“李昭珩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置-CN202210470554.2在审
发明人：金昇镇;李禧成;李昭珩;金敏澈;梁晸硕;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种能够应用于要求高速驱动的高分辨率平板显示装置的包括氧化物半导体层的薄膜晶体管(TFT)、包括该TFT的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置。TFT包括由氧化铟镓锌锡(IGZTO)组成的第一氧化物半导体层和具有氧化铟镓锌(IGZO)的第二氧化物半导体层。第二氧化物半导体层的镓(Ga)对铟(In)的含量比(Ga/In)高于第一氧化物半导体层的Ga对In的含量比(Ga/In)，并且第二氧化物半导体层的锌(Zn)对In的含量比(Zn/In)高于第一氧化物半导体层的Zn对In的含量比(Zn/In)。
薄膜晶体管包括栅极驱动器以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置-CN201810509886.0有效
发明人：金昇镇;李禧成;李昭珩;金敏澈;梁晸硕;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种能够应用于要求高速驱动的高分辨率平板显示装置的包括氧化物半导体层的薄膜晶体管(TFT)、包括该TFT的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置。TFT包括由氧化铟镓锌锡(IGZTO)组成的第一氧化物半导体层和具有氧化铟镓锌(IGZO)的第二氧化物半导体层。第二氧化物半导体层的镓(Ga)对铟(In)的含量比(Ga/In)高于第一氧化物半导体层的Ga对In的含量比(Ga/In)，并且第二氧化物半导体层的锌(Zn)对In的含量比(Zn/In)高于第一氧化物半导体层的Zn对In的含量比(Zn/In)。
薄膜晶体管包括栅极驱动器以及显示装置

[发明专利]电致发光显示器-CN201810474100.6有效
发明人： 李昭珩;孔南容;申星修;梁祯烈;李禧成 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：提供了一种电致发光显示器。该电致发光显示器包括彼此交叉的数据线和栅极线以及布置成矩阵的像素，其中，每个像素的每个子像素包括：第一驱动器，其被配置成通过使用第一EM开关元件和第一驱动元件来驱动发光元件，其中，第一EM开关元件响应于第一发光控制信号来对被施加像素驱动电压的供电线与发光元件之间的电流路径进行通断，第一驱动元件连接在第一EM开关元件与发光元件之间；以及第二驱动器，其被配置成通过使用第二EM开关元件和第二驱动元件来驱动发光元件，其中，第二EM开关元件响应于第二发光控制信号来对供电线与发光元件之间的电流路径进行通断，第二驱动元件连接在第二EM开关元件与发光元件之间。
电致发光显示器

[发明专利]具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板-CN201711043946.6有效
发明人： 李昭珩;金圣起;李永镇;金敏澈;梁晸硕;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板。本公开提供了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上，其中，所述氧化物半导体层包括：具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比；并且其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比。
具有双层氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]包括薄膜晶体管的显示设备-CN202011451804.5在审
发明人：金昇镇;李昭珩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种包括薄膜晶体管的显示设备。显示设备包括：基板；在基板上的第一栅极电极；第一有源层，与第一栅极电极分隔开并且设置有与第一栅极电极交叠的至少一部分；分别与第一有源层连接的第一源极电极和第一漏极电极；与第一源极电极和第一漏极电极中的任意一个连接的第二栅极电极；第二有源层，与第二栅极电极分隔开并且设置有与第二栅极电极交叠的至少一部分；分别与第二有源层连接的第二源极电极和第二漏极电极；以及与第二源极电极和第二漏极电极中的任意一个连接的显示元件，其中第一栅极电极设置在基板与第一有源层之间，第二栅极电极设置在基板与第二有源层之间，并且第一有源层和第二有源层包括氧化物半导体材料。
包括薄膜晶体管显示设备

