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[实用新型]一种综合能源供能系统-CN202022040735.0有效
发明人：安丽焕;毛兵;赵熙;罗浩;户志远;张洪才;李奎龙;孟裕丽;梁李鹏 -专利权人：上海昱章电气成套设备有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种综合能源供能系统，包括发电单元、电储能单元、电网单元，发电单元通过电储能单元与电网单元相连接，电网单元配置有市电接入端口、配电端口和负载供电端口，市电接入端口用于接入市电，配电端口用于接入用户侧用电设备，还包括制热单元、第一蓄能单元、热水网单元，制热单元通过第一蓄能单元与热水网单元相连接，热水网单元用于与用户侧用水设备相连接，电网单元通过负载供电端口与制热单元相连接，为制热单元供电。
一种综合能源系统

[发明专利]一种综合能源供能系统及供能系统控制方法-CN202010981800.1在审
发明人：安丽焕;毛兵;赵熙;罗浩;户志远;张洪才;李奎龙;孟裕丽;梁李鹏 -专利权人：上海昱章电气成套设备有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种综合能源供能系统及供能系统控制方法。综合能源供能系统包括发电单元、电储能单元、电网单元，发电单元通过电储能单元与电网单元相连接，电网单元配置有市电接入端口、配电端口和负载供电端口，市电接入端口用于接入市电，配电端口用于接入用户侧用电设备，还包括制热单元、第一蓄能单元、热水网单元，制热单元通过第一蓄能单元与热水网单元相连接，热水网单元用于与用户侧用水设备相连接，电网单元通过负载供电端口与制热单元相连接，为制热单元供电。
一种综合能源系统控制方法

[发明专利]一种分波段探测器及其制备方法-CN201810496044.6在审
发明人：刘新科;洪悦华;李奎龙;李治文;胡聪;王佳乐 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种分波段探测器及其制备方法，该分波段探测器包括：SiC衬底、附于所述SiC衬底两侧的SiC材料层和MoS2材料层，以及置于所述SiC材料层和MoS2材料层上的电极，由于具有SiC材料层和MoS2材料层，在其处于工作时，探测器的SiC材料层将响应波长小于380nm的紫外波段，同时探测器的MoS2材料层将会响应波长大于380nm小于680nm的可见光波段，即本发明提供的探测器能够实现分波段响应。
探测器材料层分波段波长衬底制备响应可见光波段紫外波段电极

[发明专利]基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备-CN201810226345.7在审
发明人： 李奎龙;王文佳 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备，该光探测器包括硅衬底和设置于硅衬底上面的二氧化硅氧化层，二氧化硅氧化层上设置有p型黑磷层，p型黑磷层上面设置有n型硒化铟层，p型黑磷层和n型硒化铟层构成范德瓦尔斯p‑n异质结；n型硒化铟层上设置有漏极电极，所述p型黑磷层上设置有源极电极，硅衬底上与二氧化硅氧化层相对的一面设置有栅极电极。本发明中n型硒化铟与p型黑磷形成p‑n异质结，界面处内建电场可以实现电子和空穴载流子的快速分离，减小载流子复合几率进而减小器件暗电流，有利于降低探测器噪声和提高响应速度。
黑磷硒化铟异质结二氧化硅氧化层范德瓦尔斯光探测器硅衬底二维减小制备空穴载流子载流子复合快速分离漏极电极内建电场源极电极栅极电极暗电流界面处探测器噪声响应

[发明专利]一种倒装结构的激光光伏电池及其制作方法-CN201310060832.8有效
发明人：赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/047 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的正电极、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。
一种倒装结构激光电池及其制作方法

[发明专利]倒装结构的激光光伏电池及其制作方法-CN201310060831.3有效
发明人：赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的负电极、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。
倒装结构激光电池及其制作方法

[发明专利]一种Ti3C2/TiO2二维材料的制备方法-CN201710354202.X在审
发明人：刘新科;刘睿;李奎龙;顾虹;吕有明;俞文杰;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti3C2/TiO2二维材料的制备方法；本发明制备了Ti3C2MXene薄膜材料，经过加热氧化后，层间距变大，并且在Ti3C2片层上原位生成了TiO2，得到二维的Ti3C2/TiO2复合材料。本发明在Ti3C2上一步原位生长TiO2得到了二维的Ti3C2/TiO2复合材料。所得复合材料比表面积大，导电性好，而且具有光生电子空穴对的特点，同时Ti3C2与TiO2形成肖特接触，提升了其在光催化方面的效率。本发明工艺简单，成本低，适合大规模应用，并且，Ti3C2/TiO2复合材料非常适合应用于在光催化领域本发明。
一种 ti3c2 tio2 二维材料制备方法

[发明专利]一种基于Ti2CMXene的电池电极材料的制备方法-CN201710353227.8在审
发明人：刘新科;刘睿;李奎龙;顾虹;吕有明;俞文杰;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01B32/921 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ti2C MXene的电池电极材料的制备方法，本发明制备了的Ti2C MXene薄膜材料，经过插层剥离后，层间距变大，并且材料具有高比表面积、良好的导电性、良好的循环稳定性和倍率性能，同时MXene材料经过插层后，材料具有低的离子扩散阻力，低开路电压和高的存储容量。非常适合应用于锂电池、超级电容器等储能器件的电极材料。本发明工艺简单、成本低、且不会产生污染环境的废气和废液；本发明制备的Ti2C薄膜材料导电性好、比表面积大，作为电极材料具有良好的循环稳定性和倍率性能，制备成电池的比容量较传统材料大幅提升。
一种基于 ti2cmxene 电池电极材料制备方法

