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- [发明专利]磁场传感器-CN201810454238.X有效
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李大来;蒋乐跃;刘海东
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美新半导体(无锡)有限公司
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2018-05-14
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2023-10-13
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G01R33/06
- 本发明提供一种磁场传感器,其包括:至少一个磁场传感单元,其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴,所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条;至少一个设置‑重置导线组,所述设置‑重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方,所述设置‑重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线,且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比,本发明的磁场传感器,其设置‑重置线圈在通入电流后,可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场,在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场,从而有效地设置‑重置磁电阻条的磁矩。
- 磁场传感器
- [实用新型]磁电阻角度传感器-CN202222662191.0有效
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李大来;王鑫
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新纳传感系统有限公司
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2022-10-10
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2023-02-03
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G01B7/30
- 本实用新型提供一种磁电阻角度传感器,其包括:第一磁电阻传感器,其包括被互连以建立第一惠斯通电桥的第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元;第二磁电阻传感器,其包括被互连以建立第二惠斯通电桥的第五磁电阻传感器单元、第六磁电阻传感器单元、第七磁电阻传感器单元和第八磁电阻传感器单元;其中,每个所述磁电阻传感器单元均包括若干个光刻成圆形的磁性薄膜和若干个金属薄膜,所述若干个光刻成圆形的磁性薄膜通过所述若干个金属薄膜实现电气互连。与现有技术相比,本实用新型可以消除形状各向异性场和磁晶各向异性场,从而显著降低角度的探测误差,提高角度的探测精度。
- 磁电角度传感器
- [发明专利]磁电阻角度传感器-CN202211236834.3在审
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李大来;王鑫
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新纳传感系统有限公司
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2022-10-10
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2022-12-16
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G01B7/30
- 本发明提供一种磁电阻角度传感器,其包括:第一磁电阻传感器,其包括被互连以建立第一惠斯通电桥的第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元;第二磁电阻传感器,其包括被互连以建立第二惠斯通电桥的第五磁电阻传感器单元、第六磁电阻传感器单元、第七磁电阻传感器单元和第八磁电阻传感器单元;其中,每个所述磁电阻传感器单元均包括若干个光刻成圆形的磁性薄膜和若干个金属薄膜,所述若干个光刻成圆形的磁性薄膜通过所述若干个金属薄膜实现电气互连。与现有技术相比,本发明可以消除形状各向异性场和磁晶各向异性场,从而显著降低角度的探测误差,提高角度的探测精度。
- 磁电角度传感器
- [实用新型]全桥磁电阻传感器以及双钉扎磁电阻多层膜-CN202122515950.6有效
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李大来;黄正伟;王鑫
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新纳传感系统有限公司
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2021-10-19
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2022-06-21
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G01R33/09
- 本实用新型提供一种全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜,其中,全桥磁电阻传感器包括第一双钉扎磁电阻多层膜至第四双钉扎磁电阻多层膜,第一双钉扎磁电阻多层膜的一端和第二双钉扎磁电阻多层膜的一端与电源端相连;第一双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第三双钉扎磁电阻多层膜的一端与第一信号端相连;第二双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的一端与第二信号端相连;第三双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的另一端与接地端相连。其中,全桥磁电阻传感器依次经过第一次退火和第二次退火。与现有技术相比,本实用新型不仅可以实现单芯片全桥功能,而且零点小,退火工艺简单,成本低。
- 磁电传感器以及双钉扎多层
- [发明专利]具有双磁芯的电流传感器-CN202010163238.1在审
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李大来;蒋乐跃
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新纳传感系统有限公司
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2020-03-10
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2021-09-10
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G01R15/20
- 本发明提供一种具有双磁芯的电流传感器,其根据被测电流产生的磁感应强度来检测被测电流。具有双磁芯的电流传感器包括双磁芯、磁传感器和载流导体,双磁芯包括相对放置的第一磁芯和第二磁芯,第一磁芯包括第一端口和第二端口,第二磁芯包括第三端口和第四端口,第一磁芯的第一端口与第二磁芯的第三端口相对且相互间隔;第一磁芯的第二端口与第二磁芯的第四端口相对且相互间隔,载流导体用于为被测电流提供流经通道,使被测电流能够流过所述载流导体;磁传感器用于检测所述被测电流。与现有技术相比,本发明一方面,可以放大电流产生的磁场,从而提升探测电流的灵敏度;另一方面,可以很好地消除外界磁场的影响,从而提高电流的探测精度。
- 具有双磁芯电流传感器
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