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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光二极管的结构-CN201310460157.8有效
发明人：郭政达;许育宾;王俊凯;朱瑞溢;陈宗光 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的结构，包括：外延基板、第一n型半导体层、n型三维电子云结构、第二n型半导体层、有源层及p型半导体层。其中第一n型半导体层位于外延基板之上，n型三维电子云结构位于第一n型半导体层上，第二n型半导体层位于n型三维电子云结构上，有源层位于第二n型半导体层上，第一p型半导体层则位于有源层上。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管-CN201210280445.0无效
发明人：杨侍蒲;朱瑞溢 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，此发光二极管包括：一金属反射层、一载板、一分散布拉格反射层、一缓冲层以及一发光二极管外延结构。上述载板位于金属反射层之下。上述分散布拉格反射层位在该金属反射层上。上述缓冲层位于分散布拉格反射层之上。上述发光二极管外延结构位于缓冲层之上。本发明可以增加发光二极管的出光效率，并避免产生薄膜裂痕的问题。
发光二极管

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN201110426948.X无效
发明人： 朱瑞溢;方国龙;陈俊荣;郭奇文 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管结构包括：一基板，其上具有第一半导体层、发光层及第二半导体层，且发光层及第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上；第一接触电极，位于第一半导体层与该基板之间，并具有突出部延伸至第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，且暴露出突出部分的顶部；电流阻挡组件，位于阻障层上，并围绕突出部分的至少一部分的侧壁；以及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管与其形成方法-CN201110273185.X有效
发明人： 朱瑞溢;方国龙 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管与其形成方法。该方法首先依序形成第一半导体层、主动层、与第二半导体层于基板上，且第一半导体层与第二半导体层的电性相反。接着形成沟槽穿过第二半导体层、主动层、与部分第一半导体层，以定义堆栈结构于沟槽之间。之后形成平坦化层于第一半导体层与第二半导体层上并填满沟槽，再形成硬屏蔽图案于平坦化层上。硬屏蔽图案具有屏蔽区与开口区，且开口区对应沟槽。进行斜向离子布植穿过开口区，使第一半导体层的侧壁具有掺杂区后，移除硬屏蔽图案与平坦化层。在移除掺杂区后，即形成凹洞。
发光二极管与其形成方法

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN201110245503.1无效
发明人： 朱瑞溢;李佳恩;方国龙;陈俊荣;郭奇文 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法，包括：基板、第一半导体层、发光层及一第二半导体层，其中第二半导体层、发光层及第一半导体层依序堆栈于基板上，第一半导体层包含一第一层及一第二层，第一层的导电性较第二层高；第一接触电极，位于第一半导体层与基板之间，并具有一突出部分延伸至此第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，但暴露出此突出部分的顶部；及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，与第二半导体层直接接触，且藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管透明导电层的图案化方法-CN201110084842.6无效
发明人：杨侍蒲;朱瑞溢;郭奇文;黄坤富;陈俊荣;方国龙 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管透明导电层的图案化方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一N型半导体层于基板之上；形成一主动层于N型半导体层之上；形成一P型半导体层于该主动层之上；形成一透明导电层于P型半导体层之上；设置一光罩于透明导电层之上；以及激光剥除(laserablating)部分透明导电层，形成一图案化或表面粗化的透明导电层。本发明提供的方法由于光罩不直接接触透明导电层，因此，可延长光罩的使用寿命，节省光罩的成本。
发光二极管透明导电图案方法

[发明专利]发光二极管芯片结构及其制造方法-CN201110347763.X无效
发明人：陈俊荣;郭奇文;黄坤富;朱瑞溢;方国龙 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片结构及其制造方法，发光二极管芯片结构包括导电基板、半导体堆栈层以及图案化种晶层。导电基板具有一表面，此表面具有第一区及第二区，其中第一区与第二区交替分布于此表面。半导体堆栈层配置于导电基板上，且导电基板的表面朝向半导体堆栈层。图案化种晶层配置于导电基板的表面的第一区上，且位于导电基板与半导体堆栈层之间。图案化种晶层将第一区与半导体堆栈层分隔，且暴露出第二区。半导体堆栈层覆盖图案化种晶层与第二区，且经由第二区与导电基板电性连接。
发光二极管芯片结构及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200810171059.1有效
发明人：王俊凯;洪详竣;许育宾;朱瑞溢;吴欣显;颜伟昱 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的主要目的是披露一种发光元件，包含半导体叠层，其中具有有源层，且此有源层是由多个量子阱层与多个垒层交错堆叠的多量子阱(multiple quantum well，MQW)结构，其多个垒层中至少有一掺杂垒层(dopedbarrier layer)与一未掺杂垒层(undoped barrier layer)。由此掺杂垒层可提高空穴的载流子迁移率，均匀化有源层中发光区域并提升发光元件的内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)。
发光元件

[发明专利]光电元件-CN200810212831.X有效
发明人： 朱瑞溢;郭政达;许育宾;王俊凯;吴欣显;林义杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电元件，包含n型覆盖层；p型覆盖层；以及发光层，位于该n型覆盖层与该p型覆盖层之间。发光层由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而成的多重量子阱结构，其中于最靠近p型覆盖层的势垒层掺入可以改变其势垒的杂质，以形成势垒调变层。上述元件具有提高发光效率的优点。
光电元件

[发明专利]半导体元件-CN200810088424.2有效
发明人：林义杰;许育宾;郭政达;朱瑞溢;王俊凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件，其具有变温生长的半导体缓冲层，形成于基板与外延叠层之间；或是将变温生长的半导体缓冲层，形成于两层未掺杂半导体层之间后，再于其中之一未掺杂半导体层上，形成外延叠层。通过上述变温生长的半导体缓冲层的形成，可以使后续形成于其上方的外延叠层，其晶格错位的现象明显减少，并达到提升外延叠层品质的目的。
半导体元件

[发明专利]发光二极管的结构-CN200810008563.X有效
发明人：郭政达;许育宾;王俊凯;朱瑞溢;陈宗光 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的结构，包括：外延基板、第一n型半导体层、n型三维电子云结构、第二n型半导体层、有源层及p型半导体层。其中第一n型半导体层位于外延基板之上，n型三维电子云结构位于第一n型半导体层上，第二n型半导体层位于n型三维电子云结构上，有源层位于第二n型半导体层上，第一p型半导体层则位于有源层上。
发光二极管结构

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