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[发明专利]有机发光显示设备-CN202310087651.8在审
发明人： 李成秦;申东菜 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：公开了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括混合型薄膜晶体管，其由子像素的驱动薄膜晶体管和形成在非显示区域和显示区域中的至少一个中的薄膜晶体管构成，所述子像素的驱动薄膜晶体管由氧化物半导体图案构成以使得驱动薄膜晶体管的s因子值增加，所述薄膜晶体管包括多晶半导体图案，其中，所述有机发光显示设备包括通过向多晶半导体图案和氧化物半导体图案赋予导电性而形成的各种存储电容器。
有机发光显示设备

[发明专利]超声波传感器、超声波感测装置以及显示装置-CN201911030298.X有效
发明人：金善英;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：本公开涉及超声波传感器、超声波感测装置以及显示装置。超声波传感器包括：其中设置有第一电极的薄膜晶体管阵列；压电材料；以及第二电极。为了生成超声波并且执行感测，第二电极以其中第二电极被分成多个第二电极的图案化结构设置，并且脉冲形式的高电压被施加至第二电极。因此，根据本公开的实施方式，高电压没有被施加至薄膜晶体管阵列；因此，可以减少或克服设置在薄膜晶体管阵列中的电路元件的劣化。因此，可以在执行感测的同时提高设置在薄膜晶体管阵列中的电路元件的可靠性和寿命。
超声波传感器超声波装置以及显示装置

[发明专利]栅极驱动电路及使用该栅极驱动电路的电致发光显示装置-CN202210973626.5在审
发明人： 李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G09G3/3266 文献下载
摘要：本公开涉及栅极驱动电路及使用该栅极驱动电路的电致发光显示装置。电致发光显示装置包括栅极驱动电路。栅极驱动电路包括：第一下拉电路，其由Q节点控制并且被配置成将低电压传送至第一输出节点；第一上拉电路，其由QB1节点控制并且被配置成将高电压传送至第一输出节点；QB2节点控制电路，其被配置成将QB1节点的电压传送至QB2节点；第二下拉电路，其由Q节点控制并且被配置成将低电压传送至第二输出节点；以及第二上拉电路，其由QB2节点控制并且被配置成将第一输出时钟信号的高电压传送至第二输出节点。输出至第一输出节点的信号的脉冲宽度与Q节点的脉冲宽度相同，并且输出至第二输出节点的信号的脉冲宽度与第一输出时钟信号的脉冲宽度相同。
栅极驱动电路使用电致发光显示装置

[发明专利]有机发光显示装置-CN202211301842.1在审
发明人： 李成秦;申东菜 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：公开了一种有机发光显示装置，其包括存储电容器，该有机发光显示装置包括彼此并联连接的多个电极以便具有每单位面积高的电容。该有机发光显示装置包括：驱动薄膜晶体管，其包括被第一光阻挡图案阻挡的氧化物半导体图案；以及存储电容器，其包括设置在与第一栅极电极相同的层上的第一存储电容器电极、设置在与第二栅极电极和第一光阻挡图案其中之一相同的层上并连接至第一存储电容器电极的第二存储电容器电极，以及设置在第一存储电容器电极与第二存储电容器电极之间的第三存储电容器电极。
有机发光显示装置

[发明专利]栅极驱动电路和包括栅极驱动电路的电致发光显示设备-CN202111027786.2在审
发明人：朴容奭;李成秦;柳在龙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明涉及栅极驱动电路和包括栅极驱动电路的电致发光显示设备。电致发光显示设备包括显示面板，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括多个像素线，所述非显示区域包括向多个像素线供应栅极信号的栅极驱动电路，并且多个像素线中的每一个包括多个像素，多个像素中的每一个包括像素驱动电路和发光装置，像素驱动电路和栅极驱动电路中的每一个都使用p型晶体管和n型晶体管实现，并且栅极驱动电路向像素驱动电路的n型晶体管供应栅极信号，使得可以提供稳定的输出，并且可以减小显示面板的非显示区域。
栅极驱动电路包括电致发光显示设备

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202010553513.0在审
发明人：延得豪;文泰亨;金在铉;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了显示面板和显示装置。在沉积薄膜晶体管层和设置有发光器件的显示层之后，在薄膜晶体管层之下设置包括压电材料的感测层，以促进具有内置压电器件的显示面板的实现。此外，由于用于超声感测的薄膜晶体管和用于显示驱动的薄膜晶体管设置在不同的层中，可以在不影响显示像素的实现或显示分辨率的情况下提供能够在有源区域中进行超声感测的显示面板。
显示面板显示装置

[发明专利]超声传感器和显示装置-CN202010535180.9在审
发明人：文泰亨;金在铉;李成秦;延得豪 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G01S15/89 文献下载
摘要：公开了超声传感器和显示装置，其中设置在超声传感器的每个像素区域中的压电材料被形成为具有各种厚度，或者驱动布置在每个像素区域中的压电材料的电极具有各种面积，从而提供生成各个频带中的超声波的超声传感器。因此，可以扩展由超声传感器生成的超声波的频带以提高超声传感器的感测性能，并且获得各个频带的信息以提供能够同时进行指纹感测和接近感测的超声传感器。
超声传感器显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087377.X有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。
薄膜晶体管利用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087376.5有效
发明人：李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板的第一区域的第一薄膜晶体管，包括多晶硅多晶半导体层、在多晶硅多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板的第二区域的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；氮化物层，设置在所述基板除第二区域外的区域上，并覆盖第一栅极电极；以及氧化物层，设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下。
栅极电极薄膜晶体管基板基板薄膜晶体管氧化物半导体层多晶半导体层第二区域漏极电极显示装置源极电极多晶硅氮化物层第一区域氧化物层申请覆盖

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087370.8有效
发明人：李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括：第一区域和第二区域；设置在第一区域的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在第二区域的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；氮化物层，位于所述显示装置除第二区域外的区域上，并覆盖第一栅极电极；以及氧化物层，设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。
栅极电极薄膜晶体管基板显示装置薄膜晶体管第二区域多晶半导体层第一区域漏极电极源极电极氧化物半导体层氮化物层氧化物层基板申请覆盖

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087879.2有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。
薄膜晶体管利用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087849.1有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;郑昊暎;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括基板；设置在基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
薄膜晶体管利用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087375.0有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;郑昊暎;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
薄膜晶体管利用显示装置

[实用新型]显示装置-CN201520115742.9有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。
显示装置

[实用新型]显示装置-CN201520116083.0有效
发明人：李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括：第一区域和第二区域；设置在第一区域的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在第二区域的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；氮化物层，位于所述显示装置除第二区域外的区域上，并覆盖第一栅极电极；以及氧化物层，设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。
显示装置

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