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[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202210695297.2在审
发明人： 朴仙美;权殷美;梁熒埈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；穿透所述栅极结构的沟道结构，所述沟道结构沿第一方向布置；以及切割结构，其在所述第一方向上延伸，所述切割结构连续地穿透所述沟道结构。所述沟道结构中的每一个包括通过所述切割结构彼此隔离的第一沟道结构和第二沟道结构。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210092100.6在审
发明人： 朴仙美;金南局;权殷美;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：下层叠物，其中多个第一层间绝缘层和第一导电层交替地层叠；多个单元插塞，其在垂直方向上穿过下层叠物；在下层叠物上的上层叠物，其中多个第二层间绝缘层和至少一个第二导电层交替地层叠；多个漏极选择插塞，其穿过上层叠物并且与多个单元插塞的上部接触；以及分离图案，其使多个漏极选择插塞当中的相邻的漏极选择插塞分离，其中，分离图案与相邻的漏极选择插塞中的每一个侧壁接触。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的电容器和寄存器、存储系统及制造方法-CN201210447045.4有效
发明人： 朴仙美;吴尚炫;李相范 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的电容器，所述电容器包括电容器结构，所述电容器结构被配置成包括交替层叠的电极层和电介质层、边缘区以及设置在边缘区之间的中心区，所述边缘区每个都被阶梯式图案化；牺牲层，所述牺牲层设置在电容器结构的边缘区中的各个电极层内；以及支撑插塞，所述支撑插塞形成在电容器结构的中心区中，并且被配置成穿通电极层和电介质层。
半导体器件电容器寄存器存储系统制造方法

[发明专利]大面积单晶单层石墨烯膜及其制备方法-CN201480029328.4在审
发明人：朴浩范;金翰秀;尹熙煜;朴仙美;李民镛 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C23C16/22 文献下载
摘要：本发明涉及：大表面积单晶单层石墨烯膜，其中，石墨烯层在衬底上或在没有衬底的情况下在仅以(111)晶面为取向的单晶金属催化剂层上形成；和用于通过金属前体的热处理和化学气相沉积制备仅以(111)晶面为取向的大表面积单晶单层石墨烯的方法。根据本发明，仅以(111)晶面为取向的单晶金属催化剂层可以在衬底上或甚至在没有衬底的情况下以箔、平板、块或管的各种形式来形成，和，通过制备其中石墨烯层在催化剂层上形成的大表面积单晶单层石墨烯，可以以批量生产的方式使高品质的大表面积石墨烯薄膜商品化，并且可以使用本发明作为透明电极材料和用于显示元件、半导体元件、分离膜、燃料电池、太阳能电池或各种类型的传感器的材料。
大面积单层石墨及其制备方法

[发明专利]半导体存储器设备、存储器系统及其制造方法-CN201310041358.4在审
发明人： 朴仙美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器设备、一种具有该半导体存储器设备的存储器系统以及一种制造该半导体存储器设备的方法。所述半导体存储器设备包括：从衬底的表面突出的垂直通道层；围绕所述垂直通道层的隧道绝缘层和电荷存储层；围绕所述电荷存储层的阻挡层；沿所述阻挡层堆叠的层间绝缘层；以及，插在所述层间绝缘层之间的导电层。所述阻挡层包括金属氧化物层。
半导体存储器设备系统及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN201210047282.1有效
发明人： 朴仙美;朴丙洙;吴尚炫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，包括：第一沟道，所述第一沟道包括自衬底垂直地延伸的一对第一柱体和位于所述一对第一柱体之下并且将一对第一柱体耦接的第一耦接部分；第二沟道，所述第二沟道与第一沟道相邻，包括自衬底垂直地延伸的一对第二柱体和位于一对第二柱体之下并且将一对第二柱体耦接的第二耦接部分；多个栅电极层和层间电介质层，所述多个栅电极层和层间电介质层沿着第一柱体和第二柱体交替地层叠；以及第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽分别将一对第一柱体之间和一对第二柱体之间的多个栅电极层隔离。
非易失性存储器

[发明专利]3D非易失性存储器装置和其生产方法-CN201210125445.3有效
发明人：李仁寭;朴丙洙;吴尚炫;朴仙美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供了一种三维3D非易失性存储器装置和其生产方法。所述3D非易失性存储器装置，包括：管道栅极，包括第一管道栅极、第一管道栅极上形成的第二管道栅极、以及夹在第一管道栅极与第二管道栅极之间的第一层间绝缘层；与管道栅极上的第二层间绝缘层交替层叠的字线；在管道栅极内掩埋的管道通道；以及耦合到管道通道且被布置成穿过字线和第二层间绝缘层的存储器单元通道。
非易失性存储器装置生产方法

[发明专利]制造快闪存储器件的方法-CN200710084450.3无效
发明人： 朴仙美;全裕男;金南经;金世埈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种制造快闪存储器件的方法，包括蚀刻在基板上方设置的绝缘层以形成接触孔从而定义暴露在该基板上形成的结区域的接触孔。以第一导电材料填充该接触孔，该第一导电材料接触该结区域且延伸于该接触孔的上表面上方。蚀刻该第一导电材料以部分填充该接触孔，从而该第一导电材料填充该接触孔的下部分，其中该接触孔的上部分因该第一导电材料的蚀刻而保持未被填充，其中所述被蚀刻的第一导电材料定义接触塞。在该接触塞上方形成第一电介质层和第二电介质层，藉以填充该接触孔的上部分。蚀刻该第一和第二电介质层的一部分以暴露该接触塞和该接触孔的上部分。在该接触塞上形成第二导电材料且填充该接触孔的上部分来形成位线。
制造闪存器件方法