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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种敞口袋接料抽气装置-CN201620289251.0有效
发明人：张原僖;周日升;刘娟梅;贾计斌;郭奇文 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2016-04-10 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： B65B1/28 文献下载
摘要：一种敞口袋接料抽气装置，包括料仓和进料管，所述料仓内设置微孔过滤管，所述料仓顶部竖直安装气缸，所述微孔过滤管安装于所述气缸的活塞杆上，所述微孔过滤管连接真空泵，所述真空泵连接分离器，所述微孔过滤管与真空泵之间管路上设置排气阀和反吹阀。本实用新型通过微孔过滤器在不影响包装的前提下将物料中含有的气体抽出，提高了工作效率，避免了粉尘飞扬。
一种敞口袋接料抽气装置

[实用新型]一种白炭黑生产过程中PH值在线检测装置-CN201620289250.6有效
发明人：张原僖;周日升;郭奇文;刘娟梅;贾计斌 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2016-04-10 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种白炭黑生产过程中PH值在线监测装置，包括检测电极，所述检测电极连接显示器，所述检测电极安装于升降杆下端部，所述显示器安装于升降杆上端部，所述升降杆通过传动结构连接升降电机，所述升降杆旁平行设置固定杆，固定杆上设置上行程开关和下行程开关。本实用新型通过升降电机控制升降杆带动检测电极对反应釜内料液的PH值直接进行检测，检测迅速，误差小。上、下行程开关控制升降电机启停，实现了白炭黑生产过程中PH值检测的自动控制。
一种炭黑生产过程 ph 在线检测装置

[发明专利]空气压缩机余热回收装置-CN201110400814.0无效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：一种空气压缩机余热回收装置，包括空压机排热管，其特征是在空压机排热管上连接有引风管，所述引风管通过一个三通管分别连接采暖风阀与水箱加热阀，所述采暖风阀下游连接散热器，所述的水箱加热阀与一个热水箱连接。将空压机的余热引出用于加热水箱及室内采暖，实现了节能减排，降低生产成本效果，本发明技术可回收热能达到70%，起到节能降耗的作用，同时也减少了二氧化碳的排放量。
空气压缩机余热回收装置

[发明专利]二氧化硅材料粉碎设备下料阀-CN201110400786.2无效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：一种二氧化硅材料粉碎设备下料阀，包括下料阀本体，在下料阀本体上部有一个直径小于下料阀本体直径的柱状进料腔，在下料阀本体下部有一个锥形下料腔，在锥形下料腔下部有柱状出料腔。其中柱状进料腔、柱状出料腔、下料阀本体三者之间的直径之比为1：1:2。本发明的二氧化硅材料粉碎设备下料阀，通过在下料阀本体下端设置直径较小的柱状出料腔，阻碍了磨腔内气流的上升，减少了下料阻力，同时还使得少量上升气流在下料阀本体内得到缓冲，使得下料均匀，下料过程畅通。并且在一定程度上起到密封磨腔内气体上行的作用。
二氧化硅材料粉碎设备下料阀

[发明专利]高位水箱浮球开关控制装置-CN201110403493.X无效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01H35/18 文献下载
摘要：一种高位水箱浮球开关控制装置，包括高位水箱，浮球，在浮球上部有一个触控杆，所述触控杆的端部与双触点行程开关相接。本发明的高位水箱浮球开关控制装置，采用双触点行程开关控制进水开关，确保水箱进水开关反应灵敏，安全可靠，不会发生跑水或缺水现象。
高位水箱开关控制装置

[发明专利]一种离心泵吸水装置-CN201110403434.2无效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： F04D13/16 文献下载
摘要：一种离心泵吸水装置，包括水泵、贮水池、置于贮水池内的吸水底阀，所述吸水底阀通过吸水管与水泵连接，在吸水管与水泵之间设置有储水罐，在储水罐上设置有排水阀门与排气阀门。本发明的一种离心水泵吸水装置，通过设置储水罐的方式，可在用水量较小的情况下不需开启水泵即实现供水，而储水罐则通过真空虹吸原理补充罐内水源。当用水量较大时，开启水泵补水，满足生产用水。
一种离心泵吸水装置

[发明专利]适合二氧化硅系列产品生产用反应釜加酸装置-CN201110400785.8无效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：适合二氧化硅系列产品生产用反应釜加酸装置，包括反应釜本体，在反应釜本体内设有搅拌器，反应釜上部设置有加料管，在加料管下部连接有一个两端封闭的半圆管状加料分布器。在半圆管体上制有出料孔。本发明的适合二氧化硅系列产品生产用反应釜加酸装置，在反应过程添加酸时，能显著改善酸的分布，使反应釜中的化学反应更充分。
适合二氧化硅系列产品生产反应加酸装置

