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[发明专利]MAP生成方法、芯片失效原因的识别方法及系统-CN202311127742.6在审
发明人：吴坚;李德建;关媛;李博夫;李大猛;杨宝斌;刘洋 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及芯片领域，公开了一种MAP生成方法、芯片失效原因的识别方法及系统。所述MAP生成方法包括：基于第一测试厂对晶圆的最后一个测试流程的测试结果，生成所述晶圆的第一MAP，其中，所述第一MAP包括：表征测试通过的第一标志，以及表征测试未通过的第二标志；基于第二测试厂对所述晶圆的第一个测试流程的测试结果，生成第二MAP；以及基于预设合并规则合并所述第一MAP与所述第二MAP，以获取目标MAP，其中，所述基于预设合并规则合并所述第一MAP与所述第二MAP包括：在所述第一MAP中的第一芯片的标志为所述第二标志的情况下，将所述第一芯片标注为特定标志。本发明可有效避免失效芯片被错误归类的情况，从而提升测试数据分析的准确性。
map 生成方法芯片失效原因识别系统

[发明专利]测试设备、校准方法、装置、芯片测试方法和存储介质-CN202211412542.0在审
发明人：李德建;刘洋;冯曦;关媛;李博夫;李大猛 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动测试设备、校准方法、装置、芯片测试方法和存储介质，其中，自动测试设备包括电源通道和测量通道，且自动测试设备与测量设备连接，该自动测试设备的校准方法首先利用测量设备对自动测试设备的电源通道进行校准，然后控制电源通道产生校准后的电压标准值，再利用测量通道和测量设备对该电压标准值进行测量，以得到两个电压测量值，然后将两个电压测量值的差作为测量通道的补偿值，以对测量通道的实际测量值进行补偿校准。由此，该实施例中自动测试设备的校准方法能够提高自动测试设备的测试精度。
测试设备校准方法装置芯片存储介质

[发明专利]多芯片封装结构、多芯片封装结构的制造方法-CN202211194240.0在审
发明人：李德建;韩顺枫;关媛;李博夫;李大猛;杨宝斌;何慧敏;刘丰满 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构、多芯片封装结构的制造方法，所述多芯片封装结构包括：第一芯片单元、第二芯片单元、基板以及互联桥；基板，位于第一芯片单元和第二芯片单元的下方，与第一芯片单元和第二芯片单元连接；互联桥，位于第一芯片单元和第二芯片单元的上方，互联桥的一端与第一芯片单元电连接，互联桥的另一端与所述第二芯片单元电连接。该多芯片封装结构无需在基板上挖腔以嵌入硅桥，可以通过设置在两个芯片单元的上表面的互联桥，以电连接两个芯片单元，实现多个芯片的互连，从而使得多芯片封装结构的制造工艺的难度降低，进而降低了该多芯片封装结构的制造成本。
芯片封装结构制造方法

[发明专利]芯片的修调测试方法、控制装置、存储介质及修调测试机-CN202211419682.0在审
发明人：李德建;颜远辉;冯曦;关媛;李博夫;李大猛;杨宝斌;王春宇;姚兆辉 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片的修调测试方法、控制装置、存储介质及修调测试机，属于芯片技术领域。所述修调测试方法包括：根据量产测试中芯片的实际修调值，构建修调输入集和修调输出集；根据反向误差神经网络算法，构建修调模型；根据所述修调输入集和所述修调输出集，训练所述修调模型；基于训练后的修调模型，对芯片进行修调测试。本发明实施例基于大量真实的测试数据来建立BP神经网络修调模型，再将该修调模型运用到同产品其他片晶圆测试中，可以大大节省测试时间、提高修调精度，并改善量产测试效率。
芯片测试方法控制装置存储介质

[发明专利]一种芯片封装结构和方法-CN202111364409.8在审
发明人：韩顺枫;李德建;王于波;关媛;李博夫;李大猛;何慧敏;刘丰满 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，所述芯片封装结构包括堆叠的封装基板和一个或多个芯片单元；每个芯片单元包括一个芯片和一个散热盖，散热盖的一个表面与芯片的一个表面贴合；在至少一个芯片单元中，所述散热盖包裹所述芯片的周边；芯片单元的芯片与所述封装基板电连接。本发明实现了多芯片堆叠封装，提高了芯片的散热性能。
一种芯片封装结构方法

[发明专利]用于ADC芯片的测试设备及方法-CN202111368082.1在审
发明人：王琨;关媛;胡毅;李博夫;李大猛;韩顺枫;张帆;金鑫 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于ADC芯片的测试设备及方法，属于芯片测试技术领域。所述设备包括：电源变换模块、运算放大器、以及ATE，所述电源变换模块用于将所述ATE的DPS模块输出的单电源电压变换成满足所述运算放大器的驱动电源需求的双电源电压；所述运算放大器用于对所述ATE输出的第一测试信号进行放大以生成第二测试信号，所述第二测试信号满足被测ADC芯片的输入幅度需求；所述被测ADC芯片对所述第二测试信号进行模数转换并将模数转换后的信号输入至所述ATE；以及所述ATE用于基于所述模数转换后的信号获得并输出所述被测ADC芯片的测试参数。所述技术方案能够实现要求高摆幅输入的ADC芯片的测试。另外，具有成本低、体积小、易于编程控制等优点。
用于 adc 芯片测试设备方法

