二III族氮化物元素的组分,以在第二层上形成具有所选择的极化掺杂浓度分布的分级纤锌矿III族氮化物合金层。
  • 用于形成分级锌矿iii氮化物合金方法
  • [发明专利]具有氮化硼铝三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075723.4有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-22 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是BAlN,并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、InAlN、AlGaN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]具有氮化硼镓三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075777.0有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-22 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是BGaN,并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、InAlN、BAlN或AlGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]形成III族氮化物合金-CN201880078302.7有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-12-04 - 2023-08-18 - H01L21/02
  • 用于形成半导体器件的方法包括选择衬底、和纤锌矿III族氮化物合金层的压电极化和有效压电系数,在所述衬底上将形成纤锌矿III族氮化物合金层。确定是否存在满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分。还基于所选衬底和所选有效压电系数,确定是否存在满足所选压电极化的由纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度。对于确定存在晶格常数满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分,并且该纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度满足所选压电极化的情况,在衬底上形成纤锌矿III族氮化物合金层,所述纤锌矿III族氮化物合金层具有满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分并且具有满足所选压电极化的厚度。
  • 形成iii氮化物合金
  • [发明专利]具有氮化铟铝三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件-CN201880075712.6有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-15 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度,使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是InAlN,并且第二III族氮化物三元合金层是InGaN、AlGaN、BAlN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件

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