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN201110426948.X无效
发明人：朱瑞溢;方国龙;陈俊荣;郭奇文 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管结构包括：一基板，其上具有第一半导体层、发光层及第二半导体层，且发光层及第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上；第一接触电极，位于第一半导体层与该基板之间，并具有突出部延伸至第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，且暴露出突出部分的顶部；电流阻挡组件，位于阻障层上，并围绕突出部分的至少一部分的侧壁；以及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN201110245503.1无效
发明人：朱瑞溢;李佳恩;方国龙;陈俊荣;郭奇文 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法，包括：基板、第一半导体层、发光层及一第二半导体层，其中第二半导体层、发光层及第一半导体层依序堆栈于基板上，第一半导体层包含一第一层及一第二层，第一层的导电性较第二层高；第一接触电极，位于第一半导体层与基板之间，并具有一突出部分延伸至此第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，但暴露出此突出部分的顶部；及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，与第二半导体层直接接触，且藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。
发光二极管结构及其制造方法

[实用新型]二氧化硅材料粉碎设备下料阀-CN201120502442.8有效
发明人：张原僖;周日升赵建卿;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：一种二氧化硅材料粉碎设备下料阀，包括下料阀本体，在下料阀本体上部有一个直径小于下料阀本体直径的柱状进料腔，在下料阀本体下部有一个锥形下料腔，在锥形下料腔下部有柱状出料腔。其中柱状进料腔、柱状出料腔、下料阀本体三者之间的直径之比为1∶1∶2。本实用新型的二氧化硅材料粉碎设备下料阀，通过在下料阀本体下端设置直径较小的柱状出料腔，阻碍了磨腔内气流的上升，减少了下料阻力，同时还使得少量上升气流在下料阀本体内得到缓冲，使得下料均匀，下料过程畅通。并且在一定程度上起到密封磨腔内气体上行的作用。
二氧化硅材料粉碎设备下料阀

[实用新型]空气压缩机余热回收装置-CN201120502481.8有效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： F04B39/06 文献下载
摘要：一种空气压缩机余热回收装置，包括空压机排热管，其特征是在空压机排热管上连接有引风管，所述引风管通过一个三通管分别连接采暖风阀与水箱加热阀，所述采暖风阀下游连接散热器，所述的水箱加热阀与一个热水箱连接。将空压机的余热引出用于加热水箱及室内采暖，实现了节能减排，降低生产成本效果，本实用新型技术可回收热能达到70%，起到节能降耗的作用，同时也减少了二氧化碳的排放量。
空气压缩机余热回收装置

[实用新型]适合二氧化硅系列产品生产用反应釜加酸装置-CN201120502443.2有效
发明人：张原僖;周日升;赵建卿;闫晴惠;郭奇文;郭秀娟;梁建强 -专利权人：山西天一纳米材料科技有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：适合二氧化硅系列产品生产用反应釜加酸装置，包括反应釜本体，在反应釜本体内设有搅拌器，反应釜上部设置有加料管，在加料管下部连接有一个两端封闭的半圆管状加料分布器。在半圆管体上制有出料孔。本实用新型的适合二氧化硅系列产品生产用反应釜加酸装置，在反应过程添加酸时，能显著改善酸的分布，使反应釜中的化学反应更充分。
适合二氧化硅系列产品生产反应加酸装置

[发明专利]发光二极管透明导电层的图案化方法-CN201110084842.6无效
发明人：杨侍蒲;朱瑞溢;郭奇文;黄坤富;陈俊荣;方国龙 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管透明导电层的图案化方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一N型半导体层于基板之上；形成一主动层于N型半导体层之上；形成一P型半导体层于该主动层之上；形成一透明导电层于P型半导体层之上；设置一光罩于透明导电层之上；以及激光剥除(laserablating)部分透明导电层，形成一图案化或表面粗化的透明导电层。本发明提供的方法由于光罩不直接接触透明导电层，因此，可延长光罩的使用寿命，节省光罩的成本。
发光二极管透明导电图案方法

[发明专利]高亮度发光二极管-CN201110219433.2有效
发明人：黄坤富;张峻荣;郭奇文;陈俊荣;方国龙;赵志伟 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度，以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用，借此大幅提高发光二极管的亮度。
亮度发光二极管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110037702.3无效
发明人：方国龙;郭奇文;郭政达 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-02-11 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一个或多个半导体元件层，形成于该基板上；以及一个或多个晶格破坏区，形成于该基板表面，位于该等半导体元件层之间。本发明另提供一种半导体结构的制造方法。本发明可减少应力形变，致增加半导体元件例如发光二极管(LED)的发光波长均一性，达到增加良率产出的目的。
半导体结构及其制造方法

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