[发明专利]包括薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法-CN202011308689.6在审
发明人：洪礼媛;赵光敏;李正贤;李昭珩;申铉秀 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种显示设备及制造该显示设备的方法。该显示设备，包括：基板；基板上的遮光层和信号线；遮光层和信号线上的缓冲层；缓冲层上的有源层；有源层上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅极电极；栅极电极上的保护层；保护层上的显示器件的第一电极；和配置成将信号线和有源层彼此连接的连接电极，其中遮光层和信号线设置在同一层，并且连接电极和第一电极由同一材料形成。因此，对于显示设备的制造工序来说，不必提供用于形成遮光层的额外掩模工序。此外，在显示设备的制造工序中，不必执行用于形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的额外掩模工序。因而，可提供具有简化结构的显示设备，以及利用简化的工序制造显示设备的方法。
包括薄膜晶体管显示设备制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示设备-CN202010914309.7在审
发明人：梁晸硕;赵光敏;李昭珩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种薄膜晶体管及其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示设备。所述薄膜晶体管包括：在基板上的有源层；与有源层分开设置以至少部分地与有源层交叠的栅极；以及在有源层和栅极之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层可覆盖有源层的面对栅极的整个顶表面。有源层可包括与栅极交叠的沟道部、不与栅极交叠的导电性提供部、以及在沟道部和导电性提供部之间的偏移部。偏移部可不与栅极交叠，并且导电性提供部可掺杂有掺杂剂。
薄膜晶体管及其制造方法包括显示设备

[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法-CN201410822308.4有效
发明人：金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：公开了一种制造具有增强可靠性的薄膜晶体管(TFT)阵列基板的方法。所公开的方法包括：形成具有至少一个第一金属层和由铜制成的第二金属层的多层结构；形成第一掩模层，该第一掩模层具有与数据线对应的第一掩模区域和与电极图案对应以与有源层交叠的第二掩模区域；图案化多层结构从而形成由多层结构构成的数据线；图案化第二金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的电极图案；形成第二掩模层以暴露出与有源层的沟道区对应的部分电极图案；图案化至少一个第一金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的源极和漏极。
制造薄膜晶体管阵列方法

[发明专利]薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201610425935.3有效
发明人： 李昭珩;张允琼;朴权植;金敏澈;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置。该TFT基板包括：第一TFT，其包括沉积在基板上的多晶半导体层、第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极；与第一TFT隔离的第二TFT，所述第二TFT包括沉积在第一栅电极上的第二栅电极、氧化物半导体层、第二源电极、以及第二漏电极；以及与第一TFT和第二TFT隔离的多个存储电容器，各个存储电容器包括：第一虚拟半导体层、在第一虚拟半导体层上的第一栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层上的第一虚拟栅电极、以及在第一虚拟栅电极上的中间绝缘层。
薄膜晶体管使用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087377.X有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。
薄膜晶体管利用显示装置

[发明专利]氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法-CN201510828832.7有效
发明人：金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法。所公开的氧化物半导体结晶方法可包括以下步骤：在将基板加热至200℃至300℃的温度的同时，在所述基板上沉积In‑Ga‑Zn氧化物；以及对所沉积的In‑Ga‑Zn氧化物进行热处理，从而形成贯穿其整个厚度结晶的氧化物半导体层。
氧化物半导体结晶方法半导体器件及其制造

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087376.5有效
发明人：李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板的第一区域的第一薄膜晶体管，包括多晶硅多晶半导体层、在多晶硅多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板的第二区域的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；氮化物层，设置在所述基板除第二区域外的区域上，并覆盖第一栅极电极；以及氧化物层，设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下。
栅极电极薄膜晶体管基板基板薄膜晶体管氧化物半导体层多晶半导体层第二区域漏极电极显示装置源极电极多晶硅氮化物层第一区域氧化物层申请覆盖

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087370.8有效
发明人：李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括：第一区域和第二区域；设置在第一区域的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在第二区域的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；氮化物层，位于所述显示装置除第二区域外的区域上，并覆盖第一栅极电极；以及氧化物层，设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。
栅极电极薄膜晶体管基板显示装置薄膜晶体管第二区域多晶半导体层第一区域漏极电极源极电极氧化物半导体层氮化物层氧化物层基板申请覆盖

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087879.2有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。
薄膜晶体管利用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087849.1有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;郑昊暎;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括基板；设置在基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
薄膜晶体管利用显示装置

1
2
下一页»
尾页
共 25 条