[发明专利]Ti3C2MXene/聚合物复合吸波材料的制备方法-CN201710334294.5在审
发明人：刘新科;刘睿;李奎龙;顾虹;吕有明;俞文杰;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C08K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti3C2MXene/聚合物复合吸波材料的制备方法，其使用溶液刻蚀和复合的方法就制备出了高效的Ti3C2MXene/聚合物复合吸波材料；本发明制备的Ti3C2MXene/聚合物复合吸波材料，形成的复合材料不仅密度轻、强度高、介电常数可调，更为难得是，复合材料兼具对电磁波的吸收和反射，这降低了电磁波对环境的二次污染。本发明制备的Ti3C2MXene/聚合物复合吸波材料具有质量轻、厚度薄、强度高、吸波性能好的特点，具有广泛的应用前景。
ti3c2mxene 聚合物复合材料制备方法

[发明专利]基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法-CN201710407273.1在审
发明人：刘新科;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法，其包括在Fe掺GaN衬底表面生长一MoS2薄膜层；以及在MoS2薄膜层的表面生长一SiO2层；其中，在MoS2薄膜层上制备两Au欧姆接触电极，作为源极和漏极，在MoS2薄膜层上制备一肖特基接触电极，作为栅极。本发明通过在Fe掺GaN衬底上制备的MoS2光电探测器，Fe掺是为了保证衬底半绝缘，二维MoS2薄膜层实现对光的直接充分吸收，载流子的分离和收集，通过控制MoS2薄膜的层数改变带隙实现探测器探测波长的可调；Fe掺GaN衬底与MoS2薄膜层形成的界面带阶、以及GaN的压电特性有助于降低探测器暗电流，提高探测器的光电响应。
基于 fe gan 衬底二硫化钼光电探测器制备方法

[发明专利]四结级联的太阳能电池及其制备方法-CN201410016801.7有效
发明人：何洋;董建荣;李奎龙;孙玉润 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供的一种四结级联的太阳能电池，包括依次设置的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池以及InGaAs子电池，其中，所述GaAs子电池和InGaAlAs子电池之间设有一由InxGa1‑x‑yAlyAs材料形成的渐变过渡层，所述渐变过渡层的带隙大于GaAs子电池的带隙。该四结级联的太阳能电池，通过分别具有1.90eV、1.42eV、1.00eV和0.73eV带隙的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池和InGaAs子电池，降低各子电池之间的电流失配，从而减小光电转换过程中的热能损失，提高太阳能电池的转换效率；同时，该太阳能电池通过一次生长并与第二衬底键合的方式形成，不仅降低了太阳能电池的制备难度，同时也降低了该太阳能电池的制备成本。
级联太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种GaN‑MoS2分波段探测器及其制备方法-CN201610489139.6有效
发明人：刘新科;李奎龙;何佳铸;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS2分波段探测器，包括GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS2材料层；置于所述GaN材料层和所述MoS2材料层上的电极组。本发明提供的GaN‑MoS2分波段探测器为单片集成结构，包括分别置于衬底两面的GaN材料层和MoS2材料层，所述探测器结构合理地将宽禁带GaN和窄禁带的二维材料MoS2结合在一起，最终实现了光子的分波段吸收探测。本发明还提供了所述GaN‑MoS2分波段探测器的制备方法，包括以下步骤制备GaN材料层；制备MoS2材料层；加工电极组。本发明所提供的制备方法，过程简单易行，便于工业化生产。
一种 gan mos sub 波段探测器及其制备方法

[发明专利]一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法-CN201611068963.0在审
发明人：何佳铸;刘新科;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层采用高介电常数电介质材料。本发明实施例提供的环栅结构场效应晶体管使用高介电常数电介质材料作为绝缘层，具备良好的绝缘属性，可在栅极和衬底通道之间产生较高的场效应，能够使晶体管漏电量降低并减少器件的耗电和发热，使晶体管的尺寸进一步缩小。
一种结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法-CN201310153013.8有效
发明人： 李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs1‑x‑yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1‑mAs1‑nBin中间电池层、第二隧道结、AlpGa1‑pAs顶电池层及GaAs接触层；再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。
一种级联太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法-CN201310176398.X有效
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，实现了基于GaAs衬底的GaInP/GaAs双结太阳电池与基于InP衬底的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池集成；剥离InP衬底，采用GaAs作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.89/1.42/1.05/0.72 eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，而且剥离后的InP衬底经抛光后可重复利用，降低了InP衬底的消耗。本发明提出的四结太阳电池，可减少机械叠层多结太阳电池系统中使用多个衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统导致的光学损失，同时还有效解决了生长多结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。
gainp gaas ingaasp ingaas 级联太阳电池制作方法

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