[发明专利]图像传感器封装方法、辅助模具及图像传感器-CN202011142445.5有效
发明人：胡毅;韩顺枫;关媛;李博夫;李大猛;李德建 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器封装方法、辅助模具及图像传感器。所述方法包括：将图像传感器裸芯片贴装在临时载板上；使用键合线键合图像传感器裸芯片的焊盘与临时载板上的金属线路层；使用辅助模具压紧图像传感器裸芯片，使得图像传感器裸芯片的感光区域位于第一空间，图像传感器裸芯片的焊盘以及金属线路层位于第二空间，第一空间与第二空间互不连通；向第二空间填充塑封料，实现塑封成型；脱开所述辅助模具，形成图像传感器塑封体；去除图像传感器塑封体底部的临时载板；将滤光玻璃贴装在塑封体上表面，得到封装好的图像传感器。提供一种键合线埋入封装体内的小外形、高可靠性、防溢料和小翘曲的图像传感器封装方法。
图像传感器封装方法辅助模具

[发明专利]埋入式RFID标签封装方法-CN201910862129.6在审
发明人：韩顺枫;唐晓柯;李德建;关媛;李博夫 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋入式RFID标签封装方法，包括：在PCB板上制造天线，且PCB板上开设预留槽；在引线框架上贴装RFID芯片，且将RFID芯片引线键合，并塑封RFID芯片形成RFID芯片塑封体；将RFID芯片塑封体正面朝下扣进PCB板上的预留槽，并进行固定；图形化金属线路层，从而使引线框架的引脚与天线的正负极互联，进而实现RFID芯片与天线互联；以及在天线正面，PCB板表层涂覆绿油，从而得到RFID标签。借此，本发明的埋入式RFID标签封装方法，可以满足薄型化、高可靠性封装。
封装天线引线框架埋入式塑封体预留槽互联图形化金属高可靠性天线正面引线键合薄型化线路层正负极绿油塑封贴装涂覆下扣引脚制造

[实用新型]便利眼镜架-CN201020612424.0无效
发明人： 李博夫 -专利权人： 李博夫
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： A45C11/04 文献下载
摘要：一种便利眼镜架，包括架体，架体由前后侧壁、底板和两侧靠板组成上开口中空长方体结构，前侧壁与底板连为一体并通过转轴与两侧靠板连接，其中前后侧壁中部分别设有长条形豁口，底板上表面设有软垫，后侧壁设有吸盘。本实用新型新颖实用，灵活方便，适用范围广。
便利眼镜架

[发明专利]紫外光－加热分步聚合法制备聚合物分散液晶材料的方法-CN200710121858.3有效
发明人：杨槐;丁小康;曹明;尹聿海;李博夫;刘会景;边震宇;孙婕;曹晖;海明潭;李文波 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： C09K19/38 文献下载
摘要：本发明属于功能材料领域，特别涉及一种采用紫外光辐照－加热分步引发聚合分相方法制备聚合物分散液晶薄膜的方法，应用于电控智能玻璃的制备。其特征是将向列型液晶、紫外光可聚合单体、光引发剂、热聚合单体和玻璃微珠混合均匀后夹在两片镀有氧化铟锡的透明导电膜中间，形成20μm厚的膜层，在0～25℃下用波长为365nm的紫外光进行照射；紫外光强度为20.0mW/m²，光照时间为1～10分钟；热聚合温度为60～100℃，加热保温时间为5～8小时，最终固化成PDLC膜。通过选择紫外光可聚合单体和热聚合单体，经紫外光辐照与加热引发聚合体系的分步聚合交联反应，达到同时改善PDLC薄膜的电光性能、增强聚合物网络强度和提高高分子网络与ITO膜之间的界面粘结力的目的。
紫外光加热分步聚合法制聚合物分散液晶材料方法

[发明专利]一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法-CN200710062975.7有效
发明人：杨槐;李文波;欧阳灿彬;丁小康;王丽萍;曹辉;张卫东;尹聿海;郭仁炜;曹明;李博夫 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K19/02 文献下载
摘要：一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法，属于液晶材料应用领域。基体材料是可光聚合的混合单体，所用液晶是向列相液晶，液晶和单体的质量比是8∶1－1∶1。加入光引发剂的含量为单体总质量的0.1wt％－30.0wt％，纳米微珠的含量约为液晶和单体总质量的0.1wt％－10.0wt％，用来控制膜厚。将液晶、可光聚合单体、光引发剂和纳米微珠均匀混合后夹在两片镀有氧化铟的导电塑料薄膜中间，用滚轴挤压，形成0.5微米至30微米厚的膜层，在可光聚合单体/液晶复合材料的液晶相的清亮点温度以上0.5℃－20.0℃使用365nm的紫外光进行照射1－10分钟，制备成高分子分散液晶薄膜。优点在于：制备具有低驱动电压、高对比度、性能稳定和结实耐用的高分子分散液晶薄膜材料。
一种高分子分散液晶薄膜材料制备方法

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